Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором
Рассмотрены структурные особенности поликристаллического покрытия нитрида галлия, сформированного на подложке из оксида кремния. Экспериментально показано, что по мере роста у кристаллов изменяется не только морфология поверхности, но и кристаллическая структура, а также электрофизические параметры....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143842 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 3. — С. 37-47. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-143842 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Цысарь, М.А. 2018-11-13T19:53:29Z 2018-11-13T19:53:29Z 2016 Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 3. — С. 37-47. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 0203-3119 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143842 691.327:666.973.6 Рассмотрены структурные особенности поликристаллического покрытия нитрида галлия, сформированного на подложке из оксида кремния. Экспериментально показано, что по мере роста у кристаллов изменяется не только морфология поверхности, но и кристаллическая структура, а также электрофизические параметры. Показано, что топография поверхности кристаллов на начальном этапе осаждения покрытия формируется за счет диффузионного массопереноса. Розглянуто особливості структури і властивостей полікристалічного покриття нітриду галію, згідно цих даних було побудовано фізико-математичну модель формування рельєфу поверхні на основі деформаційної теорії. Експериментально показано, що в міру зростання у кристалів змінюється не тільки морфологія поверхні, але і кристалічна структура, а так само електрофізичні параметри. Топографія поверхні кристалів формується за рахунок дифузійного масоперенесення. Поверхню кристалів нітриду галію досліджували методами оптичної, електронної і сканівної тунельної мікроскопії. The features of the structure and properties of gallium nitride polycrystalline coat, according to these data was constructed physical and mathematical model of the surface relief on the basis of the deformation theory. Experimentally shown that the growth of crystals, not only the surface morphology and crystal structure, as well as the electrical parameters. Topography of the surface of the crystals formed by the diffusion mass transfer. Surface of the crystals of gallium nitride investigated by optical, electron and scanning tunneling microscopy. Автор благодарит доктора С. Поровского (Институт высоких давлений, Польша, Варшава) и докт. техн. наук И. А. Петрушу (Институт сверхтвердых материалов Украина, Киев) за предоставленный образец нитрида галлия. ru Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Сверхтвердые материалы Получение, структура, свойства Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором |
| spellingShingle |
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором Цысарь, М.А. Получение, структура, свойства |
| title_short |
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором |
| title_full |
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором |
| title_fullStr |
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором |
| title_full_unstemmed |
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором |
| title_sort |
исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором |
| author |
Цысарь, М.А. |
| author_facet |
Цысарь, М.А. |
| topic |
Получение, структура, свойства |
| topic_facet |
Получение, структура, свойства |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Сверхтвердые материалы |
| publisher |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| format |
Article |
| description |
Рассмотрены структурные особенности поликристаллического покрытия нитрида галлия, сформированного на подложке из оксида кремния. Экспериментально показано, что по мере роста у кристаллов изменяется не только морфология поверхности, но и кристаллическая структура, а также электрофизические параметры. Показано, что топография поверхности кристаллов на начальном этапе осаждения покрытия формируется за счет диффузионного массопереноса.
Розглянуто особливості структури і властивостей полікристалічного покриття нітриду галію, згідно цих даних було побудовано фізико-математичну модель формування рельєфу поверхні на основі деформаційної теорії. Експериментально показано, що в міру зростання у кристалів змінюється не тільки морфологія поверхні, але і кристалічна структура, а так само електрофізичні параметри. Топографія поверхні кристалів формується за рахунок дифузійного масоперенесення. Поверхню кристалів нітриду галію досліджували методами оптичної, електронної і сканівної тунельної мікроскопії.
The features of the structure and properties of gallium nitride polycrystalline coat, according to these data was constructed physical and mathematical model of the surface relief on the basis of the deformation theory. Experimentally shown that the growth of crystals, not only the surface morphology and crystal structure, as well as the electrical parameters. Topography of the surface of the crystals formed by the diffusion mass transfer. Surface of the crystals of gallium nitride investigated by optical, electron and scanning tunneling microscopy.
|
| issn |
0203-3119 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143842 |
| citation_txt |
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 3. — С. 37-47. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT cysarʹma issledovanieanizotropiipoverhnostipolikristalličeskogopokrytiânitridagalliânatunnelʹnommikroskopeosnaŝennomostriemizalmazalegirovannogoborom |
| first_indexed |
2025-12-07T18:33:49Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:33:49Z |
| _version_ |
1850875502738276352 |