Шероховатость полированных поверхностей оптико-электронных элементов из монокристаллических материалов - Филатов, А.Ю.; Сидорко, В.И.; Ковалев, С.В.; Филатов, Ю.Д.; Ветров, А.Г. (Сверхтвердые материалы, 2016)
В результате исследований закономерностей формирования плоскостей монокристаллов с различной кристаллографической ориентацией установлено, что при полировании сапфира параметры шероховатости Ra, Rq, Rmax уменьшаются в ряду c > r > m > a при уменьшении диэлектрической проницаемости, коэффициента теплопроводности обрабатываемого материала, высоты частиц шлама и константы Лифшица, характеризующей энергию взаимодействия зерен полировального порошка с обрабатываемой поверхностью. Определены минимально допустимые значения параметров шероховатости атомарно гладких поверхностей, которые линейно В результаті дослідження закономірностей формування площин монокристалів з різною кристалографічною орієнтацією встановлено, що при поліруванні сапфіру параметри шорсткості Ra, Rq, Rmax зменшуються в ряду c > r > m > a при зменшенні діелектричної проникності, коефіцієнта теплопровідності оброблюваного матеріалу, висоти частинок шламу та константи Ліфшиця, що характеризує енергію взаємодії зерен полірувального порошку з оброблюваною поверхнею. Визначено мінімально припустимі значення параметрів шорсткості атомарно гладких поверхонь, які лінійно залежать від міжплощинних відстаней та зменшуються в ряду r > a > c > m. The studies of regularities of formation planes of single crystals with different crystallographic orientations found that in polishing sapphire roughness parameters Ra, Rq, Rmax decrease in the number of c> r> m> a with a decrease in the dielectric constant, thermal conductivity of the material being processed, the height of the sludge particles and the Lifshitz constant, characterizing the interaction energy grain polishing powder with treated surface. Determine the minimum allowable values atomically smooth surface roughness, which are linearly dependent on the interplanar distances and decrease to a number r> a> c> m.