Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
Досліджено композиційні матеріали AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ з високим рівнем поглинання НВЧ-випромінювання (27–65 дБ/см), одержані методом вільного спікання сумішей 46 % (за масою) AlN(2Н), 4 % (за масою) Y₂O₃ і 50 % (за масою) SiC(6Н) з використанням SiC різних дисперсностей (1, 5 і 50 мкм). Показано, що пи...
Saved in:
| Published in: | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | Сербенюк, Т.Б., Пріхна, Т.О., Свердун, В.Б., Часник, В.І., Ковиляєв, В.В., Dellith, J., Мощіль, В.Є., Шаповалов, А.П., Марченко, А.А., Полікарпова, Л.О. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143852 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту / Т.Б. Сербенюк, Т.О. Пріхна, В.Б. Свердун, В.І. Часник, В.В. Ковиляєв, J. Dellith, В.Є. Мощіль, А.П. Шаповалов, А.А. Марченко, Л.О. Полікарпова // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 4. — С. 30-41. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
by: Пріхна, Т.О., et al.
Published: (2015)
by: Пріхна, Т.О., et al.
Published: (2015)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
by: T. B. Serbeniuk, et al.
Published: (2016)
by: T. B. Serbeniuk, et al.
Published: (2016)
Теплопроводность керамики AlN–SiC, полученной свободным спеканием
by: Прихна, Т.А., et al.
Published: (2008)
by: Прихна, Т.А., et al.
Published: (2008)
ОСОБЛИВОСТІ ВИМІРЮВАННЯ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ ВІЛЬНОСПЕЧЕНИХ КОМПОЗИТІВ AlN–50% SiC
by: Часник, Василь, et al.
Published: (2025)
by: Часник, Василь, et al.
Published: (2025)
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
by: Ju. S. Borisov, et al.
Published: (2019)
by: Ju. S. Borisov, et al.
Published: (2019)
Study of postimplantation annealing of SiC
by: Avramenko, S.F., et al.
Published: (2001)
by: Avramenko, S.F., et al.
Published: (2001)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Atomic and electronic structure of a-SiC
by: Ivashchenko, V.I., et al.
Published: (2002)
by: Ivashchenko, V.I., et al.
Published: (2002)
Simple method for SiC nanowires fabrication
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2011)
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2011)
Biomorphic SiC from peas and beans
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2012)
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2012)
Biomorphic SiC from peas and beans
by: V. S. Kiselov, et al.
Published: (2012)
by: V. S. Kiselov, et al.
Published: (2012)
Simple method for SiC nanowires fabrication
by: V. S. Kiselov, et al.
Published: (2011)
by: V. S. Kiselov, et al.
Published: (2011)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
by: Kozlovskyi, A.A., et al.
Published: (2013)
by: Kozlovskyi, A.A., et al.
Published: (2013)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2009)
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2009)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ І ПОГЛИНАННЯ МІКРОХВИЛЬОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ В КОМПОЗИТАХ AlN–SiC З ВИСОКИМ ВМІСТОМ КАРБІДУ КРЕМНІЮ
by: Часник, Василь, et al.
Published: (2023)
by: Часник, Василь, et al.
Published: (2023)
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
by: Vlaskina, S.I.
Published: (2002)
by: Vlaskina, S.I.
Published: (2002)
Microwave energy attenuators of high thermal conductivity based on AlN and SiC with addition of molybdenum
by: V. I. Chasnyk, et al.
Published: (2014)
by: V. I. Chasnyk, et al.
Published: (2014)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
by: V. V. Kidalov, et al.
Published: (2024)
by: V. V. Kidalov, et al.
Published: (2024)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
by: Kidalov, V. V., et al.
Published: (2024)
by: Kidalov, V. V., et al.
Published: (2024)
Перспективы использования SiC/SiC-композитов в термоядерных реакторах (по анализу Международных Баз Данных INIS, MSCI, INSPEC)
by: Войценя, В.С., et al.
Published: (2007)
by: Войценя, В.С., et al.
Published: (2007)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
by: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Published: (2018)
by: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Published: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
by: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Published: (2018)
by: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Published: (2018)
Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2009)
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2009)
Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2009)
by: Kiselov, V.S., et al.
Published: (2009)
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
by: Luzanov, A.V.
Published: (2017)
by: Luzanov, A.V.
Published: (2017)
Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
by: Закарян, Д.А.
Published: (2015)
by: Закарян, Д.А.
Published: (2015)
Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
by: D. A. Zakarjan
Published: (2015)
by: D. A. Zakarjan
Published: (2015)
Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
by: Lysenko, V.S., et al.
Published: (2000)
by: Lysenko, V.S., et al.
Published: (2000)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
by: H. Ahmed, et al.
Published: (2020)
by: H. Ahmed, et al.
Published: (2020)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
by: H. Ahmed, et al.
Published: (2020)
by: H. Ahmed, et al.
Published: (2020)
Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
by: V. H. Kulych, et al.
Published: (2023)
by: V. H. Kulych, et al.
Published: (2023)
Corrosion stability of SiC-based ceramics in hydrothermal conditions
by: K. V. Lobach, et al.
Published: (2019)
by: K. V. Lobach, et al.
Published: (2019)
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
by: Semenov, A.V., et al.
Published: (2005)
by: Semenov, A.V., et al.
Published: (2005)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
by: Лопин, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Лопин, А.В., et al.
Published: (2007)
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
by: Часнык, В.И., et al.
Published: (2014)
by: Часнык, В.И., et al.
Published: (2014)
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
by: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Published: (2002)
by: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Published: (2002)
Сварка давлением композита АМг5+23% SiC 27
by: Харченко, Г.К., et al.
Published: (2007)
by: Харченко, Г.К., et al.
Published: (2007)
Кінетичні закономірності окиснення СО на оксидних каталізаторах, основою яких є 3d-метали, нанесених на β-SiC та нановолокна SiC
by: Іщенко, О.В., et al.
Published: (2009)
by: Іщенко, О.В., et al.
Published: (2009)
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
by: Y. O. Suchikova, et al.
Published: (2022)
by: Y. O. Suchikova, et al.
Published: (2022)
Similar Items
-
Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
by: Пріхна, Т.О., et al.
Published: (2015) -
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
by: T. B. Serbeniuk, et al.
Published: (2016) -
Теплопроводность керамики AlN–SiC, полученной свободным спеканием
by: Прихна, Т.А., et al.
Published: (2008) -
ОСОБЛИВОСТІ ВИМІРЮВАННЯ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ ВІЛЬНОСПЕЧЕНИХ КОМПОЗИТІВ AlN–50% SiC
by: Часник, Василь, et al.
Published: (2025) -
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
by: Ju. S. Borisov, et al.
Published: (2019)