Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття
Аморфні SiCN-покриття було осаджено на кремнієві підкладки методом плазмохімічного осадження (PECVD) з використанням гексаметилдісилазану в якості основного прекурсора. Досліджено вплив температури осадження на структуру, хімічний склад і механічні властивості покриттів. Встановлено, що при температ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143855 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття / О.К. Порада, А.О. Козак, В.І. Іващенко, С.М. Дуб, Г.М. Толмачева // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 4. — С. 57-66. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862723707019984896 |
|---|---|
| author | Порада, О.К. Козак, А.О. Іващенко, В.І. Дуб, С.М. Толмачева, Г.М. |
| author_facet | Порада, О.К. Козак, А.О. Іващенко, В.І. Дуб, С.М. Толмачева, Г.М. |
| citation_txt | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття / О.К. Порада, А.О. Козак, В.І. Іващенко, С.М. Дуб, Г.М. Толмачева // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 4. — С. 57-66. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Сверхтвердые материалы |
| description | Аморфні SiCN-покриття було осаджено на кремнієві підкладки методом плазмохімічного осадження (PECVD) з використанням гексаметилдісилазану в якості основного прекурсора. Досліджено вплив температури осадження на структуру, хімічний склад і механічні властивості покриттів. Встановлено, що при температурах до 400 °С мало місце осадження гідрогенізованих аморфних SiCN (a-SiCN:H)-покриттів, твердість яких не перевищує 23 ГПа. З подальшим підвищенням температури розподіл міцних зв’язків Si–C, Si–N і C–N в покриттях практично не змінюється, а кількість слабких водневих зв’язків С–Н, Si–H і N–H зменшується. Як наслідок такого перерозподілу хімічних зв’язків при температурах 650–700 °C осаджуються a-SiCN-покриття з твердістю понад 32 ГПа. Відпал у вакуумі при 1200 °С не впливає помітно на структуру, твердість і модуль пружності a-SiCN-покриттів.
Аморфные SiCN-покрытия были осаждены на подложки из кремния методом плазмохимического осаждения (PECVD) с применением гексаметилдисилазана как основного прекурсора. Исследовано влияние температуры осаждения на структуру, химический состав и механические свойства покрытий. Установлено, что при температурах до 400 °С происходит осаждение гидрогенизированных аморфных SiCN (a-SiCN:H)-покрытий, твердость которых не превышает 23 ГПа. При дальнейшем повышении температуры распределение сильных связей Si–C, Si–N і C–N в покрытиях практически не изменяется, а количество слабых водородных связей С–Н, Si–H и N–H существенно уменьшается. В результате такого перераспределения химических связей при температурах 650–700 °С осаждаются a-SiCN-покрытия с твердостью до 32 ГПа. Отжиг в вакууме при 1200 °С не оказывает заметного влияния на структуру, твердость и модуль упругости a-SiCN-покрытий.
Amorphous SiCN coatings have been deposited on silicon substrates by plasmochemical technique (PECVD) using hexamethyldisilazane as basic precursor. The effect of deposition temperature on structure, chemical composition and mechanical properties of coatings has been studied. It was found that deposition of hydrogenated amorphous SiCN (a-SiCN:H) coatings take place at temperatures lower 400 °С with hardness < 23 GPa. Distribution of strong Si–C, Si–N і C–N bonds in coatings at further increase of temperature is not changed practically and number of weak hydrogen bonds С–Н, Si–H and N–H decreased considerably. The hardness of a-SiCN coatings increase up to 32 GPa at deposition temperatures from 650 to 700 °С in results of such rearrangement of chemical bonds. Annealing in vacuum at 1200 °C doesn’t effect appreciably the structure, hardness and elastic modulus of a-SiCN coatings.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:42:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-143855 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0203-3119 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:42:51Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Порада, О.К. Козак, А.О. Іващенко, В.І. Дуб, С.М. Толмачева, Г.М. 2018-11-14T18:17:16Z 2018-11-14T18:17:16Z 2016 Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття / О.К. Порада, А.О. Козак, В.І. Іващенко, С.М. Дуб, Г.М. Толмачева // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 4. — С. 57-66. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. 0203-3119 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143855 621.723:620.669.018:45:621.9.0 Аморфні SiCN-покриття було осаджено на кремнієві підкладки методом плазмохімічного осадження (PECVD) з використанням гексаметилдісилазану в якості основного прекурсора. Досліджено вплив температури осадження на структуру, хімічний склад і механічні властивості покриттів. Встановлено, що при температурах до 400 °С мало місце осадження гідрогенізованих аморфних SiCN (a-SiCN:H)-покриттів, твердість яких не перевищує 23 ГПа. З подальшим підвищенням температури розподіл міцних зв’язків Si–C, Si–N і C–N в покриттях практично не змінюється, а кількість слабких водневих зв’язків С–Н, Si–H і N–H зменшується. Як наслідок такого перерозподілу хімічних зв’язків при температурах 650–700 °C осаджуються a-SiCN-покриття з твердістю понад 32 ГПа. Відпал у вакуумі при 1200 °С не впливає помітно на структуру, твердість і модуль пружності a-SiCN-покриттів. Аморфные SiCN-покрытия были осаждены на подложки из кремния методом плазмохимического осаждения (PECVD) с применением гексаметилдисилазана как основного прекурсора. Исследовано влияние температуры осаждения на структуру, химический состав и механические свойства покрытий. Установлено, что при температурах до 400 °С происходит осаждение гидрогенизированных аморфных SiCN (a-SiCN:H)-покрытий, твердость которых не превышает 23 ГПа. При дальнейшем повышении температуры распределение сильных связей Si–C, Si–N і C–N в покрытиях практически не изменяется, а количество слабых водородных связей С–Н, Si–H и N–H существенно уменьшается. В результате такого перераспределения химических связей при температурах 650–700 °С осаждаются a-SiCN-покрытия с твердостью до 32 ГПа. Отжиг в вакууме при 1200 °С не оказывает заметного влияния на структуру, твердость и модуль упругости a-SiCN-покрытий. Amorphous SiCN coatings have been deposited on silicon substrates by plasmochemical technique (PECVD) using hexamethyldisilazane as basic precursor. The effect of deposition temperature on structure, chemical composition and mechanical properties of coatings has been studied. It was found that deposition of hydrogenated amorphous SiCN (a-SiCN:H) coatings take place at temperatures lower 400 °С with hardness < 23 GPa. Distribution of strong Si–C, Si–N і C–N bonds in coatings at further increase of temperature is not changed practically and number of weak hydrogen bonds С–Н, Si–H and N–H decreased considerably. The hardness of a-SiCN coatings increase up to 32 GPa at deposition temperatures from 650 to 700 °С in results of such rearrangement of chemical bonds. Annealing in vacuum at 1200 °C doesn’t effect appreciably the structure, hardness and elastic modulus of a-SiCN coatings. Автори висловлюють подяку співробітникам Інституту проблем матеріалознавства НАН України І. І. Тимофєєвій за допомогу при дослідженні структури плівок методом рентгенівської дифрактометрії і Т. В. Томілі за допомогу при дослідженні хімічних зв’язків методом інфрачервоної спектроскопії. uk Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Сверхтвердые материалы Получение, структура, свойства Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття Article published earlier |
| spellingShingle | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття Порада, О.К. Козак, А.О. Іващенко, В.І. Дуб, С.М. Толмачева, Г.М. Получение, структура, свойства |
| title | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття |
| title_full | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття |
| title_fullStr | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття |
| title_full_unstemmed | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття |
| title_short | Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття |
| title_sort | тверді плазмохімічні a-sicn-покриття |
| topic | Получение, структура, свойства |
| topic_facet | Получение, структура, свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143855 |
| work_keys_str_mv | AT poradaok tverdíplazmohímíčníasicnpokrittâ AT kozakao tverdíplazmohímíčníasicnpokrittâ AT ívaŝenkoví tverdíplazmohímíčníasicnpokrittâ AT dubsm tverdíplazmohímíčníasicnpokrittâ AT tolmačevagm tverdíplazmohímíčníasicnpokrittâ |