Деформаційний стан кристалів синтетичного алмазу за даними методу дифракції зворотно розсіяних електронів

• Published in: Сверхтвердые материалы
• Date: 2016
• Main Authors: Фодчук, І.М., Борча, М.Д., Хоменко, В.Ю., Баловсяк, С.В., Ткач, В.М., Стаценко, О.О.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2016
• Subjects: Получение, структура, свойства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143856
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Деформаційний стан кристалів синтетичного алмазу за даними методу дифракції зворотно розсіяних електронів / І.М. Фодчук, М.Д. Борча, В.Ю. Хоменко, С.В. Баловсяк, В.М. Ткач, О.О. Стаценко // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 4. — С. 67-73. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Запропоновано спосіб визначення компонент тензора деформацій з аналізу розподілів інтенсивності зворотно розсіяних електронів на картинах Кікучі. Досліджено деформаційний стан локальних ділянок кристала синтетичного алмазу, отриманого методом температурного градієнта в системі Fe–Al–C нарощуванням на монокристал алмазу, синтезованого у системі Ni–Mn–C. Побудовано характеристичні поверхні тензорів та еліпсоїди деформацій, проаналізовано особливості їх розподілу по кристалу. Діагональні компоненти тензора визначали зі змін розподілів інтенсивності окремих смуг, інші компоненти – зі зміщення осей зон відносно їх положень на еталонній картині Кікучі. Предложен способ определения компонент тензора деформаций по анализу распределений интенсивности обратно рассеянных электронов на картинах Кикучи. Исследовано деформационное состояние локальных участков кристалла искусственного алмаза, полученного методом температурного градиента в системе Fe–Al–C наращиванием на монокристалл алмаза, синтезированного в системе Ni–Mn–C. Построено характеристические поверхности тензоров и эллипсоиды деформаций, проанализированы особенности их распределения по кристаллу. Диагональные компоненты тензора определяли по изменению распределений интенсивности отдельных полос, другие компоненты – по смещению осей зон относительно их положений на эталонной картине Кикучи. The authors put forward a procedure of determination of strain tensor components through the analysis of distribution of intensity of back-scattered electrons in Kikuchi patterns. The strain state has been studied in local areas of a synthetic diamond crystal produced by the temperature gradient method in the Fe–Al–C system through growing onto a diamond single crystal synthesized in the Ni–Mn–C system. Characteristic surfaces of the strain tensors and strain ellipsoids have been plotted; special features of strain distribution in the crystal have been analyzed. Diagonal tensor components have been determined from the changes of distributions of intensity of individual bands, the other components have been found from the displacements of axes of zones relative to their positions in the standard Kikuchi pattern.