Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана

• Published in: Сверхтвердые материалы
• Date: 2016
• Main Authors: Ивженко, В.В., Кайдаш, О.Н., Сарнавская, Г.Ф., Дуб, С.Н., Ткач, В.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2016
• Subjects: Получение, структура, свойства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143860
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана / В.В. Ивженко, О.Н. Кайдаш, Г.Ф. Сарнавская, С.Н. Дуб, В.Н. Ткач // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 5. — С. 25-34. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Исследованы особенности спекания под давлением материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана. Установлены кинетические параметры процесса уплотнения. Изучены особенности структуры и уровень физико-механических свойств горячепрессованных материалов системы SiC–(8–20) % (по массе) (В₄С–ТiС). Получены плотные материалы на основе карбида кремния с повышенной (3,8 МПа·м¹/²) трещиностойкостью и низким (0,07 Ом·м) электросопротивлением. Досліджено особливості спікання під тиском матеріалів на основі карбіду кремнію з добавками карбідів бору і титану. Встановлено кінетичні параметри процесу ущільнення. Вивчено особливості структури і рівень фізико-механічних властивостей гарячепресованих матеріалів системи SiC–(8–20 % (за масою) (В₄С–ТiС). Отримано щільні матеріали на основі карбіду кремнію з підвищеною (3,8 МПа·м¹/²) тріщиностійкістю і низьким (0,07 Ом·м) електроопором. The features of pressure sintering materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides have been researched. The kinetic parameters of the densification process were established. The peculiarities of the structure and the level of physical–mechanical properties of hot pressed materials of SiC–(8–20) wt% (B₄C–TiC) were studied. The dense SiC-materials with high fracture toughness of 3.8 MPa·m¹/² and low electrical resistance 0.07 Ohm·m were obtained.