Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана
Исследованы особенности спекания под давлением материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана. Установлены кинетические параметры процесса уплотнения. Изучены особенности структуры и уровень физико-механических свойств горячепрессованных материалов системы SiC–(8–20) % (по м...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143860 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана / В.В. Ивженко, О.Н. Кайдаш, Г.Ф. Сарнавская, С.Н. Дуб, В.Н. Ткач // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 5. — С. 25-34. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-143860 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ивженко, В.В. Кайдаш, О.Н. Сарнавская, Г.Ф. Дуб, С.Н. Ткач, В.Н. 2018-11-14T20:17:30Z 2018-11-14T20:17:30Z 2016 Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана / В.В. Ивженко, О.Н. Кайдаш, Г.Ф. Сарнавская, С.Н. Дуб, В.Н. Ткач // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 5. — С. 25-34. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0203-3119 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143860 621.762.4 Исследованы особенности спекания под давлением материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана. Установлены кинетические параметры процесса уплотнения. Изучены особенности структуры и уровень физико-механических свойств горячепрессованных материалов системы SiC–(8–20) % (по массе) (В₄С–ТiС). Получены плотные материалы на основе карбида кремния с повышенной (3,8 МПа·м¹/²) трещиностойкостью и низким (0,07 Ом·м) электросопротивлением. Досліджено особливості спікання під тиском матеріалів на основі карбіду кремнію з добавками карбідів бору і титану. Встановлено кінетичні параметри процесу ущільнення. Вивчено особливості структури і рівень фізико-механічних властивостей гарячепресованих матеріалів системи SiC–(8–20 % (за масою) (В₄С–ТiС). Отримано щільні матеріали на основі карбіду кремнію з підвищеною (3,8 МПа·м¹/²) тріщиностійкістю і низьким (0,07 Ом·м) електроопором. The features of pressure sintering materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides have been researched. The kinetic parameters of the densification process were established. The peculiarities of the structure and the level of physical–mechanical properties of hot pressed materials of SiC–(8–20) wt% (B₄C–TiC) were studied. The dense SiC-materials with high fracture toughness of 3.8 MPa·m¹/² and low electrical resistance 0.07 Ohm·m were obtained. ru Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Сверхтвердые материалы Получение, структура, свойства Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана |
| spellingShingle |
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана Ивженко, В.В. Кайдаш, О.Н. Сарнавская, Г.Ф. Дуб, С.Н. Ткач, В.Н. Получение, структура, свойства |
| title_short |
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана |
| title_full |
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана |
| title_fullStr |
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана |
| title_full_unstemmed |
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана |
| title_sort |
получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана |
| author |
Ивженко, В.В. Кайдаш, О.Н. Сарнавская, Г.Ф. Дуб, С.Н. Ткач, В.Н. |
| author_facet |
Ивженко, В.В. Кайдаш, О.Н. Сарнавская, Г.Ф. Дуб, С.Н. Ткач, В.Н. |
| topic |
Получение, структура, свойства |
| topic_facet |
Получение, структура, свойства |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Сверхтвердые материалы |
| publisher |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| format |
Article |
| description |
Исследованы особенности спекания под давлением материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана. Установлены кинетические параметры процесса уплотнения. Изучены особенности структуры и уровень физико-механических свойств горячепрессованных материалов системы SiC–(8–20) % (по массе) (В₄С–ТiС). Получены плотные материалы на основе карбида кремния с повышенной (3,8 МПа·м¹/²) трещиностойкостью и низким (0,07 Ом·м) электросопротивлением.
Досліджено особливості спікання під тиском матеріалів на основі карбіду кремнію з добавками карбідів бору і титану. Встановлено кінетичні параметри процесу ущільнення. Вивчено особливості структури і рівень фізико-механічних властивостей гарячепресованих матеріалів системи SiC–(8–20 % (за масою) (В₄С–ТiС). Отримано щільні матеріали на основі карбіду кремнію з підвищеною (3,8 МПа·м¹/²) тріщиностійкістю і низьким (0,07 Ом·м) електроопором.
The features of pressure sintering materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides have been researched. The kinetic parameters of the densification process were established. The peculiarities of the structure and the level of physical–mechanical properties of hot pressed materials of SiC–(8–20) wt% (B₄C–TiC) were studied. The dense SiC-materials with high fracture toughness of 3.8 MPa·m¹/² and low electrical resistance 0.07 Ohm·m were obtained.
|
| issn |
0203-3119 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143860 |
| citation_txt |
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана / В.В. Ивженко, О.Н. Кайдаш, Г.Ф. Сарнавская, С.Н. Дуб, В.Н. Ткач // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 5. — С. 25-34. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ivženkovv polučenieisvoistvagorâčepressovannyhmaterialovnaosnovekarbidakremniâsdobavkamikarbidovboraititana AT kaidašon polučenieisvoistvagorâčepressovannyhmaterialovnaosnovekarbidakremniâsdobavkamikarbidovboraititana AT sarnavskaâgf polučenieisvoistvagorâčepressovannyhmaterialovnaosnovekarbidakremniâsdobavkamikarbidovboraititana AT dubsn polučenieisvoistvagorâčepressovannyhmaterialovnaosnovekarbidakremniâsdobavkamikarbidovboraititana AT tkačvn polučenieisvoistvagorâčepressovannyhmaterialovnaosnovekarbidakremniâsdobavkamikarbidovboraititana |
| first_indexed |
2025-11-26T17:50:31Z |
| last_indexed |
2025-11-26T17:50:31Z |
| _version_ |
1850766232359272448 |
| fulltext |
ISSN 0203-3119. Сверхтвердые материалы, 2016, № 5 25
УДК 621.762.4
В. В. Ивженко*, О. Н. Кайдаш, Г. Ф. Сарнавская,
С. Н. Дуб, В. Н. Ткач
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля
НАН Украины, г. Киев, Украина
*ivv@ism.kiev.ua
Получение и свойства горячепрессованных
материалов на основе карбида кремния
с добавками карбидов бора и титана
Исследованы особенности спекания под давлением материалов
на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана. Установлены
кинетические параметры процесса уплотнения. Изучены особенности структу-
ры и уровень физико-механических свойств горячепрессованных материалов
системы SiC–(8–20) % (по массе) (В4С–ТiС). Получены плотные материалы на
основе карбида кремния с повышенной (3,8 МПа·м1/2) трещиностойкостью и
низким (0,07 Ом·м) электросопротивлением.
Ключевые слова: карбид кремния, карбид бора, карбид титана,
спекание под давлением, предел прочности при изгибе, трещиностойкость,
электросопротивление.
ВВЕДЕНИЕ
Керамические материалы на основе карбида кремния обла-
дают высокой твердостью, низким удельным весом, повышенной коррозион-
ной и химической стойкостью, низким коэффициентом трения. Эти свойства
определяют высокую износостойкость изделий (насадок, сопел, фильер) в
условиях абразивного износа. Материалы на основе карбида кремния успеш-
но применяются для пар трения, торцевых уплотнений в насосах, перекачи-
вающих различные жидкости и работающих в условиях абразивных и агрес-
сивных сред.
Получение плотных изделий методом горячего прессования из технически
чистых порошков карбида кремния затруднительно из-за их незначительной
пластичности даже при температуре 2000 °С [1, 2]. Уплотнение этих порош-
ков при горячем прессовании происходит только при температурах, близких
к точке термической диссоциации карбида кремния (Т = 2700 °С), а также
при использовании высокодефектних частиц SiС или при введении металли-
ческих примесей, образующих жидкую фазу [3]. Установлено, что из порош-
ков α-SiС можно получить изделия с пористостью 1–5 % только при прессо-
вании в условиях воздействия температуры 2530 °С и давления до 75 МПа.
Использование высокодефектних частиц карбида кремния, полученных при
температуре 1450 °С, дает возможность снизить температуру прессования до
2370 °С, а давление до 42 МПа. Уплотнение при таких температурах проис-
ходит за счет частичного разложения карбида кремния с образованием не-
большого количества расплава кремния [4].
Влияние примесей аморфного бора, карбида бора, молибдена и дисилици-
да молибдена на уплотнение порошков карбида кремния при температурах
© В. В. ИВЖЕНКО, О. Н. КАЙДАШ, Г. Ф. САРНАВСКАЯ, С. Н. ДУБ, В. Н. ТКАЧ, 2016
www.ism.kiev.ua/stm 26
2140–2170 °С было исследовано в [3]. Показано, что примесь аморфного бора
в количестве 10–20 %1 является наиболее эффективной для прессования
плотных образцов (пористость – 3–4 %) из порошков с размером частиц
60 мкм при давлении 100 МПа. Также было показано, что оптимальное со-
держание аморфного бора и алюминия в шихте, использованной для горячего
прессования при температуре 2150 °С и давлении 45 МПа, составляет соот-
ветственно 1 и 5 %. Установлено, что уплотнение карбида кремния в присут-
ствии бора и алюминия происходит за счет образования жидкой фазы на гра-
ницах зерен карбида кремния [3]. С использованием метода горячего прессо-
вания была разработана промышленная технология производства изделий из
материала на основе SіС и В4С. Основной структурной составляющей явля-
ются кристаллы карбида кремния округлой формы (твердый раствор полити-
пов 6Н–SіС в 4Н–SіС), связанные эвтектикой Sі–В–С [3]. В [5] в качестве
активаторов при спекании карбида кремния использовали С и В. Бор вводили
в элементарной форме, в виде B4C или SiВ6. Полученные экспериментальные
данные показывают, что бор способствует уплотнению при температурах
1900–2100 °С.
Влияние углерода и бора на спекание промышленного порошка карбида
кремния с удельной поверхностью 15,7 м2/г исследовано в [6]. Установлено,
что добавки углерода (без бора) способствуют незначительному уплотнению.
Содержание углерода 1,5–3,0 % является эффективным для задержки роста
зерен SіС. Добавки бора способствуют росту зерен и в образцах с высоким
содержанием бора наблюдается структура с удлиненными зернами длиной до
40 мкм. Эти исследования подтверждаются современными работами [7, 8].
При спекании SіС–С в температурном интервале 1000–2200 °С, присутствие
до 16 % углерода тормозит процессы массопереноса и для уплотнения он
неэффективен, однако его наличие предотвращает рост зерна карбида крем-
ния в процессе спекания [7]. Растворимость бора в α-SiC не превышает 0,2 %
при 2500 °С [8]. По наблюдениям за микроструктурой одновременное при-
сутствие углерода (3 %) и бора (0,5 %) активирует процесс спекания и спо-
собствует удалению пор, вероятно, вследствие образования жидкой фазы Sі–
В–С.
В системе SіС–В4С поверхности раздела SіС/В4С подавляют рост зерна
SіС и затрудняют трансформационное превращение исходного политипа 6Н-
SіС в политип 4Н-SіС [9].
Добавки полиборосилазана были выбраны в качестве прекурсора SіВСN и
их подвергали пиролизу при 1000 °С в инертной атмосфере перед использо-
ванием [10]. Благодаря этому возрасла зернограничная диффузия элементов
В и С из SіВСN, что, в свою очередь, позволило снизить температуру горяче-
го прессования SіС–SіВСN до 1830 °С и за 90 мин получить полностью плот-
ную керамику.
Формирование дисперсно-упрочненной керамики при горячем прессова-
нии системы (SіС–C)–32Al2O3–8Y2O3 (из-за эффекта упрочнения наночасти-
цами твердого раствора углерода в β-SіС) и системы (SіС–С)–24TiH2–40Al2O3
(из-за эффекта упрочнения наночастицами нестехиометрического карбида
титана) установлено в [11].
Для получения плотной керамики в системах SіС–TiB2 и SiC–ZrB2, в кото-
рые для активации процесса спекания вводили до 15 % (по объему) В4С, тре-
буется температура 2150 °С и изотермическая выдержка более 60 мин. [12].
1 Здесь и далее содержание добавок приведено в % (по массе).
ISSN 0203-3119. Сверхтвердые материалы, 2016, № 5 27
Введение диборида титана до 20–30 % (по объему) сопровождается улучше-
нием всех механических свойств при комнатной температуре (повышение
твердости по Виккерсу НV с 21 до 26 ГПа, предела прочности при изгибе Rbm
со 150 до 530 МПа, трещиностойкости KIс с 2,7 до 7,5 МПа·м1/2). С дальней-
шим увеличением содержания TiB2 прочность падает из-за снижения относи-
тельной плотности и увеличения структурной неоднородности. При высоких
температурах свойства определяются примесным составом – керамика, полу-
ченная из SіС-порошков абразивного назначения теряет прочность с 600 °С, а
порошки со сниженным содержанием примесей (производства фирмы
“Stark”, Германия) позволяют сохранить прочность материала до 1400 °С.
В качестве второй упрочняющей фазы в материалах системы SіС–Al2O3–
Y2O3 часто используют также карбид титана TiС [13, 14] или нитрид титана
TiN [15]. Именно присутствие частиц карбида титана изменяет морфологию
зерен SіС – затрудняет рост удлиненных частиц и обеспечивает формирова-
ние более равноосных зерен карбида кремния [14]. Наличие в структуре кар-
бида титана приводит к возрастанию трещиностойкости керамики, вследст-
вие преобладания упрочняющего механизма, такого как отклонение трещин в
удлиненных α-SiC зернах толщиной до 2,5 мкм [16]. Небольшие количества
нитрида титана (до 10 % (по объему)) позволяют значительно повысить
прочность до 599 МПа и трещиностойкость до 6,2 МПа·м1/2 [15].
Целью работы было исследование процессов спекания под давлением ма-
териалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана,
особенностей формирования их структуры и ее взаимосвязи с физико-
механическими свойствами.
МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Для исследования использовали порошок α-SiC марки М5 производства
Запорожского абразивного комбината (Украина) со средним размером частиц
~5 мкм (рис. 1, а). Исходный порошок содержал не менее 98,0 % SiC, не бо-
лее 0,2 % Fe, 1,5 % О и 0,4 % Ссвоб. В качестве активатора уплотнения карби-
да кремния использовали карбид бора производства Донецкого завода хими-
ческих реактивов со средним размером частиц 0,5–2 мкм (рис. 1, б). Содер-
жание порошка B4C (ТУ6-09-668–76) в исходной шихте составляло 8 %. В
качестве добавки использовали 5–15 % порошка TiC (ТУ 88 УССР ИСМ 689–
79) со средним размером частиц 4 мкм.
а
б
Рис. 1. Микроснимки частиц исходных порошков: SiC (а), B4C (б).
Технология горячего прессования является основной при получении вы-
сокопрочных изделий из SiС. Варьируя параметры процесса горячего прессо-
www.ism.kiev.ua/stm 28
вания, можно получать материалы с различной пористостью и структурой.
Для этого изучают кинетику уплотнения материалов при спекании – зависи-
мость усадки Δl/l от температуры, давления и продолжительности выдержки.
Для описания кинетики уплотнения применяли уравнение скоростей топохи-
мических реакций Аврами-Ерофеева, которое можно использовать для спе-
кания, если рассматривать уплотнение как реакцию исчезновения пор:
F =1 – exp(–ktn),
где F – степень превращения, равная F = (l0 – lt)/(l0 – ld), в которой l0, lt, ld –
соответственно начальная, текущая и конечная усадка; t – время; k – констан-
та скорости уплотнения; n – константа времени уплотнения.
Горячее прессование образцов проводили в графитовых прессформах при
температурах 1980–2080 ºС под давлением 30 МПа.
Исследования поверхности изломов и шлифов проводились на сканирую-
щем растровом электронном микроскопе Zeiss EVO 50 XVP. Рельеф поверх-
ности изучали с использованием SE-детектора вторичных электронов (кон-
траст рельефа), а распределение фаз на поверхности шлифа получали с ис-
пользованием детектора фазового контраста SZ BSD.
Предел прочности при изгибе Rbm определяли на универсальной испыта-
тельной машине Р5 методом трехточечного изгиба на призматических образ-
цах размером 5×3,5×40 мм с расстоянием между опорами 30 мм. Скорость
нагружения составляла 6,5·10–5 м/с. Измерение твердости по Виккерсу HV
(при нагрузке 150 Н) проводили на цифровом микротвердомере Matsuzawa
МХТ70. Отпечаток пирамидки изучали на оптическом микроскопе NU-2E
производства фирмы “Сarl Zeiss” при 750-кратном увеличении. Определение
трещиностойкости (вязкости разрушения KIс) проводили по методу Еванса-
Чарльза по длине радиальных трещин с углов отпечатка индентора Виккерса.
Удельное электросопротивление материалов определяли на образцах раз-
мером 5×5×15 мм четырехточечным методом на постоянном токе [17].
Ошибка измерений не превышала 10 %.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
Зависимости уплотнения карбида кремния при температурах спекания
1980, 2080 °С, и материалов на основе карбида кремния состава SiC–8В4С,
SiC–5В4С–10ТiС при температуре спекания 2080 °С от времени спекания под
давлением представлены на рис. 2. Зависимость параметра спекания от вре-
мени спекания под давлением приведена на рис. 3. Для изучения кинетики
спекания под давлением карбида кремния, материалов на основе карбида
кремния построены графики в координатах ln[–ln(1–F)] и lnt (рис. 4). Они
представляют собой прямые ломаные линии, которые характеризуются раз-
ным углом наклона и, соответственно, разными значениями кинетических
параметров n и k.
Процесс уплотнения может быть разделен на две стадии, которые отлича-
ются механизмом массопереноса. При спекании карбида кремния при темпе-
ратуре 1980 ºС первая стадия протекает ~ 35 мин, вторая стадия сопровожда-
ется замедленным уплотнением, которое заканчивается при изотермической
выдержке 5 мин. При спекании карбида кремния, материалов на основе кар-
бида кремния состава SiC–8В4С, SiC–5В4С–10ТiС при температуре 2080 °С
первая стадия протекает ~ 25 мин, в течение которой происходит начальное
уплотнение; вторая стадия сопровождается замедленным уплотнением, кото-
рое заканчивается при изотермической выдержке 35 мин.
ISSN 0203-3119. Сверхтвердые материалы, 2016, № 5 29
50
40
30
20
10
0 10 20 30 40 50
4
3
2
1
t, мин
Δl
/l
, %
Рис. 2. Зависимость усадки Δl/l от температуры и времени спекания под давлением
30 МПа карбида кремния и материалов на его основе: SiС, Тсп = 1980 °С (1); SiC, Тсп =
2080 °С (2); SiC–8В4С, Тсп = 2080 °С (3); SiC–5В4С–10ТiС, Тсп = 2080 °С (4).
0 10 20 30 40 50
0,2
0,4
0,6
0,8
4
3
2
1
F
t, мин
Рис. 3. Зависимость параметра спекания F от времени спекания под давлением 30 МПа
карбида кремния и материалов на его основе: SiС, Тсп = 1980 °С (1); SiC, Тсп = 2080 °С (2);
SiC–8В4С, Тсп = 2080 °С (3); SiC–5В4С–10ТiС, Тсп = 2080 °С (4).
4 5 6 7 8
–2
–1
0
1
2
lnt
4
3
2
1
ln
[–
ln
(1
–
F
)]
Рис. 4. Зависимость логарифма параметра спекания ln[–ln(1–F)] от логарифма времени lnt
для определения кинетических параметров k и n спекания карбида кремния и материалов
на его основе: SiС, Тсп = 1980 °С (1); SiC, Тсп = 2080 °С (2); SiC–8В4С, Тсп = 2080 °С (3);
SiC–5В4С–10ТiС, Тсп = 2080 °С (4).
www.ism.kiev.ua/stm 30
Значения кинетических параметров процесса уплотнения k и n приведены
в табл. 1.
Таблица 1. Кинетические параметры процесса уплотнения k и n
при спекании под давлением 30 МПа карбида кремния, материалов
на основе карбидов кремния, бора и титана
1 стадия 2 стадия Состав, % (по массе)
k n k n
SiC (Тсп = 1980 °С) 0,09 0,1 0,01 0,5
SiC (Тсп = 2080 °С) 0,21 0,1 0,01 0,5
SiC–8В4С (Тсп = 2080 °С) 0,30 0,1 0,05 0,5
SiC–5В4С–10ТiC (Тсп = 2080 °С) 0,21 0,1 0,02 0,4
Исследования показали, что увеличение температуры горячего прессова-
ния карбида кремния с 1980 до 2080 °С активируют процесс уплотнения на
первой и второй стадиях, при этом пористость исходного материала умень-
шается с 25 до 10 %. Добавка карбида бора активирует процесс уплотнения
карбида кремния на первой и второй стадиях, что связано с появленим жид-
кой фазы в виде эвтектики Si–В–C [3]. Добавка карбида титана дезактивирует
процесс уплотнения карбида кремния на первой и второй стадиях, пористость
материала увеличивается с 3 % (материал SiС–8B4C) до 6 % (материал SiC–
5В4С–10ТiC). Известно [18], что при температуре более 1800 ºС бориды бо-
лее термодинамически стабильны, чем карбиды, в результате чего происхо-
дит обменная реакция. В [19] в микроструктуре композита В4С–TiВ2, полу-
ченного реакционным спеканием смеси В4С–TiC, на межфазных поверхно-
стях В4С–В4С, TiВ2–TiВ2 зафиксировано осаждение прослоек углерода. Де-
зактивация уплотнения, на наш взгляд, связана с уменьшением количества
жидкой фазы в виде эвтектики Si–В–С из-за взаимодействия карбидов бора и
титана на межзеренных границах с образованием диборида титана и свобод-
ного углерода согласно реакции
B4C + TiC → TiB2 + Cсвоб.
Как показали микроструктурные исследования, структура материала со-
стоит из серых зерен матричной фазы карбида кремния и светлых включений
диборида титана, карбида титана (рис. 5).
В табл. 2 представлены результаты микрорентгеноспектрального анализа
материала SiС–5B4C–10TiС.
10 мкм
а
б
Рис. 5. Изображение шлифа материала системы SiС–5B4C–10TiС во вторичных электронах
(а) и в характеристическом излучении титана (б), кремния (в).
ISSN 0203-3119. Сверхтвердые материалы, 2016, № 5 31
с
Рис. 5. (Продолжение).
Таблица 2. Результаты микрорентгеноспектрального анализа
материала SiС–5B4C–10TiС
Содержание элементов, % (по массе) № спектра Фаза
Si С В О Ti
1 В4С 2,09 29,23 64,49 4,19 –
2 TiB2 1,52 – 27,65 – 70,83
3 SiС 64,83 32,31 – 2,86 –
4 15,06 17,82 36,09 – 31,03
5 7,90 14,76 36,57 – 40,77
6 SiС 68,88 30,66 – – 0,46
7 SiС 69,61 30,39 – – –
На рис. 6 представлены зависимости предела прочности при изгибе и
трещиностойкости материалов системы SiC–В4С–ТiС от концентрации до-
бавки карбида титана. В исследуемом интервале содержания ТiС предел
прочности при изгибе изменяется незначительно (350–370 МПа), но трещи-
ностойкость увеличивается на 20 % с 3,2 до 3,8 МПа·м1/2. Повышение вязко-
сти происходит в результате увеличения энергии разрушения материала.
0 5 10 15
100
200
300
400
500
3
4
5
R
bm
, МПа
TiC, % (по массе)
2
1
K
Ic
, МПа м
1/2
Рис. 6. Зависимость предела прочности при изгибе Rbm (1) и трещиностойкости KIc (2)
горячепрессованных материалов системы SiС–5B4C–TiС от концентрации добавки карби-
да титана.
www.ism.kiev.ua/stm 32
Включения диборида и карбида титана, образуя напряженное состояние в
материале за счет разницы коэффициента термического расширения с мат-
ричной фазой на основе SiC и В4С, препятствуют развитию трещины и уве-
личивают площадь поверхности разрушения [11, 20]. На рис. 7 представлена
микроструктура поверхности излома материала SiC–5В4С–10ТiС. Включения
диборида и карбида титана на изломе выглядят как светлая фаза размером 1–
7 мкм, которая находится между серыми зернами карбида кремния. Карбид
бора находится в виде черных зерен в матричной фазе. Анализ поверхности
разрушения исследуемого материала показывает, что происходит как транс-
кристаллитное, так и интеркристаллитное разрушение.
Рис. 7. Микроструктура поверхности излома керамического материала SiC–5В4С–10ТiС.
На рис. 8 представлена зависимость удельного электросопротивления об-
разцов горячепрессованных материалов систем SiС–B4C–TiС от концентра-
ции электропроводной добавки TiС в исходной шихте. Исследования показа-
ли, что достаточная для электроискровой обработки электропроводность
материалов достигается при введении 15 % TiС. При этой концентрации кар-
бида титана удельное электросопротивление горячепрессованного материала
системы SiС–B4C–TiС составляет 0,07 Ом·м.
5 10 15
10
–1
10
0
10
1
10
2
ρ, Ом⋅м
TiC, % (по массе)
Рис. 8. Зависимость удельного электросопротивления образцов горячепресованных мате-
риалов системы SiC–5B4C–TiС от концентрации электропроводной добавки TiС.
ISSN 0203-3119. Сверхтвердые материалы, 2016, № 5 33
ВЫВОДЫ
Исследованы особенности спекания под давлением материалов на основе
карбида кремния с добавками карбидов бора и титана. Установлены кинети-
ческие закономерности спекания под давлением материалов системы SiC–
В4С–ТiC. Добавки карбида титана дезактивируют процесс уплотнения карби-
да кремния. Пористость материала увеличивается с 3 % (SiС–8B4C) до 6 %
(SiС–5B4C–15TiС.).
Исследовано изменение электрофизических и механических свойств ма-
териалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана в
зависимости от их состава. Установлено, что удельное электросопротивление
материалов уменьшается с 25 до 0,07 Ом·м при увеличении содержания TiС с
5 до 15 %.
Установлено, что трещиностойкость материалов повышается на 20 % до
3,8 МПа·м1/2 при увеличении содержания TiС до 15 %.
Досліджено особливості спікання під тиском матеріалів на основі кар-
біду кремнію з добавками карбідів бору і титану. Встановлено кінетичні параметри
процесу ущільнення. Вивчено особливості структури і рівень фізико-механічних властиво-
стей гарячепресованих матеріалів системи SiC–(8–20 % (за масою) (В4С–ТiС). Отримано
щільні матеріали на основі карбіду кремнію з підвищеною (3,8 МПа·м1/2) тріщиностійкіс-
тю і низьким (0,07 Ом·м) електроопором.
Ключові слова: карбід кремнію, карбід бору, карбід титану, спікання
під тиском, межа міцності при згинанні, тріщиностійкість, електроопір.
The features of pressure sintering materials based on silicon carbide with
additions of boron and titanium carbides have been researched. The kinetic parameters of the
densification process were established. The peculiarities of the structure and the level of physi-
cal–mechanical properties of hot pressed materials of SiC–(8–20) wt% (B4C–TiC) were studied.
The dense SiC-materials with high fracture toughness of 3.8 MPa·m1/2 and low electrical
resistance 0.07 Ohm·m were obtained.
Keywords: silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, sintering under
pressure, flexural strength, fracture toughness, electrical resistance.
1. Гнесин Г. Г. Карбидокремниевые материалы. – М.: Металлургия, 1977. – 216 с.
2. Kriegesmann J. Comprehensive hard materials. 2.04 – Processing of Silicon Carbide-Based
Ceramics. Section II: Synthesis and Processing / Ed. V. K. Sarin. – Elsevier, 2014. – Vol. 2.
Ceramics. – P. 89–175.
3. Гаршин А. П., Карлин В. В., Олейник Г. С., Островерхов В. И. Конструкционные
карбидокремниевые материалы. – Л.: Машиностроение, 1975. – 152 с.
4. Косолапова Т. Я., Андреева Т. В., Бартницкая Т. С. и др. Неметаллические тугоплавкие
соединения. – М.: Металлургия, 1985. – 224 с.
5. Prochaska S., Scanlan R. M. Effect of boron and carbon on sintering of SiC // J. Amer. Ceram.
Soc. – 1975. – 58, N 1–2. – P. 72.
6. Lange F. F., Gupta T. K. Sintering of SiC with boron compounds // Ibid. – 1976. – 59. –
P. 537–638.
7. Stobierski L., Gubernat A. Sintering of silicon carbide I. Effect of carbon // Ceram. Int. – 2003.
– 29, N 3. – P. 287–292.
8. Stobierski L., Gubernat A. Sintering of silicon carbide II. Effect of boron // Ibid. – 2003. – 29,
N 4. – P. 355–361.
9. Williams T., Yeomans J., Smith P. et al. Effect of interfacial area on densification and micro-
structural evolution in silicon carbide–boron carbide particulate composites // J. Mater. Sci. –
2016. – 51. – P. 353–361.
10. Lu B., Zhang Y. Densification behavior and microstructure evolution of hot-pressed SiC–
SiBCN ceramics // Ceram. Int. – 2015. – 41, N 7. – P. 8541–8551.
11. Гадзыра Н. Ф., Гнесин Г. Г., Михайлик А. А. Механизм образования твердого раствора
углерода в карбиде кремния // Порошк. металлургия. – 2001. – № 9/10. – С. 90–97.
www.ism.kiev.ua/stm 34
12. Григорьев О. Н., Гогоци Г. А., Гогоци Ю. Г. и др. Получение и свойства керамики
системы SiC–B4C–MeB2 // Там же. – 2000. – № 5/6. – С. 29–42.
13. Kim Y.-W., Lee S.-G., Lee Y.-I. Pressureless sintering of SiC–TiC composites with improved
fracture toughness // J. Mater. Sci. – 2000. – 35, N 22. – P. 5569–5574.
14. Ahmoye D., Krstic V. D. Reaction sintering of SiC composites with in situ converted TiO2 to
TiC // Ibid. – 2015. – 50, N 7. – P. 2806–2812.
15. Kim K. M., Jang S. H., Kim Y.-W., Seo W.-S. Thermal and mechanical properties of SiC–
TiC0.5N0.5 composites // J. Amer. Ceram. Soc. – 2014. – 98, N 2. – P. 616–623.
16. Lee Y.-I., Kim Y.-W. Toughening mechanisms in SiC–TiC composites // JCS Japan. – 2004. –
112, N 1301. – P. 18–21.
17. Глазов В. М., Охотин А. С. Методы исследования термоэлектрических свойств
полупроводников. – М.: Атомиздат, 1969. – 174 с.
18. Кислый П. С., Кузенкова М. А., Боднарук Н. И., Грабчук Б. Л. Карбид бора. – К.: Наук.
думка, 1988. – 213 с.
19. Niihara K., Nakahira A., Hirai T. The Effect of stoichiometry on mechanical properties of
boron carbide // J. Amer. Ceram. Soc. – 2006. – 67, N 1. – P. 13–14.
20. Эванс А. Г., Ленгдон Т. Г. Конструкционная керамика. – М.: Металлургия, 1980. –
256 с.
Поступила 20.01.16
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /None
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Warning
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Off
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.1000
/ColorConversionStrategy /LeaveColorUnchanged
/DoThumbnails true
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams true
/MaxSubsetPct 100
/Optimize false
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments false
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Remove
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages false
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth 8
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /FlateEncode
/AutoFilterColorImages false
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages false
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth 8
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /FlateEncode
/AutoFilterGrayImages false
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages false
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile (None)
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/CreateJDFFile false
/Description <<
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000500044004600206587686353ef901a8fc7684c976262535370673a548c002000700072006f006f00660065007200208fdb884c9ad88d2891cf62535370300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef653ef5728684c9762537088686a5f548c002000700072006f006f00660065007200204e0a73725f979ad854c18cea7684521753706548679c300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/DAN <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>
/DEU <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>
/ESP <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>
/FRA <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>
/ITA <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>
/JPN <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>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020b370c2a4d06cd0d10020d504b9b0d1300020bc0f0020ad50c815ae30c5d0c11c0020ace0d488c9c8b85c0020c778c1c4d560002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken voor kwaliteitsafdrukken op desktopprinters en proofers. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <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>
/PTB <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>
/SUO <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>
/SVE <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>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents for quality printing on desktop printers and proofers. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
/RUS ()
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /NoConversion
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /NA
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure true
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles true
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /NA
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /LeaveUntagged
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|