Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
Наведено результати вольт-амперометричних досліджень Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію. Показано, що на поверхні досліджених електродів з продуктів йонізації металів формується перехідний гідроксо-оксидний шар, який гальмує швидкість розчинення металів. Інтерметалідний сплав GaS...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | Омельчук, А.О., Ускова, Н.М., Близнюк, А.В., Мніх, В.М. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/14424 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію / А.О. Омельчук, Н.М. Ускова, А.В. Близнюк, В.М. Мніх // Украинский химический журнал. — 2008. — Т. 74, № 1. — С. 51-55. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008) -
GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017) -
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)