Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение

• Published in: Металлофизика и новейшие технологии
• Date: 2018
• Main Authors: Фодчук, И.М., Заплитный, Р.А., Роман, Ю.Т., Молодкин, В.Б., Владимирова, Т.П., Свянтек, З.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
• Subjects: Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146072
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение / И.М. Фодчук, Р.А. Заплитный, Ю.Т. Роман, В.Б. Молодкин, Т.П. Владимирова, З. Свянтек // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 5. — С. 561-583. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.

Показаны прикладные возможности использования модифицированного топографического метода Берга–Баррета в косоасимметричной схеме дифракции рентгеновских лучей на отражение при исследовании морфологии и структурных изменений вблизи поверхности кристаллов. Контролируемое изменение экстинкционной глубины проникновения рентгеновских лучей открывает новые возможности исследования структурных изменений в полупроводниковых материалах после различных внешних воздействий. Показано прикладні можливості використання модифікованої топографічної методи Берґа–Баррета в косоасиметричній схемі дифракції Рентґенових променів на відбивання при дослідженні морфології та структурних змін поблизу поверхні кристалів. Контрольована зміна екстинкційної глибини проникнення Рентґенових променів відкриває нові можливості дослідження структурних змін у напівпровідникових матеріялах після різних зовнішніх впливів. The applied capabilities of use of modified Berg–Barrett topographic method in the skew-asymmetric x-ray Bragg diffraction setup for the study of morphology and structural changes near crystal surface are shown. A controlled change in the extinction depth of x-ray penetration opens up new possibilities for investigation of structural changes in semiconductor materials after various external influences.