Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение

Показаны прикладные возможности использования модифицированного топографического метода Берга–Баррета в косоасимметричной схеме дифракции рентгеновских лучей на отражение при исследовании морфологии и структурных изменений вблизи поверхности кристаллов. Контролируемое изменение экстинкционной глубин...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Металлофизика и новейшие технологии
Date:2018
Main Authors: Фодчук, И.М., Заплитный, Р.А., Роман, Ю.Т., Молодкин, В.Б., Владимирова, Т.П., Свянтек, З.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146072
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение / И.М. Фодчук, Р.А. Заплитный, Ю.Т. Роман, В.Б. Молодкин, Т.П. Владимирова, З. Свянтек // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 5. — С. 561-583. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862720378307084288
author Фодчук, И.М.
Заплитный, Р.А.
Роман, Ю.Т.
Молодкин, В.Б.
Владимирова, Т.П.
Свянтек, З.
author_facet Фодчук, И.М.
Заплитный, Р.А.
Роман, Ю.Т.
Молодкин, В.Б.
Владимирова, Т.П.
Свянтек, З.
citation_txt Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение / И.М. Фодчук, Р.А. Заплитный, Ю.Т. Роман, В.Б. Молодкин, Т.П. Владимирова, З. Свянтек // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 5. — С. 561-583. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Металлофизика и новейшие технологии
description Показаны прикладные возможности использования модифицированного топографического метода Берга–Баррета в косоасимметричной схеме дифракции рентгеновских лучей на отражение при исследовании морфологии и структурных изменений вблизи поверхности кристаллов. Контролируемое изменение экстинкционной глубины проникновения рентгеновских лучей открывает новые возможности исследования структурных изменений в полупроводниковых материалах после различных внешних воздействий. Показано прикладні можливості використання модифікованої топографічної методи Берґа–Баррета в косоасиметричній схемі дифракції Рентґенових променів на відбивання при дослідженні морфології та структурних змін поблизу поверхні кристалів. Контрольована зміна екстинкційної глибини проникнення Рентґенових променів відкриває нові можливості дослідження структурних змін у напівпровідникових матеріялах після різних зовнішніх впливів. The applied capabilities of use of modified Berg–Barrett topographic method in the skew-asymmetric x-ray Bragg diffraction setup for the study of morphology and structural changes near crystal surface are shown. A controlled change in the extinction depth of x-ray penetration opens up new possibilities for investigation of structural changes in semiconductor materials after various external influences.
first_indexed 2025-12-07T18:25:04Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146072
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1024-1809
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:25:04Z
publishDate 2018
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Фодчук, И.М.
Заплитный, Р.А.
Роман, Ю.Т.
Молодкин, В.Б.
Владимирова, Т.П.
Свянтек, З.
2019-02-06T19:00:53Z
2019-02-06T19:00:53Z
2018
Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение / И.М. Фодчук, Р.А. Заплитный, Ю.Т. Роман, В.Б. Молодкин, Т.П. Владимирова, З. Свянтек // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 5. — С. 561-583. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.
1024-1809
PACS: 07.85.-m, 41.50.+h, 61.05.C-, 61.72.Ff, 68.55.J-, 68.55.Ln, 81.05.Dz
DOI: https://doi.org/10.15407/mfint.40.05.0561
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146072
Показаны прикладные возможности использования модифицированного топографического метода Берга–Баррета в косоасимметричной схеме дифракции рентгеновских лучей на отражение при исследовании морфологии и структурных изменений вблизи поверхности кристаллов. Контролируемое изменение экстинкционной глубины проникновения рентгеновских лучей открывает новые возможности исследования структурных изменений в полупроводниковых материалах после различных внешних воздействий.
Показано прикладні можливості використання модифікованої топографічної методи Берґа–Баррета в косоасиметричній схемі дифракції Рентґенових променів на відбивання при дослідженні морфології та структурних змін поблизу поверхні кристалів. Контрольована зміна екстинкційної глибини проникнення Рентґенових променів відкриває нові можливості дослідження структурних змін у напівпровідникових матеріялах після різних зовнішніх впливів.
The applied capabilities of use of modified Berg–Barrett topographic method in the skew-asymmetric x-ray Bragg diffraction setup for the study of morphology and structural changes near crystal surface are shown. A controlled change in the extinction depth of x-ray penetration opens up new possibilities for investigation of structural changes in semiconductor materials after various external influences.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
Прикладні можливості рентґенівської топографії кристалів у косоасиметричній схемі дифракції на відбивання
Applied Capabilities of X-Ray Topography of Crystals in the Skew-Asymmetric Bragg Diffraction
Article
published earlier
spellingShingle Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
Фодчук, И.М.
Заплитный, Р.А.
Роман, Ю.Т.
Молодкин, В.Б.
Владимирова, Т.П.
Свянтек, З.
Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
title Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
title_alt Прикладні можливості рентґенівської топографії кристалів у косоасиметричній схемі дифракції на відбивання
Applied Capabilities of X-Ray Topography of Crystals in the Skew-Asymmetric Bragg Diffraction
title_full Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
title_fullStr Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
title_full_unstemmed Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
title_short Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
title_sort прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение
topic Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
topic_facet Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146072
work_keys_str_mv AT fodčukim prikladnyevozmožnostirentgenovskoitopografiikristallovvkosoasimmetričnoishemedifrakciinaotraženie
AT zaplitnyira prikladnyevozmožnostirentgenovskoitopografiikristallovvkosoasimmetričnoishemedifrakciinaotraženie
AT romanût prikladnyevozmožnostirentgenovskoitopografiikristallovvkosoasimmetričnoishemedifrakciinaotraženie
AT molodkinvb prikladnyevozmožnostirentgenovskoitopografiikristallovvkosoasimmetričnoishemedifrakciinaotraženie
AT vladimirovatp prikladnyevozmožnostirentgenovskoitopografiikristallovvkosoasimmetričnoishemedifrakciinaotraženie
AT svântekz prikladnyevozmožnostirentgenovskoitopografiikristallovvkosoasimmetričnoishemedifrakciinaotraženie
AT fodčukim prikladnímožlivostírentgenívsʹkoítopografííkristalívukosoasimetričníishemídifrakcíínavídbivannâ
AT zaplitnyira prikladnímožlivostírentgenívsʹkoítopografííkristalívukosoasimetričníishemídifrakcíínavídbivannâ
AT romanût prikladnímožlivostírentgenívsʹkoítopografííkristalívukosoasimetričníishemídifrakcíínavídbivannâ
AT molodkinvb prikladnímožlivostírentgenívsʹkoítopografííkristalívukosoasimetričníishemídifrakcíínavídbivannâ
AT vladimirovatp prikladnímožlivostírentgenívsʹkoítopografííkristalívukosoasimetričníishemídifrakcíínavídbivannâ
AT svântekz prikladnímožlivostírentgenívsʹkoítopografííkristalívukosoasimetričníishemídifrakcíínavídbivannâ
AT fodčukim appliedcapabilitiesofxraytopographyofcrystalsintheskewasymmetricbraggdiffraction
AT zaplitnyira appliedcapabilitiesofxraytopographyofcrystalsintheskewasymmetricbraggdiffraction
AT romanût appliedcapabilitiesofxraytopographyofcrystalsintheskewasymmetricbraggdiffraction
AT molodkinvb appliedcapabilitiesofxraytopographyofcrystalsintheskewasymmetricbraggdiffraction
AT vladimirovatp appliedcapabilitiesofxraytopographyofcrystalsintheskewasymmetricbraggdiffraction
AT svântekz appliedcapabilitiesofxraytopographyofcrystalsintheskewasymmetricbraggdiffraction