Прикладные возможности рентгеновской топографии кристаллов в косоасимметричной схеме дифракции на отражение - Фодчук, И.М.; Заплитный, Р.А.; Роман, Ю.Т.; Молодкин, В.Б.; Владимирова, Т.П.; Свянтек, З. (Металлофизика и новейшие технологии, 2018)
Показаны прикладные возможности использования модифицированного топографического метода Берга–Баррета в косоасимметричной схеме дифракции рентгеновских лучей на отражение при исследовании морфологии и структурных изменений вблизи поверхности кристаллов. Контролируемое изменение экстинкционной глубины проникновения рентгеновских лучей открывает новые возможности исследования структурных изменений в полупроводниковых материалах после различных внешних воздействий. Показано прикладні можливості використання модифікованої топографічної методи Берґа–Баррета в косоасиметричній схемі дифракції Рентґенових променів на відбивання при дослідженні морфології та структурних змін поблизу поверхні кристалів. Контрольована зміна екстинкційної глибини проникнення Рентґенових променів відкриває нові можливості дослідження структурних змін у напівпровідникових матеріялах після різних зовнішніх впливів. The applied capabilities of use of modified Berg–Barrett topographic method in the skew-asymmetric x-ray Bragg diffraction setup for the study of morphology and structural changes near crystal surface are shown. A controlled change in the extinction depth of x-ray penetration opens up new possibilities for investigation of structural changes in semiconductor materials after various external influences.