Сили зображення між близько розділеними діелектриками
Показано, що в системі двох діелектриків (власних напівпровідників), які розділені малим вакуумним проміжком, коректне врахування ефектів просторової дисперсії призводить до неперервного розподілу потенціалу сил зображення на межах розподілу, що дозволяє коректно врахувати зарядовий стан...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Поверхность |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| ISSN: | 2617-5975 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146187 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Сили зображення між близько розділеними діелектриками / Т.В. Горайчук, Л.Г. Ільченко // Поверхность. — 2003. — Вип. 9. — С. 11-17. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Показано, що в системі двох діелектриків (власних напівпровідників), які розділені малим вакуумним проміжком, коректне врахування ефектів просторової дисперсії призводить до неперервного розподілу потенціалу сил зображення на межах розподілу, що дозволяє коректно врахувати зарядовий стан поверхонь в рамках запропонованої моделі (реальні та гідроксильовані поверхні кремнезему).
It is shown that the correct accounting of the space dispersion effects in the dielectrics (the intrinsical semiconductors) separated by a small vacuum interval leads to continuity of the image potential at the interfaces, making it possible to consider the charged state (microscopic structure) of the dielectric surfaces within the framework of the proposed model (real and hydroxylated silica surfaces).
|
|---|---|
| ISSN: | 2617-5975 |