Сили зображення між близько розділеними діелектриками
Показано, що в системі двох діелектриків (власних напівпровідників), які розділені малим вакуумним проміжком, коректне врахування ефектів просторової дисперсії призводить до неперервного розподілу потенціалу сил зображення на межах розподілу, що дозволяє коректно врахувати зарядовий стан...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Поверхность |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146187 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Сили зображення між близько розділеними діелектриками / Т.В. Горайчук, Л.Г. Ільченко // Поверхность. — 2003. — Вип. 9. — С. 11-17. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862749500307668992 |
|---|---|
| author | Горайчук, Т.В. Ільченко, Л.Г. |
| author_facet | Горайчук, Т.В. Ільченко, Л.Г. |
| citation_txt | Сили зображення між близько розділеними діелектриками / Т.В. Горайчук, Л.Г. Ільченко // Поверхность. — 2003. — Вип. 9. — С. 11-17. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Поверхность |
| description | Показано, що в системі двох діелектриків (власних напівпровідників), які розділені малим вакуумним проміжком, коректне врахування ефектів просторової дисперсії призводить до неперервного розподілу потенціалу сил зображення на межах розподілу, що дозволяє коректно врахувати зарядовий стан поверхонь в рамках запропонованої моделі (реальні та гідроксильовані поверхні кремнезему).
It is shown that the correct accounting of the space dispersion effects in the dielectrics (the intrinsical semiconductors) separated by a small vacuum interval leads to continuity of the image potential at the interfaces, making it possible to consider the charged state (microscopic structure) of the dielectric surfaces within the framework of the proposed model (real and hydroxylated silica surfaces).
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:00:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146187 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2617-5975 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:00:32Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Горайчук, Т.В. Ільченко, Л.Г. 2019-02-08T11:12:02Z 2019-02-08T11:12:02Z 2003 Сили зображення між близько розділеними діелектриками / Т.В. Горайчук, Л.Г. Ільченко // Поверхность. — 2003. — Вип. 9. — С. 11-17. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 2617-5975 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146187 539.2.01 Показано, що в системі двох діелектриків (власних напівпровідників), які розділені малим вакуумним проміжком, коректне врахування ефектів просторової дисперсії призводить до неперервного розподілу потенціалу сил зображення на межах розподілу, що дозволяє коректно врахувати зарядовий стан поверхонь в рамках запропонованої моделі (реальні та гідроксильовані поверхні кремнезему). It is shown that the correct accounting of the space dispersion effects in the dielectrics (the intrinsical semiconductors) separated by a small vacuum interval leads to continuity of the image potential at the interfaces, making it possible to consider the charged state (microscopic structure) of the dielectric surfaces within the framework of the proposed model (real and hydroxylated silica surfaces). uk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Поверхность Моделювання процесів на поверхні твердих тіл Сили зображення між близько розділеними діелектриками Depiction Forces Between Nearly Separated Dielectrics Article published earlier |
| spellingShingle | Сили зображення між близько розділеними діелектриками Горайчук, Т.В. Ільченко, Л.Г. Моделювання процесів на поверхні твердих тіл |
| title | Сили зображення між близько розділеними діелектриками |
| title_alt | Depiction Forces Between Nearly Separated Dielectrics |
| title_full | Сили зображення між близько розділеними діелектриками |
| title_fullStr | Сили зображення між близько розділеними діелектриками |
| title_full_unstemmed | Сили зображення між близько розділеними діелектриками |
| title_short | Сили зображення між близько розділеними діелектриками |
| title_sort | сили зображення між близько розділеними діелектриками |
| topic | Моделювання процесів на поверхні твердих тіл |
| topic_facet | Моделювання процесів на поверхні твердих тіл |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146187 |
| work_keys_str_mv | AT goraičuktv silizobražennâmížblizʹkorozdílenimidíelektrikami AT ílʹčenkolg silizobražennâmížblizʹkorozdílenimidíelektrikami AT goraičuktv depictionforcesbetweennearlyseparateddielectrics AT ílʹčenkolg depictionforcesbetweennearlyseparateddielectrics |