Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему

Напівемпіричним МНДП та ab initio методами проведено квантово-хімічні розрахунки імовірних шляхів термічної деструкції галогенпохідних етану, що за експериментальними даними проявляють істотний інгібуючий ефект. Для найбільш реакційноздатних щодо активних центрів полум’я продуктів розкладу змодельов...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Поверхность
Дата:2004
Автори: Кирилов, О.A., Кукуєва, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2004
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146282
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему / О.A. Кирилов, В.В. Кукуєва // Поверхность. — 2004. — Вип. 10. — С. 14-17. — Бібліогр.: 9 назв. —укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862721133322698752
author Кирилов, О.A.
Кукуєва, В.В.
author_facet Кирилов, О.A.
Кукуєва, В.В.
citation_txt Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему / О.A. Кирилов, В.В. Кукуєва // Поверхность. — 2004. — Вип. 10. — С. 14-17. — Бібліогр.: 9 назв. —укр.
collection DSpace DC
container_title Поверхность
description Напівемпіричним МНДП та ab initio методами проведено квантово-хімічні розрахунки імовірних шляхів термічної деструкції галогенпохідних етану, що за експериментальними даними проявляють істотний інгібуючий ефект. Для найбільш реакційноздатних щодо активних центрів полум’я продуктів розкладу змодельована їхня іммобілізація на поверхні кремнезему. A quantum chemical study on the probable thermal destruction routes of halogenated ethane derivatives (which perform an essential inhibition efficiency) has been carried out by both semiempirical MNDO and ab initio methods. The immobilization on silica surface has been simulated of the destruction products that are the most active towards fire particles.
first_indexed 2025-12-07T18:29:16Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146282
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2617-5975
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T18:29:16Z
publishDate 2004
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
record_format dspace
spelling Кирилов, О.A.
Кукуєва, В.В.
2019-02-08T17:49:37Z
2019-02-08T17:49:37Z
2004
Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему / О.A. Кирилов, В.В. Кукуєва // Поверхность. — 2004. — Вип. 10. — С. 14-17. — Бібліогр.: 9 назв. —укр.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146282
541.128.12
Напівемпіричним МНДП та ab initio методами проведено квантово-хімічні розрахунки імовірних шляхів термічної деструкції галогенпохідних етану, що за експериментальними даними проявляють істотний інгібуючий ефект. Для найбільш реакційноздатних щодо активних центрів полум’я продуктів розкладу змодельована їхня іммобілізація на поверхні кремнезему.
A quantum chemical study on the probable thermal destruction routes of halogenated ethane derivatives (which perform an essential inhibition efficiency) has been carried out by both semiempirical MNDO and ab initio methods. The immobilization on silica surface has been simulated of the destruction products that are the most active towards fire particles.
uk
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Моделювання процесів на поверхні
Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
Тhеоretical study on inhibition capability of the ethane halogen derivatives immobilized onto silica surface
Article
published earlier
spellingShingle Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
Кирилов, О.A.
Кукуєва, В.В.
Моделювання процесів на поверхні
title Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
title_alt Тhеоretical study on inhibition capability of the ethane halogen derivatives immobilized onto silica surface
title_full Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
title_fullStr Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
title_full_unstemmed Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
title_short Теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
title_sort теоретичне дослідження інгібуючої здатності галогенпохідних етану, іммобілізованих на поверхні кремнезему
topic Моделювання процесів на поверхні
topic_facet Моделювання процесів на поверхні
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146282
work_keys_str_mv AT kirilovoa teoretičnedoslídžennâíngíbuûčoízdatnostígalogenpohídnihetanuímmobílízovanihnapoverhníkremnezemu
AT kukuêvavv teoretičnedoslídžennâíngíbuûčoízdatnostígalogenpohídnihetanuímmobílízovanihnapoverhníkremnezemu
AT kirilovoa theoreticalstudyoninhibitioncapabilityoftheethanehalogenderivativesimmobilizedontosilicasurface
AT kukuêvavv theoreticalstudyoninhibitioncapabilityoftheethanehalogenderivativesimmobilizedontosilicasurface