Структура та властивості поруватого кремнію, що утворюється при електрохімічному розчиненні монокристала

• Опубліковано в: : Поверхность
• Дата: 2004
• Автори: Горбанюк, Т.І., Солнцев, В.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2004
• Теми: Хімія поверхні кремнезему
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146376
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структура та властивості поруватого кремнію, що утворюється при електрохімічному розчиненні монокристала / Т.І. Горбанюк, В.С. Солнцев // Поверхность. — 2004. — Вип. 10. — С. 65-68. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Досліджено структуру поруватого кремнію методами скануючої електронної мікроскопії (СЕМ) та атомної силової мікроскопії (АСМ) в залежності від режимів електрохімічного процесу розчинення монокристалічного кремнію р-типу. Встановлено, що при анодному розчиненні можливе утворення двохшарової нанопоруватої полімерної плівки кремнію, мікропоруватого шару з включеннями аморфного кремнію або полірованої поверхні кремнію. The structure of porous Si has been studied by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) as dependent on the conditions of electrochemical dissolution of single-crystal p–type silicon. The formation has been found of two-layer nanoporous silicon polymer film, of microporous layer with incorporated amorphous silicon particles, or of polished silicon surface.