Структура та властивості поруватого кремнію, що утворюється при електрохімічному розчиненні монокристала

Досліджено структуру поруватого кремнію методами скануючої електронної мікроскопії (СЕМ) та атомної силової мікроскопії (АСМ) в залежності від режимів електрохімічного процесу розчинення монокристалічного кремнію р-типу. Встановлено, що при анодному розчиненні можливе утворення двохшарової нанопорув...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Поверхность
Datum:2004
ISSN:2617-5975
Hauptverfasser: Горбанюк, Т.І., Солнцев, В.С.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146376
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Структура та властивості поруватого кремнію, що утворюється при електрохімічному розчиненні монокристала / Т.І. Горбанюк, В.С. Солнцев // Поверхность. — 2004. — Вип. 10. — С. 65-68. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Досліджено структуру поруватого кремнію методами скануючої електронної мікроскопії (СЕМ) та атомної силової мікроскопії (АСМ) в залежності від режимів електрохімічного процесу розчинення монокристалічного кремнію р-типу. Встановлено, що при анодному розчиненні можливе утворення двохшарової нанопоруватої полімерної плівки кремнію, мікропоруватого шару з включеннями аморфного кремнію або полірованої поверхні кремнію. The structure of porous Si has been studied by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) as dependent on the conditions of electrochemical dissolution of single-crystal p–type silicon. The formation has been found of two-layer nanoporous silicon polymer film, of microporous layer with incorporated amorphous silicon particles, or of polished silicon surface.
ISSN:2617-5975