Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами

• Published in: Поверхность
• Date: 2006
• Main Authors: Ильченко, Л.Г., Лобанов, В.В., Чуйко, А.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2006
• Subjects: Моделирование процессов на поверхности
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146474
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики для несимметричной системы показано, что для малых разделяющих расстояний L~3-20 Å суперпозиция модулированной части потенциала ΔVst(r) от обеих поверхностей приводит к возникновению областей существенного повышения (понижения) высоты суммарного потенциального барьера во всем разделяющем промежутке. The structural component ΔVst(r) of the interaction potential V(r) in a vacuum interval dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically. Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances 203~-L Å the superposition of the modulated part of the potential ΔVst(r) from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval.