Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами

Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики дл...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Поверхность
Date:2006
Main Authors: Ильченко, Л.Г., Лобанов, В.В., Чуйко, А.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2006
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146474
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862629229217185792
author Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
author_facet Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
citation_txt Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Поверхность
description Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики для несимметричной системы показано, что для малых разделяющих расстояний L~3-20 Å суперпозиция модулированной части потенциала ΔVst(r) от обеих поверхностей приводит к возникновению областей существенного повышения (понижения) высоты суммарного потенциального барьера во всем разделяющем промежутке. The structural component ΔVst(r) of the interaction potential V(r) in a vacuum interval dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically. Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances 203~-L Å the superposition of the modulated part of the potential ΔVst(r) from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval.
first_indexed 2025-11-30T09:35:39Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146474
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2617-5975
language Russian
last_indexed 2025-11-30T09:35:39Z
publishDate 2006
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
record_format dspace
spelling Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
2019-02-09T18:15:15Z
2019-02-09T18:15:15Z
2006
Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146474
539.2.01
Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики для несимметричной системы показано, что для малых разделяющих расстояний L~3-20 Å суперпозиция модулированной части потенциала ΔVst(r) от обеих поверхностей приводит к возникновению областей существенного повышения (понижения) высоты суммарного потенциального барьера во всем разделяющем промежутке.
The structural component ΔVst(r) of the interaction potential V(r) in a vacuum interval dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically. Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances 203~-L Å the superposition of the modulated part of the potential ΔVst(r) from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval.
ru
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Моделирование процессов на поверхности
Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
Role of surface microstructure in forming the interaction potential between vacuum space near separated non-identical dielectric (semiconductor) nanoparticles
Article
published earlier
spellingShingle Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
Моделирование процессов на поверхности
title Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_alt Role of surface microstructure in forming the interaction potential between vacuum space near separated non-identical dielectric (semiconductor) nanoparticles
title_full Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_fullStr Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_full_unstemmed Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_short Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_sort роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
topic Моделирование процессов на поверхности
topic_facet Моделирование процессов на поверхности
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146474
work_keys_str_mv AT ilʹčenkolg rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodeistviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT lobanovvv rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodeistviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT čuikoaa rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodeistviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT ilʹčenkolg roleofsurfacemicrostructureinformingtheinteractionpotentialbetweenvacuumspacenearseparatednonidenticaldielectricsemiconductornanoparticles
AT lobanovvv roleofsurfacemicrostructureinformingtheinteractionpotentialbetweenvacuumspacenearseparatednonidenticaldielectricsemiconductornanoparticles
AT čuikoaa roleofsurfacemicrostructureinformingtheinteractionpotentialbetweenvacuumspacenearseparatednonidenticaldielectricsemiconductornanoparticles