Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами

Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами

Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики дл...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Поверхность
Datum:2006
Hauptverfasser: Ильченко, Л.Г., Лобанов, В.В., Чуйко, А.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2006
Schlagworte:
Моделирование процессов на поверхности
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146474
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146474
record_format dspace
spelling Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
2019-02-09T18:15:15Z
2019-02-09T18:15:15Z
2006
Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146474
539.2.01
Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики для несимметричной системы показано, что для малых разделяющих расстояний L~3-20 Å суперпозиция модулированной части потенциала ΔVst(r) от обеих поверхностей приводит к возникновению областей существенного повышения (понижения) высоты суммарного потенциального барьера во всем разделяющем промежутке.
The structural component ΔVst(r) of the interaction potential V(r) in a vacuum interval dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically. Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances 203~-L Å the superposition of the modulated part of the potential ΔVst(r) from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval.
ru
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Моделирование процессов на поверхности
Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
Role of surface microstructure in forming the interaction potential between vacuum space near separated non-identical dielectric (semiconductor) nanoparticles
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
spellingShingle Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
Моделирование процессов на поверхности
title_short Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_full Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_fullStr Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_full_unstemmed Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_sort роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
author Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
author_facet Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
topic Моделирование процессов на поверхности
topic_facet Моделирование процессов на поверхности
publishDate 2006
language Russian
container_title Поверхность
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
format Article
title_alt Role of surface microstructure in forming the interaction potential between vacuum space near separated non-identical dielectric (semiconductor) nanoparticles
description Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики для несимметричной системы показано, что для малых разделяющих расстояний L~3-20 Å суперпозиция модулированной части потенциала ΔVst(r) от обеих поверхностей приводит к возникновению областей существенного повышения (понижения) высоты суммарного потенциального барьера во всем разделяющем промежутке. The structural component ΔVst(r) of the interaction potential V(r) in a vacuum interval dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically. Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances 203~-L Å the superposition of the modulated part of the potential ΔVst(r) from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval.
issn 2617-5975
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146474
citation_txt Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT ilʹčenkolg rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodeistviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT lobanovvv rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodeistviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT čuikoaa rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodeistviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT ilʹčenkolg roleofsurfacemicrostructureinformingtheinteractionpotentialbetweenvacuumspacenearseparatednonidenticaldielectricsemiconductornanoparticles
AT lobanovvv roleofsurfacemicrostructureinformingtheinteractionpotentialbetweenvacuumspacenearseparatednonidenticaldielectricsemiconductornanoparticles
AT čuikoaa roleofsurfacemicrostructureinformingtheinteractionpotentialbetweenvacuumspacenearseparatednonidenticaldielectricsemiconductornanoparticles
first_indexed 2025-11-30T09:35:39Z
last_indexed 2025-11-30T09:35:39Z
_version_ 1850857174054469632

Ähnliche Einträge