Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы

Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы

В расплаве KNO₃ (723 K) синтезированы нанокристаллы SnO₂ (≤ 10 нм), допиро­ванные Mo, Bi, Pb. Образование твердого раствора Bi c SnO₂ приводит к возникновению вакансий кристаллической решетки и уменьшению кристаллов SnO₂. Все допированные кристаллы SnO₂ чувствительны к хемосорбированному кислороду и...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Поверхность
Date:2007
Main Authors: Генкина, Е.А., Малёваный, С.М., Панов, Э.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2007
Subjects:
Физико-химические свойства оксидных систем
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146594
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы / Е.А. Генкина, С.М. Малёваный, Э.В. Панов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 152-158. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146594
record_format dspace
spelling Генкина, Е.А.
Малёваный, С.М.
Панов, Э.В.
2019-02-10T09:36:53Z
2019-02-10T09:36:53Z
2007
Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы / Е.А. Генкина, С.М. Малёваный, Э.В. Панов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 152-158. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146594
543.274
В расплаве KNO₃ (723 K) синтезированы нанокристаллы SnO₂ (≤ 10 нм), допиро­ванные Mo, Bi, Pb. Образование твердого раствора Bi c SnO₂ приводит к возникновению вакансий кристаллической решетки и уменьшению кристаллов SnO₂. Все допированные кристаллы SnO₂ чувствительны к хемосорбированному кислороду и парам этанола.
The nanocrystallines SnO₂ (≤10 нм) doped with Mo, Bi, Pb in KNO₃ melts (723 К) have been synthesized in KNO₃ melts (723 K). Formation of solide solution Bi with SnO₂ leads to appearance of vacancies and decrease of SnO₂ crystallines. All doped SnO₂ crystallines are sensitive to chemosorbed oxigen and ethanol vapour. В расплаве KNO₃ (723 K) синтезированы нанокристаллы SnO₂ (≤ 10 нм), допиро­ванные Mo, Bi, Pb.
ru
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Физико-химические свойства оксидных систем
Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
Electric and sensor properties of nanocrystalline phases of tin dioxide doped by Mo, Bi, Pb. Effect of synthesis conditions, temperature, and composition of gaseous atmosphere
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
spellingShingle Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
Генкина, Е.А.
Малёваный, С.М.
Панов, Э.В.
Физико-химические свойства оксидных систем
title_short Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
title_full Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
title_fullStr Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
title_full_unstemmed Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
title_sort электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных mo, bi, pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы
author Генкина, Е.А.
Малёваный, С.М.
Панов, Э.В.
author_facet Генкина, Е.А.
Малёваный, С.М.
Панов, Э.В.
topic Физико-химические свойства оксидных систем
topic_facet Физико-химические свойства оксидных систем
publishDate 2007
language Russian
container_title Поверхность
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
format Article
title_alt Electric and sensor properties of nanocrystalline phases of tin dioxide doped by Mo, Bi, Pb. Effect of synthesis conditions, temperature, and composition of gaseous atmosphere
description В расплаве KNO₃ (723 K) синтезированы нанокристаллы SnO₂ (≤ 10 нм), допиро­ванные Mo, Bi, Pb. Образование твердого раствора Bi c SnO₂ приводит к возникновению вакансий кристаллической решетки и уменьшению кристаллов SnO₂. Все допированные кристаллы SnO₂ чувствительны к хемосорбированному кислороду и парам этанола. The nanocrystallines SnO₂ (≤10 нм) doped with Mo, Bi, Pb in KNO₃ melts (723 К) have been synthesized in KNO₃ melts (723 K). Formation of solide solution Bi with SnO₂ leads to appearance of vacancies and decrease of SnO₂ crystallines. All doped SnO₂ crystallines are sensitive to chemosorbed oxigen and ethanol vapour. В расплаве KNO₃ (723 K) синтезированы нанокристаллы SnO₂ (≤ 10 нм), допиро­ванные Mo, Bi, Pb.
issn 2617-5975
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146594
citation_txt Электрические и сенсорные свойства нанокристаллических фаз диоксида олова, допированных Mo, Bi, Pb. влияние условий синтеза, температуры и состава газовой атмосферы / Е.А. Генкина, С.М. Малёваный, Э.В. Панов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 152-158. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT genkinaea élektričeskieisensornyesvoistvananokristalličeskihfazdioksidaolovadopirovannyhmobipbvliânieusloviisintezatemperaturyisostavagazovoiatmosfery
AT malevanyism élektričeskieisensornyesvoistvananokristalličeskihfazdioksidaolovadopirovannyhmobipbvliânieusloviisintezatemperaturyisostavagazovoiatmosfery
AT panovév élektričeskieisensornyesvoistvananokristalličeskihfazdioksidaolovadopirovannyhmobipbvliânieusloviisintezatemperaturyisostavagazovoiatmosfery
AT genkinaea electricandsensorpropertiesofnanocrystallinephasesoftindioxidedopedbymobipbeffectofsynthesisconditionstemperatureandcompositionofgaseousatmosphere
AT malevanyism electricandsensorpropertiesofnanocrystallinephasesoftindioxidedopedbymobipbeffectofsynthesisconditionstemperatureandcompositionofgaseousatmosphere
AT panovév electricandsensorpropertiesofnanocrystallinephasesoftindioxidedopedbymobipbeffectofsynthesisconditionstemperatureandcompositionofgaseousatmosphere
first_indexed 2025-11-26T01:39:39Z
last_indexed 2025-11-26T01:39:39Z
_version_ 1850603461666668544
fulltext Химия, физика и технология поверхности. 2007. Вып 13. С.152-158 152 УДК 543 274 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФАЗ ДИОКСИДА ОЛОВА, ДОПИРОВАННЫХ Mo, Bi, Pb. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА, ТЕМПЕРАТУРЫ И СОСТАВА ГАЗОВОЙ АТМОСФЕРЫ Е.А. Генкина, С.М. Малёваный, Э.В. Панов Институт общей и неорганической химии им. В. И. Вернадского Национальной академии наук Украины, пр. Палладина, 32/34, 03680, Киев-142, Украина panov@ionc.kar.net В расплаве KNO3 (723 K) синтезированы нанокристаллы SnO2 (£ 10 нм), допиро- ванные Mo, Bi, Pb. Образование твердого раствора Bi c SnO2 приводит к возникновению вакансий кристаллической решетки и уменьшению кристаллов SnO2. Все допированные кристаллы SnO2 чувствительны к хемосорбированному кислороду и парам этанола. The nanocrystallines SnO2 (£10 нм) doped with Mo, Bi, Pb in KNO3 melts (723 К) have been synthesized in KNO3 melts (723 K). Formation of solide solution Bi with SnO2 leads to appearance of vacancies and decrease of SnO2 crystallines. All doped SnO2 crystallines are sensitive to chemosorbed oxigen and ethanol vapour. Введение При адсорбции и десорбции газов происходит наиболее значительное возму- щение энергетического состояния поверхностных слоев кристаллов. Чем больше отношение поверхности кристаллов к их объему, тем эффективнее работа cенсора и выше его чувствительность к газам [1]. Это одна из причин широкого использования кристаллических материалов нанометровых размеров в сенсорной электронике. Малый размер зерен обуславливает большую активную поверхность материала. Кроме этого, сами зерна могут иметь различные дефекты, например, вакансии, количество или рас- пределение которых качественно иное, чем в крупных зернах размером 5 – 10 мкм и более [2]. Наконец, если размеры твердого тела по одному, двум или трем параметрам соизмеримы с некоторыми характерными физическими параметрами, имеющими размерность длины, то для соответствующего свойствах будут иметь место размерные эффекты – комплекс явлений, вызывающих изменение свойств вещества вследствие изменения размера частиц и одновременно возрастания доли поверхностного вклада в общие свойства системы. Одной из главных задач при разработке газовых сенсоров на основе оксидов металлов является оптимизация сенсорной чувствительности. На пути решения этой проблемы определенные перспективы открываются при использовании для создания чувствительных элементов нанокристаллов диоксида олова. Уникальность диоксида олова как материала для газовых сенсоров вызвана рядом его фундаментальных, физи- ческих и химических свойств [3]. Во-первых, он широкозонный полупроводник n-типа, вследствие чего электропроводность SnO2 оказывается чрезвычайно чувствительной к состоянию поверхности как раз в области температур 300 – 800 K, при которой на по- верхности оксидов наблюдаются окислительно-восстановительные реакции. Во-вторых, 153 поверхность диоксида олова обладает высокими адсорбционными свойствами и реак- ционной способностью, которые обусловлены наличием свободных электронов в зоне проводимости полупроводника, поверхностных и объемных кислородных вакансий, а также активного хемосорбированного кислорода. К чувствительным материалам газовых сенсоров предъявляется ряд требований, такие как монодисперсность, постоянство состава по всему объему частицы, размер час- тиц менее 10 нм (это условие реализации размерного эффекта – повышения каталитичес- кой активности материала), возможность введения допирующих добавок в процессе синтеза. Всем этим требованиям удовлетворяет новый метод синтеза в нитратных расплавах [4 – 6]. В настоящем сообщении обсуждаются данные по синтезу в нитратных расплавах нанопорошков диоксида олова, допированного оксидами Mo, Bi и Pb, способы получе- ния толстых пленок на их основе, зависимость их электропроводности от температуры и состава газовой среды. Методика эксперимента В качестве исходных веществ для синтеза использовали хлориды олова, нитраты Mo, Bi и Pb, из которых осаждали гидроксиды. Образование гидроксидов происходило при взаимодействии солей с аммиаком. Далее, вследствие реакции гидроксидов олова, молибдена, висмута, свинца с расплавом нитрата калия образовывались нанодисперсные кристаллические фазы Sn1-xMxO2 (М = Mo, Bi, Pb). Схема проведения синтеза такова. Смесь гидроксидов Sn и допанта с нитратом калия (все «чда») в корундовых тиглях под- вергали изотермической обработке при рабочей температуре 723 К в шахтной печи фир- мы Карболит с терморегулятором КУП БАЙТ ТРП-08-ТП7. Взаимодействие в расплаве KNO3, как реакционной среде, протекает по схеме: SnOz/2(OH)4-z×хН2О ¾¾¾¾ ®¾ расплKNO3 SnO2¯+H2O­ (где z~2). Концентрации изменяли в пределах 1 – 10 ат. % Mo, 2 – 20 % Bi, 1 – 5 % Pb. Ис- пользовали следующие методы исследования: для изучения взаимодействия солей Sn, Mo, Bi и Pb в расплаве KNO3 применяли термический анализ (дериватограф «Q1500», ТГ, ДТА-зависимости), для установления фазового состава и среднего размера частиц Sn1-xMxO2 (по формуле Шерера) – обрабатывали дифрактограммы порошков (дифрак- тометр «ДРОН-3», Сu, Ka-излучение), морфологию частиц изучали электронной микро- скопией («JEМ 100 CX-II»), концентрацию допанта определяли химическим анализом, измерение электропроводности пленок Sn1-xMxO2 проводили на специально разработан- ном стенде (рис. 1) для испытания сенсорочувствительных элементов на основе пленок Sn1-xMxO2 (СЭ). Стенд включал камеру для образца с контролируемой температурой и газовой средой, а также установку, обеспечивающую эти условия и считывание тока через образец (отклика сенсора). Пленки SnO2 на диэлектрической подложке получали методом седиментацион- ного осаждения или по «screen-printing technology» из коллоидных растворов (раствор гранул PVDF в 1-метил-2-пиролидоне с добавкой порошка Sn1-xMxO2). За этой операцией следовала сушка и термообработка (773 – 873 К) пленки. Измерение электросопротивле- ния пленки выполняли зондовым методом на постоянном токе. 154 154 Рис. 1. Установка для тестирования газовых сенсоров: 1 – осушитель воздуха; 2 – форва- куумный насос; 3 – вакуумметр термопарный; 4 – цифровой милливольтметр; 5 – образец; 6 – преобразователь сопротивления; 7 – самопишущий потенцио- метр; 8 – терморегулятор; 9 – источник питания нагревателя; 10 – емкость для аналита; 11 – герметичный корпус держателя образца; 12 – манометр. Результаты и их обсуждение. Особенности влияние допирующей добавки на фазовые и структурные свойства кристаллов SnO2 можно проследить на примере висмута. На дифрактограммах всех об- разцов, полученных в расплаве нитрата калия, наблюдали существенное уширение диф- ракционных максимумов. Это указывает на то, что размеры кристаллов синтезирован- ных порошков близки к 10 нм. Замечено, что при увеличении содержания Bi в образце растёт и полуширина дифракционных максимумов. Для расчета размеров кристаллов по форме дифракционных максимумов по уравнению Шерера (d = 0,9λ (Bcosθ)) использова- ли образцы, полученные при одинаковых условиях синтеза (723 К, 1 ч выдержки, расп- лав нитрата калия). Для всех образцов проводили анализ профиля 3-х рефлексов (1 1 0); (1 0 1) и (2 1 1) для устранения влияния других факторов на уширение максимумов. Данные приведены в табл. 1. Таблица 1. Влияние содержания висмута на средний размер кристаллов SnO2. Содержание Ві, ат. % Средний размер кристаллов, нм 0 11,25 2 11,74 4 10,06 10 8,70 15 7,62 20 6,25 Наблюдали существенное уменьшение размера кристаллов с увеличением содер- жания висмута, что может свидетельствовать о преимущественном распределении вис- мута в поверхностных слоях кристалла. Поскольку образцы с содержанием висмута 2 – 20 % однофазные и имеют чётко выраженное окрашивание, а с увеличением содержания висмута линии на дифракто- грамме смещаются в сторону меньших углов, то было предположено образование твердых растворов на основе тетрагонального SnO2 с гетеровалентным замещением катионов олова на катионы висмута. Для определения параметров решётки анализирова- ли рефлексы (3 2 1); (4 0 0) и (2 2 2) тетрагональной решётки. Полученные данные при- 155 ведены в табл. 2. Легирование висмутом приводит к слабому увеличению параметров решётки SnO2, в большей мере параметра с. Наиболее очевидный механизм образования твердого раствора – это гетеровалентное замещение катионов с образованием вакансии в анионной подрешётке: SnO2 + xBiO1,5 → Sn1-xBixO2-x/2Vx/2 Таблица 2. Параметры кристаллической решетки SnO2 при разном содержании Bi: Чистый SnO2 10 % BiO1,5 20 % BiO1,5 a = 4,738 Å a = 4,7425 ± 0,0006 Å a = 4,7445 ± 0,0008 Å c = 3,188 Å c = 3,2115 ± 0,0011 Å c = 3,2365 ± 0,0014 Å На спектрах ЭПР для всех образцов SnO2, легированного висмутом, обнаружен ЭПР-сигнал, хотя для индивидуальных оксидов олова и висмута такого сигнала нет. Сигнал характеризуется g- фактором 2,238 (рис. 2). Интенсивность сигнала возрастает с увеличением содержания висмута в образце, но в значительно большей степени зависит от финальной его сушки. Так интенсивность сигнала образца, высушенного при 623 К, выше в 60 – 90 раз интенсивности сигнала такого же образца, высушенного при 393 К. Это свидетельствует о высоком влиянии состояния поверхности на физико-химические свойства полученных порошков SnO2. Есть все основания отнести ЕПР сигнал к возник- новению неспаренного электрона, который захватывается анионной вакансией. 1000 2000 3000 4000 -800 -400 0 400 800 Интенсивность, отн. ед. H, Э 2 1 Рис. 2. ЭПР-спектр образца Sn0,93Bi0,07O2: 1 – сушка порошка при 623 К, 2 – сушка порошка при 393 К, g = 2,238. Электрофизические свойства пленок, полученных из синтезированных нанокрис- таллов Sn1-xMxO2 (М = Mo, Bi, Pb), показаны на рис. 3 – 5. При рассмотрении температурных зависимостей электросопротивления (R, T) допированных образцов SnO2 (рис. 3) обращает на себя внимание полупроводниковый характер зависимости R,T: в диапазоне Т £ 373 К величина R линейно падает с ростом Т. Наиболее близка к теоретической зависимость R, T для образца в (Sn0.95Pb0,05O2) . Этот образец, в отличие от образцов а, б, г, был дополнительно отожжен в вакууме при 623 К. Известно [3 – 7], что поверхность кристалла SnO2 плотно покрыта на воздухе адсорбиро- ванными ОН-группами. По-видимому, термическая обработка приводит к десорбции с поверхности диоксида олова этих групп. Этот процесс должен способствовать повыше- нию плотности свободных адсорбционных мест и, в итоге, росту количества адсорби- рованного на поверхности SnO2 кислорода, т.е. увеличению сенсорной чувствительности к целевому аналиту. Максимум при 453 К на графиках R, T для образца (рис. 3, б) подобен полученному ранее [6] в случае SnO2, допированного сурьмой, для которого он обусловлен перестройкой молекул воды на поверхности оксида. Отмечается также 156 156 существенное увеличение сопротивления образца с Pb (примерно в 2 раза) после восста- новительного отжига (сравните рис. 3, г и в). 300 350 400 450 500 0 200 400 600 800 R, МОм T, K 300 350 400 450 500 550 0 20 40 60 R, MOм T, K а б 0 100 200 300 400 0 40 80 120 R, МОм T, K 300 350 400 450 500 550 0 2000 4000 6000 R, MОм T, K в г Рис. 3. Температурные зависимости электросопротивления пленочных образцов Sn0,98Bi0,02O2 (a), Sn0,9Mo0,1O2 (б), Sn0,95Pb0,05O2 (сушка порошка после синтеза при 623 К) (в), Sn0,95Pb0,05O2 (сушка порошка после синтеза при 393 К) (г). Скорость адсорбции кислорода на сенсорном материале из допированного SnO2 [4 – 6] определяет как чувствительность сенсора, так и его динамические характеристи- ки, т.е. время отклика на изменение концентрации аналита. Это видно на рис. 4, а-в для сенсорного материала с Bi и Pb: стационарное состояние тока восстанавливается быстро и далее воспроизводится. Для образца с Мо стационарные значения тока плохо воспро- изводится во времени, что свидетельствует о медленном и необратимом процессе ад- сорбции кислорода. Чувствительность S = Gg/Ga (Gg и Ga – поверхностная электропроводность соот- ветственно в парах и на воздухе ) пленок SnO2 к парам этанола видна на рис. 5. Для всех пленок характерно хорошее быстродействие ³ 5 с и стабильность величины отклика во времени (5 – 7 %). Величина S уменьшается в ряду пленок № 64 (Sn0,95Pb0,05O2, отжиг порошка после синтеза 623 К), № 67 (Sn0,95Pb0,05O2), № 50 (Sn0,9Mo0,1O2), № 46 (Sn0,98Bi0,02O2). Снижение S в случае неотожженного образца Sn0,95Pb0,05O2 (пленка № 67) обус- ловлено, помимо понижения адсорбционной активности его поверхности, шунтирую- щим влиянием объема пленки, связанного с уменьшением ее электросопротивления в 2 раза (по сравнению с № 64). 157 0 200 400 600 800 70 80 90 100 110 t, c I, мкА воздух вакуум 1000 2000 10 15 20 25 30 вакуум воздух I, мкА t, c а б 400 800 1200 10 20 30 40 воздух вакуум I, мкА t, c в Рис. 4. Зависимость электропроводности пленок при изменении состава газо- вой среды: a – Sn0,98Bi0,02O2 (527 К), б – Sn0,9Mo0,1O2 (557 К), в – Sn0,95Pb0,05O2 (558 К). 0 50 100 150 76 80 84 88 92 воздух пары этанола I, мкА t, c 400 800 1200 80 120 160 200 I, мкА t, c воздух пары этанола а б 0 60 120 180 240 30 60 90 пары этанола воздух I, мкА t, c 0 100 200 300 400 5 10 15 20 25 I, мкА t, c пары этанола воздух в г Рис. 5. Тестирование пленок Sn0,9Mo0,1O2 (а), Sn0,98Bi0,02O2 (б), Sn0,95Pb0,05O2 (в), (отжиг порошка после синтеза 623 К), Sn0,95Pb0,05O2 (г) температура при измерении тока везде 553 К, концентрация паров этанола 329 мкг/л. 158 158 Выводы Полученные данные позволяют сделать некоторые выводы о физико-химических и сенсорных свойствах синтезированных в нитратных расплавах образцов диоксида олова. Все пленки имеют проводимость n-типа, чувствительную к кислороду и этанолу; последняя возрастает после дополнительного отжига (образцы с Pb) в 5 раз. Для всех образцов характерна хорошая динамика сенсорного отклика, а для пленок с Bi и Pb – обратимая адсорбция кислорода. На примере Bi показано образование твердого раствора допанта с SnO2 по механизму гетеровалентного замещения, приводящее к искажению тетрагональной решетки SnO2, образованию анионной вакансии, изменению окраски кристаллов, уменьшению его размеров и возникновению ЭПР-сигнала, интенсивность которого увеличивается после термообработки материала. Роль этих процессов в изме- нении чувствительности и избирательности сенсорного материала покажут дополнитель- ные исследования пленок с Pb и Mo. Литература 1. Рембеза С.И. Нужен ли человечеству искусственный нос? // Природа. – 2005. – № 2. – С. 5 – 12. 2. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы. Методы получения и свойства // Екате- ринбург: УрО РАН, 1998. – 113 с. 3. Румянцева М.Н., Сафонова О.В., Булова М.Н. Газочувствительные материалы на основе диоксида олова. // Сенсор. – 2003. – № 2. – С. 29 – 34. 4. Генкина Е.А., Малеванный С.М., Панов Э.В. Синтез в нитратных расплавах нано- кристаллических фаз диоксида олова, пленки на их основе, свойства полученных пленок // Укр. хим. журн. – 2003. –Т. 69, № 3. – С. 11 – 13. 5. Панов Э.В., Генкина Е.А., Глущак Т.С. Электропроводность пленок нанокристалли- ческого диоксида олова: влияние условий синтеза, температуры, газовой среды // Вест. Харьковск. ун-та, серия хим. – 2005. – № 648. – С. 52 – 56. 6. Генкина Е.А., Панов Э.В., Смаглий А.В. Состав и поверхностная электропровод- ность нанокристаллического диоксида олова, допированного сурьмой и висмутом // Укр. хим. журн. – 2006. – Т. 72, № 1. – С. 51 – 54. 7. Гаськов А.М., Румянцева М.Н. Выбор материалов для твердотельних газовых сен- соров // Неорг. мат. – 2000. – Т. 36, № 3. – С. 369 – 378.

Similar Items