Моделирование взаимодействий дефектной поверхности диоксида ванадия с молекулами воды и этанола

• Опубліковано в: : Поверхность
• Дата: 2008
• Автори: Каурковская, В.Н., Гребенюк, А.Г., Лобанов, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2008
• Теми: Теория химического строения и реакционной способности поверхности
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146673
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Моделирование взаимодействий дефектной поверхности диоксида ванадия с молекулами воды и этанола / В.Н. Каурковская, А.Г. Гребенюк, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 37-42. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Экспериментально показано, что при адсорбции воды и этанола на поверхности VO₂ температура ее фазового перехода (ТФП) соответственно снижается или повышается. Избыток паров воды приводит к деградации полупроводника до диэлектрика. Квантово-химический анализ изменений электронной структуры систем, моделирующих взаимодействия паров воды и этанола с поверхностью диоксида ванадия, показал, что адсорбция происходит на поверхностных не полностью коорди­нированных атомах ванадия с неспаренным электроном. Следствием заполнения части таких центров адсорбированными молекулами и является снижение ТФП. The temperature of phase transition (TPT) has been shown in experimental way to decrease or increase due to adsorption of water or ethanol respectively on VO₂ surface. An excess of water vapor results in semiconductor degradation into insulator. Quantum chemical analysis of changes in the electron structure of the systems simulated for water and ethanol vapor interactions with vanadium dioxide surface has shown the adsorption to occur on defects – subcoordinated vanadium atoms bearing uncoupled electron. A decrease in TPT is a result of binding part of such sites. An infilling surface with water or ethanol molecules should promote TPT increase.