Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником

• Veröffentlicht in: Поверхность
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Ільченко, Л.Г., Лобанов, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2008
• Schlagworte: Теория химического строения и реакционной способности поверхности
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146674
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток. Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі. With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices. It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the micro­scopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r) in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r) (amplitudes) is related to decrease in the distance between semicon­ductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal.