Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником
В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток. Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), я...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Поверхность |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146674 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146674 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. 2019-02-10T17:38:23Z 2019-02-10T17:38:23Z 2008 Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 2617-5975 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146674 539.2.01 В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток. Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі. With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices. It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r) in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r) (amplitudes) is related to decrease in the distance between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal. uk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Поверхность Теория химического строения и реакционной способности поверхности Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| spellingShingle |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. Теория химического строения и реакционной способности поверхности |
| title_short |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_full |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_fullStr |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_full_unstemmed |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_sort |
роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| author |
Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. |
| author_facet |
Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. |
| topic |
Теория химического строения и реакционной способности поверхности |
| topic_facet |
Теория химического строения и реакционной способности поверхности |
| publishDate |
2008 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Поверхность |
| publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor |
| description |
В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток.
Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі.
With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices.
It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r) in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r) (amplitudes) is related to decrease in the distance between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal.
|
| issn |
2617-5975 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146674 |
| citation_txt |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT ílʹčenkolg rolʹatomnoístrukturipoverhonʹuformuvannípotencíaluuvakuumnomupromížkumížblizʹkorozdílenimimetalomtanapívprovídnikom AT lobanovvv rolʹatomnoístrukturipoverhonʹuformuvannípotencíaluuvakuumnomupromížkumížblizʹkorozdílenimimetalomtanapívprovídnikom AT ílʹčenkolg roleofsurfaceatomicstructureinformingapotentialwithinvacuumintervalbetweennearlyseparatedmetalandsemiconductor AT lobanovvv roleofsurfaceatomicstructureinformingapotentialwithinvacuumintervalbetweennearlyseparatedmetalandsemiconductor |
| first_indexed |
2025-12-07T16:00:09Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:00:09Z |
| _version_ |
1850865834313908224 |