Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником
В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток.
 
 Показано, що структурний поте...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Поверхность |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146674 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862684904169406464 |
|---|---|
| author | Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. |
| author_facet | Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. |
| citation_txt | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Поверхность |
| description | В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток.

Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі.
With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices.

It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r) in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r) (amplitudes) is related to decrease in the distance between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:00:09Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146674 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2617-5975 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:00:09Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. 2019-02-10T17:38:23Z 2019-02-10T17:38:23Z 2008 Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 2617-5975 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146674 539.2.01 В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток.
 
 Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі. With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices.
 
 It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r) in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r) (amplitudes) is related to decrease in the distance between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal. uk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Поверхность Теория химического строения и реакционной способности поверхности Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor Article published earlier |
| spellingShingle | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником Ільченко, Л.Г. Лобанов, В.В. Теория химического строения и реакционной способности поверхности |
| title | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_alt | Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor |
| title_full | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_fullStr | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_full_unstemmed | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_short | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_sort | роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| topic | Теория химического строения и реакционной способности поверхности |
| topic_facet | Теория химического строения и реакционной способности поверхности |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146674 |
| work_keys_str_mv | AT ílʹčenkolg rolʹatomnoístrukturipoverhonʹuformuvannípotencíaluuvakuumnomupromížkumížblizʹkorozdílenimimetalomtanapívprovídnikom AT lobanovvv rolʹatomnoístrukturipoverhonʹuformuvannípotencíaluuvakuumnomupromížkumížblizʹkorozdílenimimetalomtanapívprovídnikom AT ílʹčenkolg roleofsurfaceatomicstructureinformingapotentialwithinvacuumintervalbetweennearlyseparatedmetalandsemiconductor AT lobanovvv roleofsurfaceatomicstructureinformingapotentialwithinvacuumintervalbetweennearlyseparatedmetalandsemiconductor |