Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур

• Veröffentlicht in: Металлофизика и новейшие технологии
• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Шамаев, В.В., Житлухина, Е.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
• Schlagworte: Электронные структура и свойства
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток. Запропоновано фізичний механізм, що відповідає за виникнення ділянки неґативного диференційного опору N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з тунельним бар’єром, утвореним напівпровідниковим прошарком із втіленими у нього домішковими центрами. Розвинуту в роботі теорію засновано на припущенні про наявність у потенціяльному бар’єрі локалізованих дворівневих структур, які визначають величину струму, що протікає через відповідний транспортний канал. Проаналізовано вплив параметрів задачі на тунельний струм. Physical mechanism is proposed and responsible for the appearance of a negative N-type differential resistance region in current–voltage characteristics of metal heterostructures with a tunnel barrier formed by a semiconductor interlayer with embedded impurity centres. The theory developed in this work is based on the assumption of the presence of localized two-level structures in the potential barrier, which determine the magnitude of the current flowing through the corresponding transport channel. An effect of the problem parameters on the tunnel current is analysed.