Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур
Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146927 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. 2019-02-12T16:16:08Z 2019-02-12T16:16:08Z 2018 Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 64.60.ah, 72.20.Dp, 72.80.Tm, 73.40.Gk, 73.40.Rw, 73.50.Fq, 81.05.Zx DOI: https://doi.org/10.15407/mfint.40.06.0729 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927 Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток. Запропоновано фізичний механізм, що відповідає за виникнення ділянки неґативного диференційного опору N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з тунельним бар’єром, утвореним напівпровідниковим прошарком із втіленими у нього домішковими центрами. Розвинуту в роботі теорію засновано на припущенні про наявність у потенціяльному бар’єрі локалізованих дворівневих структур, які визначають величину струму, що протікає через відповідний транспортний канал. Проаналізовано вплив параметрів задачі на тунельний струм. Physical mechanism is proposed and responsible for the appearance of a negative N-type differential resistance region in current–voltage characteristics of metal heterostructures with a tunnel barrier formed by a semiconductor interlayer with embedded impurity centres. The theory developed in this work is based on the assumption of the presence of localized two-level structures in the potential barrier, which determine the magnitude of the current flowing through the corresponding transport channel. An effect of the problem parameters on the tunnel current is analysed. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур Неґативна диференційна провідність N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур Negative N-Type Differential Resistance in Current–Voltage Characteristics of Metal Heterostructures Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| spellingShingle |
Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. Электронные структура и свойства |
| title_short |
Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_full |
Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_fullStr |
Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_full_unstemmed |
Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_sort |
отрицательное дифференциальное сопротивление n-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| author |
Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. |
| author_facet |
Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. |
| topic |
Электронные структура и свойства |
| topic_facet |
Электронные структура и свойства |
| publishDate |
2018 |
| language |
Russian |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Неґативна диференційна провідність N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур Negative N-Type Differential Resistance in Current–Voltage Characteristics of Metal Heterostructures |
| description |
Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток.
Запропоновано фізичний механізм, що відповідає за виникнення ділянки неґативного диференційного опору N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з тунельним бар’єром, утвореним напівпровідниковим прошарком із втіленими у нього домішковими центрами. Розвинуту в роботі теорію засновано на припущенні про наявність у потенціяльному бар’єрі локалізованих дворівневих структур, які визначають величину струму, що протікає через відповідний транспортний канал. Проаналізовано вплив параметрів задачі на тунельний струм.
Physical mechanism is proposed and responsible for the appearance of a negative N-type differential resistance region in current–voltage characteristics of metal heterostructures with a tunnel barrier formed by a semiconductor interlayer with embedded impurity centres. The theory developed in this work is based on the assumption of the presence of localized two-level structures in the potential barrier, which determine the magnitude of the current flowing through the corresponding transport channel. An effect of the problem parameters on the tunnel current is analysed.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927 |
| citation_txt |
Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT šamaevvv otricatelʹnoedifferencialʹnoesoprotivlenientipavvolʹtampernyhharakteristikahmetalličeskihgeterostruktur AT žitluhinaes otricatelʹnoedifferencialʹnoesoprotivlenientipavvolʹtampernyhharakteristikahmetalličeskihgeterostruktur AT šamaevvv negativnadiferencíinaprovídnístʹntipuuvolʹtampernihharakteristikahmetalevihgeterostruktur AT žitluhinaes negativnadiferencíinaprovídnístʹntipuuvolʹtampernihharakteristikahmetalevihgeterostruktur AT šamaevvv negativentypedifferentialresistanceincurrentvoltagecharacteristicsofmetalheterostructures AT žitluhinaes negativentypedifferentialresistanceincurrentvoltagecharacteristicsofmetalheterostructures |
| first_indexed |
2025-12-07T21:14:40Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:14:40Z |
| _version_ |
1850885621986361344 |