Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур
Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862751927694000128 |
|---|---|
| author | Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. |
| author_facet | Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. |
| citation_txt | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток.
Запропоновано фізичний механізм, що відповідає за виникнення ділянки неґативного диференційного опору N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з тунельним бар’єром, утвореним напівпровідниковим прошарком із втіленими у нього домішковими центрами. Розвинуту в роботі теорію засновано на припущенні про наявність у потенціяльному бар’єрі локалізованих дворівневих структур, які визначають величину струму, що протікає через відповідний транспортний канал. Проаналізовано вплив параметрів задачі на тунельний струм.
Physical mechanism is proposed and responsible for the appearance of a negative N-type differential resistance region in current–voltage characteristics of metal heterostructures with a tunnel barrier formed by a semiconductor interlayer with embedded impurity centres. The theory developed in this work is based on the assumption of the presence of localized two-level structures in the potential barrier, which determine the magnitude of the current flowing through the corresponding transport channel. An effect of the problem parameters on the tunnel current is analysed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:14:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146927 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:14:40Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. 2019-02-12T16:16:08Z 2019-02-12T16:16:08Z 2018 Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 64.60.ah, 72.20.Dp, 72.80.Tm, 73.40.Gk, 73.40.Rw, 73.50.Fq, 81.05.Zx DOI: https://doi.org/10.15407/mfint.40.06.0729 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927 Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток. Запропоновано фізичний механізм, що відповідає за виникнення ділянки неґативного диференційного опору N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з тунельним бар’єром, утвореним напівпровідниковим прошарком із втіленими у нього домішковими центрами. Розвинуту в роботі теорію засновано на припущенні про наявність у потенціяльному бар’єрі локалізованих дворівневих структур, які визначають величину струму, що протікає через відповідний транспортний канал. Проаналізовано вплив параметрів задачі на тунельний струм. Physical mechanism is proposed and responsible for the appearance of a negative N-type differential resistance region in current–voltage characteristics of metal heterostructures with a tunnel barrier formed by a semiconductor interlayer with embedded impurity centres. The theory developed in this work is based on the assumption of the presence of localized two-level structures in the potential barrier, which determine the magnitude of the current flowing through the corresponding transport channel. An effect of the problem parameters on the tunnel current is analysed. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур Неґативна диференційна провідність N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур Negative N-Type Differential Resistance in Current–Voltage Characteristics of Metal Heterostructures Article published earlier |
| spellingShingle | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. Электронные структура и свойства |
| title | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_alt | Неґативна диференційна провідність N-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур Negative N-Type Differential Resistance in Current–Voltage Characteristics of Metal Heterostructures |
| title_full | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_fullStr | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_full_unstemmed | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_short | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| title_sort | отрицательное дифференциальное сопротивление n-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
| topic | Электронные структура и свойства |
| topic_facet | Электронные структура и свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927 |
| work_keys_str_mv | AT šamaevvv otricatelʹnoedifferencialʹnoesoprotivlenientipavvolʹtampernyhharakteristikahmetalličeskihgeterostruktur AT žitluhinaes otricatelʹnoedifferencialʹnoesoprotivlenientipavvolʹtampernyhharakteristikahmetalličeskihgeterostruktur AT šamaevvv negativnadiferencíinaprovídnístʹntipuuvolʹtampernihharakteristikahmetalevihgeterostruktur AT žitluhinaes negativnadiferencíinaprovídnístʹntipuuvolʹtampernihharakteristikahmetalevihgeterostruktur AT šamaevvv negativentypedifferentialresistanceincurrentvoltagecharacteristicsofmetalheterostructures AT žitluhinaes negativentypedifferentialresistanceincurrentvoltagecharacteristicsofmetalheterostructures |