Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур
Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | Шамаев, В.В., Житлухина, Е.С. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146927 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 729-737. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Особенности вольт-амперных характеристик гетероструктур F/I/S Co₂CrAl—I—Pb
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2011) -
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов
за авторством: Шамаев, В.В., та інші
Опубліковано: (2017) -
Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Ермоленко, Е.А.
Опубліковано: (2014) -
Статические и динамические вольт-амперные характеристики тонких сверхпроводящих пленок YBa₂Cu₃O₇₋δ
за авторством: Каленюк, А.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)