Зображення обкладинки

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness

A detailed XRD analysis of AlN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on AlN(0001) substrates is proposed. The effect of roughness on the 2θ-ω scans measured in Bragg diffraction for symmetrical reflections is investigated together with the effect of depth variation of the well and barrier...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Металлофизика и новейшие технологии
Дата:	2018
Автори:	Liubchenko, O.I., Kladko, V.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
Теми:	Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146953
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness / O.I. Liubchenko, V.P. Kladko // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 759-776. — Бібліогр.: 38 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Photoluminescence characterization of AlN nanowhiskers
за авторством: Vokhmintsev, A.S., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование гетеронаносистем металл–полупроводник NixInSe (0001)
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2017)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
за авторством: Safriuk, N.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Synthesis and Magnetic Characteristics of N–Co Nanocomposites
за авторством: Lisova, O.M., та інші
Опубліковано: (2018)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Термостабильность структуры и механических свойств наноквазикристаллического Al₉₄Fe₃Cr₃-сплава
за авторством: Юркова, А.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2011)

Магнитные и релаксационные явления в плёночных гетероструктурах Si—TiN—Fe с углеродными нанотрубками
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2015)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry
за авторством: I. V. Boyko, та інші
Опубліковано: (2021)

Electric-physical characteristics of pressureless sintered AlN–TiN ceramic composite
за авторством: I. P. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Формирование структуры и фазового состава нанокристаллического сплава CuNiAlFeCr методом механического легирования
за авторством: Юркова, A.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Thermal conductivity of hot-pressed AlB12–AlN ceramic composite
за авторством: T. O. Prikhna, та інші
Опубліковано: (2024)

Electronic properties of AlN crystal doped with Cr, Mn and Fe
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetron sputtered coatings of AlN-TiCrB₂ system
за авторством: Panasyuk, A.D., та інші
Опубліковано: (2009)

Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Теплопроводность керамики AlN–SiC, полученной свободным спеканием
за авторством: Прихна, Т.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Nb–Al–N thin films: structural transition from nanocrystalline solid solution nc-(Nb, Al)N into nanocomposite nc-(Nb, Al)N/a–AlN
за авторством: V. I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of molybden powder dispersion on formation of AlN–composite dielectric properties
за авторством: V. I. Chasnyk, та інші
Опубліковано: (2019)

Formation regularities of structures of AlN–SiC_based ceramic materials
за авторством: T. O. Prikhna, та інші
Опубліковано: (2015)

Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
за авторством: Суджанская, И.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Nb–Al–N-тонкие пленки: структурный переход от нанокристаллического твердого раствора nc-(Nb,Al)N к нанокомпозиту nc-(Nb, Al)N/a-AlN
за авторством: Иващенко, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Research of thermal conductivity, electrical resistivity and microwave absorption of microwave frequency radiation of AlN–Y2O3–Mo and AlN–Y2O3–TiN pressureless sintered composites
за авторством: V. I. Chasnyk, та інші
Опубліковано: (2020)

ВПЛИВ ДИСПЕРСНОСТІ ПОРОШКУ МОЛІБДЕНУ НА ФОРМУВАННЯ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ AlN–КОМПОЗИТІВ
за авторством: Часник, Василь, та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив дисперсності порошку молібдену на формування діелектричних властивостей AlN–композитів
за авторством: Часник, В.І., та інші
Опубліковано: (2019)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)

ОСОБЛИВОСТІ ВИМІРЮВАННЯ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ ВІЛЬНОСПЕЧЕНИХ КОМПОЗИТІВ AlN–50% SiC
за авторством: Часник, Василь, та інші
Опубліковано: (2025)

Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
за авторством: Пріхна, Т.О., та інші
Опубліковано: (2015)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2005)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)