Buchumschlag

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness

A detailed XRD analysis of AlN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on AlN(0001) substrates is proposed. The effect of roughness on the 2θ-ω scans measured in Bragg diffraction for symmetrical reflections is investigated together with the effect of depth variation of the well and barrier...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Металлофизика и новейшие технологии
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Liubchenko, O.I., Kladko, V.P.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
Schlagworte:	Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146953
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness / O.I. Liubchenko, V.P. Kladko // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 759-776. — Бібліогр.: 38 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Исследование гетеронаносистем металл–полупроводник NixInSe (0001)
von: Galiy, P.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Photoluminescence characterization of AlN nanowhiskers
von: Vokhmintsev, A.S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
von: Safriuk, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Synthesis and Magnetic Characteristics of N–Co Nanocomposites
von: Lisova, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
von: N. V. Safriuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Термостабильность структуры и механических свойств наноквазикристаллического Al₉₄Fe₃Cr₃-сплава
von: Юркова, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Магнитные и релаксационные явления в плёночных гетероструктурах Si—TiN—Fe с углеродными нанотрубками
von: Руденко, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
von: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование структуры и фазового состава нанокристаллического сплава CuNiAlFeCr методом механического легирования
von: Юркова, A.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry
von: I. V. Boyko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Electric-physical characteristics of pressureless sintered AlN–TiN ceramic composite
von: I. P. Fesenko, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Thermal conductivity of hot-pressed AlB12–AlN ceramic composite
von: T. O. Prikhna, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Electronic properties of AlN crystal doped with Cr, Mn and Fe
von: Syrotyuk, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Magnetron sputtered coatings of AlN-TiCrB₂ system
von: Panasyuk, A.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
von: Vovk, E.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Теплопроводность керамики AlN–SiC, полученной свободным спеканием
von: Прихна, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Nb–Al–N thin films: structural transition from nanocrystalline solid solution nc-(Nb, Al)N into nanocomposite nc-(Nb, Al)N/a–AlN
von: V. I. Ivashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Influence of molybden powder dispersion on formation of AlN–composite dielectric properties
von: V. I. Chasnyk, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Formation regularities of structures of AlN–SiC_based ceramic materials
von: T. O. Prikhna, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
von: Суджанская, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Nb–Al–N-тонкие пленки: структурный переход от нанокристаллического твердого раствора nc-(Nb,Al)N к нанокомпозиту nc-(Nb, Al)N/a-AlN
von: Иващенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Research of thermal conductivity, electrical resistivity and microwave absorption of microwave frequency radiation of AlN–Y2O3–Mo and AlN–Y2O3–TiN pressureless sintered composites
von: V. I. Chasnyk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

ВПЛИВ ДИСПЕРСНОСТІ ПОРОШКУ МОЛІБДЕНУ НА ФОРМУВАННЯ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ AlN–КОМПОЗИТІВ
von: Часник, Василь, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив дисперсності порошку молібдену на формування діелектричних властивостей AlN–композитів
von: Часник, В.І., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

ОСОБЛИВОСТІ ВИМІРЮВАННЯ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ ВІЛЬНОСПЕЧЕНИХ КОМПОЗИТІВ AlN–50% SiC
von: Часник, Василь, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
von: Пріхна, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)