Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от дру...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146957 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146957 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э. 2019-02-12T16:37:09Z 2019-02-12T16:37:09Z 2018 Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 05.45.-a, 05.70.-a, 61.72.Bb, 62.20.fq, 62.25.Mn, 81.40.Lm, 83.50.Ha DOI: https://doi.org/10.15407/mfint.40.06.0845 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146957 Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от друга на расстояния, больше 1,5α. Для одновалентных металлов оценены колебательная энергия иона, необходимая, чтобы это произошло, а также вероятность появления таких ионов. Полученные результаты обобщены на металлический образец. Рассмотрен случай большого числа «неустойчивых ионов». Досліджено коливання та взаємодію двох позитивних йонів, яких занурено у електронний газ, в тому числі і в областях, які є далекими від лінійної поведінки. Показано, що, для того, щоб рух йонів був неусталеним, необхідно, щоб вони хоч іноді під час своїх коливань відходили один від одного на віддаль, більшу, ніж 1,5α. Для металів з валентністю, рівною одиниці, оцінено коливну енергію йону, яка потрібна для цього, а також ймовірність появи таких йонів. Одержані результати були узагальнені на металевий зразок. Досліджено випадок великої кількості «неусталених йонів». Oscillations and interaction of two positive ions embedded into electron gas are investigated including the region far from the linear behaviour. As shown, in order to be unstable movement of the ions, it is necessary that they go away one another on a distance larger than 1.5α at least sometimes during their oscillations. The vibrational energy of ion, which is necessary in order to take place for this separation, and probability of appearance of such ions are estimated for a univalent metals. The obtained results are generalized on a bulk metal. A case of a large number of ‘unstable ions’ is investigated. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Дефекты кристаллической решётки Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне Деякі міркування щодо утворення дефектів у кристалах на атомарному рівні Some Considerations for Formation of Defects in Crystals at the Atomic Level Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне |
| spellingShingle |
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э. Дефекты кристаллической решётки |
| title_short |
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне |
| title_full |
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне |
| title_fullStr |
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне |
| title_full_unstemmed |
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне |
| title_sort |
некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне |
| author |
Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э. |
| author_facet |
Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э. |
| topic |
Дефекты кристаллической решётки |
| topic_facet |
Дефекты кристаллической решётки |
| publishDate |
2018 |
| language |
Russian |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Деякі міркування щодо утворення дефектів у кристалах на атомарному рівні Some Considerations for Formation of Defects in Crystals at the Atomic Level |
| description |
Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от друга на расстояния, больше 1,5α. Для одновалентных металлов оценены колебательная энергия иона, необходимая, чтобы это произошло, а также вероятность появления таких ионов. Полученные результаты обобщены на металлический образец. Рассмотрен случай большого числа «неустойчивых ионов».
Досліджено коливання та взаємодію двох позитивних йонів, яких занурено у електронний газ, в тому числі і в областях, які є далекими від лінійної поведінки. Показано, що, для того, щоб рух йонів був неусталеним, необхідно, щоб вони хоч іноді під час своїх коливань відходили один від одного на віддаль, більшу, ніж 1,5α. Для металів з валентністю, рівною одиниці, оцінено коливну енергію йону, яка потрібна для цього, а також ймовірність появи таких йонів. Одержані результати були узагальнені на металевий зразок. Досліджено випадок великої кількості «неусталених йонів».
Oscillations and interaction of two positive ions embedded into electron gas are investigated including the region far from the linear behaviour. As shown, in order to be unstable movement of the ions, it is necessary that they go away one another on a distance larger than 1.5α at least sometimes during their oscillations. The vibrational energy of ion, which is necessary in order to take place for this separation, and probability of appearance of such ions are estimated for a univalent metals. The obtained results are generalized on a bulk metal. A case of a large number of ‘unstable ions’ is investigated.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146957 |
| citation_txt |
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT zasimčukvi nekotoryesoobraženiâobobrazovaniidefektovvkristallahnaatomnomurovne AT zasimčukeé nekotoryesoobraženiâobobrazovaniidefektovvkristallahnaatomnomurovne AT zasimčukvi deâkímírkuvannâŝodoutvorennâdefektívukristalahnaatomarnomurívní AT zasimčukeé deâkímírkuvannâŝodoutvorennâdefektívukristalahnaatomarnomurívní AT zasimčukvi someconsiderationsforformationofdefectsincrystalsattheatomiclevel AT zasimčukeé someconsiderationsforformationofdefectsincrystalsattheatomiclevel |
| first_indexed |
2025-12-07T20:35:21Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:35:21Z |
| _version_ |
1850883149021577216 |