Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне

Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от дру...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Металлофизика и новейшие технологии
Date:2018
Main Authors: Засимчук, В.И., Засимчук, Е.Э.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146957
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862744307343032320
author Засимчук, В.И.
Засимчук, Е.Э.
author_facet Засимчук, В.И.
Засимчук, Е.Э.
citation_txt Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Металлофизика и новейшие технологии
description Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от друга на расстояния, больше 1,5α. Для одновалентных металлов оценены колебательная энергия иона, необходимая, чтобы это произошло, а также вероятность появления таких ионов. Полученные результаты обобщены на металлический образец. Рассмотрен случай большого числа «неустойчивых ионов». Досліджено коливання та взаємодію двох позитивних йонів, яких занурено у електронний газ, в тому числі і в областях, які є далекими від лінійної поведінки. Показано, що, для того, щоб рух йонів був неусталеним, необхідно, щоб вони хоч іноді під час своїх коливань відходили один від одного на віддаль, більшу, ніж 1,5α. Для металів з валентністю, рівною одиниці, оцінено коливну енергію йону, яка потрібна для цього, а також ймовірність появи таких йонів. Одержані результати були узагальнені на металевий зразок. Досліджено випадок великої кількості «неусталених йонів». Oscillations and interaction of two positive ions embedded into electron gas are investigated including the region far from the linear behaviour. As shown, in order to be unstable movement of the ions, it is necessary that they go away one another on a distance larger than 1.5α at least sometimes during their oscillations. The vibrational energy of ion, which is necessary in order to take place for this separation, and probability of appearance of such ions are estimated for a univalent metals. The obtained results are generalized on a bulk metal. A case of a large number of ‘unstable ions’ is investigated.
first_indexed 2025-12-07T20:35:21Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146957
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1024-1809
language Russian
last_indexed 2025-12-07T20:35:21Z
publishDate 2018
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Засимчук, В.И.
Засимчук, Е.Э.
2019-02-12T16:37:09Z
2019-02-12T16:37:09Z
2018
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
1024-1809
PACS: 05.45.-a, 05.70.-a, 61.72.Bb, 62.20.fq, 62.25.Mn, 81.40.Lm, 83.50.Ha
DOI: https://doi.org/10.15407/mfint.40.06.0845
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146957
Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от друга на расстояния, больше 1,5α. Для одновалентных металлов оценены колебательная энергия иона, необходимая, чтобы это произошло, а также вероятность появления таких ионов. Полученные результаты обобщены на металлический образец. Рассмотрен случай большого числа «неустойчивых ионов».
Досліджено коливання та взаємодію двох позитивних йонів, яких занурено у електронний газ, в тому числі і в областях, які є далекими від лінійної поведінки. Показано, що, для того, щоб рух йонів був неусталеним, необхідно, щоб вони хоч іноді під час своїх коливань відходили один від одного на віддаль, більшу, ніж 1,5α. Для металів з валентністю, рівною одиниці, оцінено коливну енергію йону, яка потрібна для цього, а також ймовірність появи таких йонів. Одержані результати були узагальнені на металевий зразок. Досліджено випадок великої кількості «неусталених йонів».
Oscillations and interaction of two positive ions embedded into electron gas are investigated including the region far from the linear behaviour. As shown, in order to be unstable movement of the ions, it is necessary that they go away one another on a distance larger than 1.5α at least sometimes during their oscillations. The vibrational energy of ion, which is necessary in order to take place for this separation, and probability of appearance of such ions are estimated for a univalent metals. The obtained results are generalized on a bulk metal. A case of a large number of ‘unstable ions’ is investigated.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Дефекты кристаллической решётки
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
Деякі міркування щодо утворення дефектів у кристалах на атомарному рівні
Some Considerations for Formation of Defects in Crystals at the Atomic Level
Article
published earlier
spellingShingle Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
Засимчук, В.И.
Засимчук, Е.Э.
Дефекты кристаллической решётки
title Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_alt Деякі міркування щодо утворення дефектів у кристалах на атомарному рівні
Some Considerations for Formation of Defects in Crystals at the Atomic Level
title_full Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_fullStr Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_full_unstemmed Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_short Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_sort некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
topic Дефекты кристаллической решётки
topic_facet Дефекты кристаллической решётки
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146957
work_keys_str_mv AT zasimčukvi nekotoryesoobraženiâobobrazovaniidefektovvkristallahnaatomnomurovne
AT zasimčukeé nekotoryesoobraženiâobobrazovaniidefektovvkristallahnaatomnomurovne
AT zasimčukvi deâkímírkuvannâŝodoutvorennâdefektívukristalahnaatomarnomurívní
AT zasimčukeé deâkímírkuvannâŝodoutvorennâdefektívukristalahnaatomarnomurívní
AT zasimčukvi someconsiderationsforformationofdefectsincrystalsattheatomiclevel
AT zasimčukeé someconsiderationsforformationofdefectsincrystalsattheatomiclevel