Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Полу...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147028 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708841934749696 |
|---|---|
| author | Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| author_facet | Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| citation_txt | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов
Методами комп'ютерного моделювання досліджені профілі утворення точкових дефектів залежно від кута падіння іонів при опроміненні поверхні ніобієвої наноструктурної плівки іонами Tii⁺. Енергія Е іонів, що падають, змінювалася в інтервалі 0,5…2,0 кэВ, кут падіння варіювався від 0 до 80°. Отримані кутові залежності профілів розподілу вакансій і міжвузольних атомів. Показано, що існує інтервал кутів іонів, що падають, в якому спостерігаються максимальні значення концентрацій вакансій і міжвузольних атомів.
In the work of computer modeling methods, the profiles of the formation of point defects are studied as a function of the angle of incidence of ions upon irradiation of the surface of a niobium nanostructured film with Ti⁺ ions. The energy E of the incident ions varied in the energy range from 0.5 to 2.0 keV, the angle of incidence varied from 0 to 80°. Angular dependences of the profiles of the distribution of vacancies and interstitial atoms were obtained. It is shown that there exists an interval of angles of incident ions at which the maximum values of vacancy concentrations and interstitial atoms are observed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:13:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-147028 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:13:36Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Павленко, В.И. Марченко, И.Г. 2019-02-13T10:35:21Z 2019-02-13T10:35:21Z 2018 Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147028 539.534.9:523.23 Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов Методами комп'ютерного моделювання досліджені профілі утворення точкових дефектів залежно від кута падіння іонів при опроміненні поверхні ніобієвої наноструктурної плівки іонами Tii⁺. Енергія Е іонів, що падають, змінювалася в інтервалі 0,5…2,0 кэВ, кут падіння варіювався від 0 до 80°. Отримані кутові залежності профілів розподілу вакансій і міжвузольних атомів. Показано, що існує інтервал кутів іонів, що падають, в якому спостерігаються максимальні значення концентрацій вакансій і міжвузольних атомів. In the work of computer modeling methods, the profiles of the formation of point defects are studied as a function of the angle of incidence of ions upon irradiation of the surface of a niobium nanostructured film with Ti⁺ ions. The energy E of the incident ions varied in the energy range from 0.5 to 2.0 keV, the angle of incidence varied from 0 to 80°. Angular dependences of the profiles of the distribution of vacancies and interstitial atoms were obtained. It is shown that there exists an interval of angles of incident ions at which the maximum values of vacancy concentrations and interstitial atoms are observed. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ Комп’ютерне моделювання профiлiв дефектоутворення при низькотемпературному опромiненнi наноструктурної плiвки Nb iонами Ti⁺ Computer simulation of the profiles of defection for lowtemperature irradiation of nanostructural film Nb by Ti⁺ Article published earlier |
| spellingShingle | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ Павленко, В.И. Марченко, И.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_alt | Комп’ютерне моделювання профiлiв дефектоутворення при низькотемпературному опромiненнi наноструктурної плiвки Nb iонами Ti⁺ Computer simulation of the profiles of defection for lowtemperature irradiation of nanostructural film Nb by Ti⁺ |
| title_full | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_fullStr | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_full_unstemmed | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_short | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_sort | компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки nb ионами ti⁺ |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147028 |
| work_keys_str_mv | AT pavlenkovi kompʹûternoemodelirovanieprofileidefektoobrazovaniâprinizkotemperaturnomoblučeniinanostrukturnoiplenkinbionamiti AT marčenkoig kompʹûternoemodelirovanieprofileidefektoobrazovaniâprinizkotemperaturnomoblučeniinanostrukturnoiplenkinbionamiti AT pavlenkovi kompûternemodelûvannâprofilivdefektoutvorennâprinizʹkotemperaturnomuoprominenninanostrukturnoíplivkinbionamiti AT marčenkoig kompûternemodelûvannâprofilivdefektoutvorennâprinizʹkotemperaturnomuoprominenninanostrukturnoíplivkinbionamiti AT pavlenkovi computersimulationoftheprofilesofdefectionforlowtemperatureirradiationofnanostructuralfilmnbbyti AT marčenkoig computersimulationoftheprofilesofdefectionforlowtemperatureirradiationofnanostructuralfilmnbbyti |