Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Полу...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147028 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-147028 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Павленко, В.И. Марченко, И.Г. 2019-02-13T10:35:21Z 2019-02-13T10:35:21Z 2018 Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147028 539.534.9:523.23 Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов Методами комп'ютерного моделювання досліджені профілі утворення точкових дефектів залежно від кута падіння іонів при опроміненні поверхні ніобієвої наноструктурної плівки іонами Tii⁺. Енергія Е іонів, що падають, змінювалася в інтервалі 0,5…2,0 кэВ, кут падіння варіювався від 0 до 80°. Отримані кутові залежності профілів розподілу вакансій і міжвузольних атомів. Показано, що існує інтервал кутів іонів, що падають, в якому спостерігаються максимальні значення концентрацій вакансій і міжвузольних атомів. In the work of computer modeling methods, the profiles of the formation of point defects are studied as a function of the angle of incidence of ions upon irradiation of the surface of a niobium nanostructured film with Ti⁺ ions. The energy E of the incident ions varied in the energy range from 0.5 to 2.0 keV, the angle of incidence varied from 0 to 80°. Angular dependences of the profiles of the distribution of vacancies and interstitial atoms were obtained. It is shown that there exists an interval of angles of incident ions at which the maximum values of vacancy concentrations and interstitial atoms are observed. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ Комп’ютерне моделювання профiлiв дефектоутворення при низькотемпературному опромiненнi наноструктурної плiвки Nb iонами Ti⁺ Computer simulation of the profiles of defection for lowtemperature irradiation of nanostructural film Nb by Ti⁺ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| spellingShingle |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ Павленко, В.И. Марченко, И.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_full |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_fullStr |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_full_unstemmed |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_sort |
компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки nb ионами ti⁺ |
| author |
Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| author_facet |
Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2018 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Комп’ютерне моделювання профiлiв дефектоутворення при низькотемпературному опромiненнi наноструктурної плiвки Nb iонами Ti⁺ Computer simulation of the profiles of defection for lowtemperature irradiation of nanostructural film Nb by Ti⁺ |
| description |
Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов
Методами комп'ютерного моделювання досліджені профілі утворення точкових дефектів залежно від кута падіння іонів при опроміненні поверхні ніобієвої наноструктурної плівки іонами Tii⁺. Енергія Е іонів, що падають, змінювалася в інтервалі 0,5…2,0 кэВ, кут падіння варіювався від 0 до 80°. Отримані кутові залежності профілів розподілу вакансій і міжвузольних атомів. Показано, що існує інтервал кутів іонів, що падають, в якому спостерігаються максимальні значення концентрацій вакансій і міжвузольних атомів.
In the work of computer modeling methods, the profiles of the formation of point defects are studied as a function of the angle of incidence of ions upon irradiation of the surface of a niobium nanostructured film with Ti⁺ ions. The energy E of the incident ions varied in the energy range from 0.5 to 2.0 keV, the angle of incidence varied from 0 to 80°. Angular dependences of the profiles of the distribution of vacancies and interstitial atoms were obtained. It is shown that there exists an interval of angles of incident ions at which the maximum values of vacancy concentrations and interstitial atoms are observed.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147028 |
| citation_txt |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT pavlenkovi kompʹûternoemodelirovanieprofileidefektoobrazovaniâprinizkotemperaturnomoblučeniinanostrukturnoiplenkinbionamiti AT marčenkoig kompʹûternoemodelirovanieprofileidefektoobrazovaniâprinizkotemperaturnomoblučeniinanostrukturnoiplenkinbionamiti AT pavlenkovi kompûternemodelûvannâprofilivdefektoutvorennâprinizʹkotemperaturnomuoprominenninanostrukturnoíplivkinbionamiti AT marčenkoig kompûternemodelûvannâprofilivdefektoutvorennâprinizʹkotemperaturnomuoprominenninanostrukturnoíplivkinbionamiti AT pavlenkovi computersimulationoftheprofilesofdefectionforlowtemperatureirradiationofnanostructuralfilmnbbyti AT marčenkoig computersimulationoftheprofilesofdefectionforlowtemperatureirradiationofnanostructuralfilmnbbyti |
| first_indexed |
2025-12-07T17:13:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:13:36Z |
| _version_ |
1850870455344300032 |