Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons

Main features of cathodoluminescence (CL) of amorphous dielectrics exposed to pulsed beam of accelerated electrons are described. On the basis of a simplified two-level model of electron traps in the prohibited zone, it has been shown, that CL has got the prompt and delayed components determined b...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2018
Автори: Romanovsky, S.K., Uvarov, V.L.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147296
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons / S.K. Romanovsky, V.L. Uvarov // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 3. — С. 91-95. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-147296
record_format dspace
spelling Romanovsky, S.K.
Uvarov, V.L.
2019-02-14T07:46:12Z
2019-02-14T07:46:12Z
2018
Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons / S.K. Romanovsky, V.L. Uvarov // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 3. — С. 91-95. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 29.27.Ac; 41.75.Fr; 07.81.+a
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147296
Main features of cathodoluminescence (CL) of amorphous dielectrics exposed to pulsed beam of accelerated electrons are described. On the basis of a simplified two-level model of electron traps in the prohibited zone, it has been shown, that CL has got the prompt and delayed components determined by dynamics of filling the deep traps with the quasi-free electrons generated by irradiation. At great values of the absorbed dose and time after EOB, the recombination radiation can become apparent as well. The analytical expressions obtained for dynamics of the CL intensity are qualitatively agreed with the available experimental data. The conditions to use a CL signal induced in the technical materials for on-line diagnostics of a product processing regime at a radiation-industrial installation with an electron accelerator are studied.
Описані основні закономірності катодолюмінесценції (КЛ) аморфних діелектричних матеріалів під дією імпульсного пучка прискорених електронів. На основі спрощеної дворівневої моделі пасток електронів у забороненій зоні показано, що КЛ має миттєвий та затриманий компоненти, які визначаються динамікою заповнення глибоких пасток квазівільними електронами, що генеровані опроміненням. При великих значеннях поглинутої дози, та на великих проміжках часу може також проявлятися рекомбінаційне випромінювання. Одержані аналітичні вирази щодо динаміки інтенсивності КЛ якісно погоджуються з наявними експериментальними даними. Досліджено умови використання сигналу КЛ технічних матеріалів для on-line діагностики режиму обробки продукції на радіаційно-технологічних установках з прискорювачами електронів.
Описаны основные закономерности катодолюминесценции (КЛ) аморфных диэлектрических материалов под воздействием импульсного пучка ускоренных электронов. На основе упрощенной двухуровневой модели ловушек электронов в запретной зоне показано, что КЛ имеет мгновенный и задержанный компоненты, определяемые динамикой заполнения глубоких ловушек квазисвободными электронами, генерируемыми облучением. При больших значениях поглощенной дозы и на больших временных интервалах может проявляться также рекомбинационное излучение. Полученные аналитические выражения для динамики интенсивности КЛ качественно согласуются с имеющимися экспериментальными данными. Исследованы условия применения сигнала КЛ технических материалов для on-line диагностики режима обработки продукции на радиационно-технологических установках с ускорителями электронов.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
Механізми люмінесценції аморфних діелектриків під дією високоенергетичних електронів
Механизмы люминесценции аморфных диэлектриков под воздействием высокоэнеретичных электронов
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
spellingShingle Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
Romanovsky, S.K.
Uvarov, V.L.
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
title_short Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
title_full Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
title_fullStr Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
title_full_unstemmed Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
title_sort мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons
author Romanovsky, S.K.
Uvarov, V.L.
author_facet Romanovsky, S.K.
Uvarov, V.L.
topic Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
topic_facet Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
publishDate 2018
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Механізми люмінесценції аморфних діелектриків під дією високоенергетичних електронів
Механизмы люминесценции аморфных диэлектриков под воздействием высокоэнеретичных электронов
description Main features of cathodoluminescence (CL) of amorphous dielectrics exposed to pulsed beam of accelerated electrons are described. On the basis of a simplified two-level model of electron traps in the prohibited zone, it has been shown, that CL has got the prompt and delayed components determined by dynamics of filling the deep traps with the quasi-free electrons generated by irradiation. At great values of the absorbed dose and time after EOB, the recombination radiation can become apparent as well. The analytical expressions obtained for dynamics of the CL intensity are qualitatively agreed with the available experimental data. The conditions to use a CL signal induced in the technical materials for on-line diagnostics of a product processing regime at a radiation-industrial installation with an electron accelerator are studied. Описані основні закономірності катодолюмінесценції (КЛ) аморфних діелектричних матеріалів під дією імпульсного пучка прискорених електронів. На основі спрощеної дворівневої моделі пасток електронів у забороненій зоні показано, що КЛ має миттєвий та затриманий компоненти, які визначаються динамікою заповнення глибоких пасток квазівільними електронами, що генеровані опроміненням. При великих значеннях поглинутої дози, та на великих проміжках часу може також проявлятися рекомбінаційне випромінювання. Одержані аналітичні вирази щодо динаміки інтенсивності КЛ якісно погоджуються з наявними експериментальними даними. Досліджено умови використання сигналу КЛ технічних матеріалів для on-line діагностики режиму обробки продукції на радіаційно-технологічних установках з прискорювачами електронів. Описаны основные закономерности катодолюминесценции (КЛ) аморфных диэлектрических материалов под воздействием импульсного пучка ускоренных электронов. На основе упрощенной двухуровневой модели ловушек электронов в запретной зоне показано, что КЛ имеет мгновенный и задержанный компоненты, определяемые динамикой заполнения глубоких ловушек квазисвободными электронами, генерируемыми облучением. При больших значениях поглощенной дозы и на больших временных интервалах может проявляться также рекомбинационное излучение. Полученные аналитические выражения для динамики интенсивности КЛ качественно согласуются с имеющимися экспериментальными данными. Исследованы условия применения сигнала КЛ технических материалов для on-line диагностики режима обработки продукции на радиационно-технологических установках с ускорителями электронов.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147296
citation_txt Мechanisms of luminescence of amorphus dielectrics exposed to high-energy electrons / S.K. Romanovsky, V.L. Uvarov // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 3. — С. 91-95. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT romanovskysk mechanismsofluminescenceofamorphusdielectricsexposedtohighenergyelectrons
AT uvarovvl mechanismsofluminescenceofamorphusdielectricsexposedtohighenergyelectrons
AT romanovskysk mehanízmilûmínescencííamorfnihdíelektrikívpíddíêûvisokoenergetičnihelektronív
AT uvarovvl mehanízmilûmínescencííamorfnihdíelektrikívpíddíêûvisokoenergetičnihelektronív
AT romanovskysk mehanizmylûminescenciiamorfnyhdiélektrikovpodvozdeistviemvysokoéneretičnyhélektronov
AT uvarovvl mehanizmylûminescenciiamorfnyhdiélektrikovpodvozdeistviemvysokoéneretičnyhélektronov
first_indexed 2025-11-28T13:56:53Z
last_indexed 2025-11-28T13:56:53Z
_version_ 1850853751154278400