Влияние концентрации вакансий на релаксорные свойства сложных ниобатов щелочных и щелочно-земельных элементов

• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Мищук, Д.О., Вьюнов, О.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2008
• Schlagworte: Неорганическая и физическая химия
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/14731
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние концентрации вакансий на релаксорные свойства сложных ниобатов щелочных и щелочно-земельных элементов / Д.О. Мищук, О.И. Вьюнов // Украинский химический журнал. — 2008. — Т. 74, № 3. — С. 23-27. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Изучена последовательность фазовых превращений при образовании твердых растворов со структурой тетрагональной вольфрамовой бронзы (ТВБ). Определены кристаллографические параметры полученных твердых растворов. Электрофизические свойства поликристаллических материалов были исследованы в широком
 частотном и температурном диапазоне. Показано, что изменяя концентрацию вакансий в подрешетке А структуры ТВБ, можно влиять на релаксацию диэлектрических свойств. Вивчено послідовність фазових перетво-
 рень при утворенні твердих розчинів зі структурою тетрагональної вольфрамової бронзи (ТВБ). Визначено кристалографічні параметри отриманих твердих розчинів.
 Електрофізичні властивості полікристалічних матеріалів
 досліджено в широкому частотному і температурному діапазоні. Показано, що змінюючи концентрацію вакансій в підгратці А структури ТВБ, можна впливати на
 релаксацію діелектричних властивостей. The phase transformations occurring
 during the formation of solid solutions with tetragonal
 tungsten bronze structure (TTB) have been studied. The
 crystal lattice parameters of the solid solutions synthesized
 have been determined. Electrophysical properties of polycrystalline
 samples have been studied in wide frequency and
 temperature ranges. The change in A-site vacancy concentration
 in TTB structures has been shown to affect the
 relaxation of dielectric properties.