Power supply development for ion source of accelerator MLUD-3

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Gussev, Ye.V., Manuilenko, O.V., Sokol, V.N., Turchin, А.А., Zhiznevsky, V.V.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
• Schlagworte: Нерелятивистская электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147336
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Power supply development for ion source of accelerator MLUD-3 / Ye.V. Gussev, O.V. Manuilenko, V.N. Sokol, А.А. Turchin, V.V. Zhiznevsky // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 4. — С. 42-45. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

The paper presents the results obtained during the development of the design of the power supply for a ions
 source of the douplasmatron type with a hollow cold cathode, which operates in a pulsed mode .The experience of
 using the existing power supply device is generalized and the need for work on a new power supply device creation
 is justified. The choice of circuit solutions for the design is discussed, as well as the main parameters of the device Наведені результати, отримані в процесі розробки конструкції пристрою живлення для джерела іонів типу дуаплазматрон з порожнистим холодним катодом, який працює в імпульсному режимі. Узагальнено досвід використання існуючого пристрою живлення і обґрунтовано необхідність проведення робіт по створенню нового пристрою живлення.
 Обговорюється вибір схемних рішень, покладених в основу розробки, а також наведено основні параметри пристрою. Приведены результаты, полученные в процессе разработки конструкции устройства питания для источника ионов
 типа дуаплазматрон с полым холодным катодом, работающим в импульсном режиме. Обобщен опыт использования
 имеющегося устройства и обоснована необходимость проведения работ по созданию нового устройства питания. Обсуждается выбор схемных решений, положенных в основу разработки, а также приведены основные параметры устройства.