Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures

• Veröffentlicht in: Електротехніка і електромеханіка
• Datum: 2017
• 1. Verfasser: Ganji, J.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Інститут технічних проблем магнетизму НАН України 2017
• Schlagworte: Теоретична електротехніка та електрофізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147602
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures / J. Ganji // Електротехніка і електромеханіка. — 2017. — № 6. — С. 47-52. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Purpose. Silicon heterostructure solar cells, particularly Heterojunction with Intrinsic Thin layer (HIT) cells, are of recommended silicon cells in recent years that are simply fabricated at low processing temperature and have high optical and temperature stability and better efficiency than homo...