Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium

he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy
 methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at
 irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities R...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2018
Main Authors: Madatov, R.S., Gadzhieva, N.N., Asadov, F.G., Asadova, Z.I.
Format: Article
Language:English
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147670
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862689873828249600
author Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
author_facet Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
citation_txt Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy
 methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at
 irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and IR adsorption bands the
 characterizing the layer oscillations does not change, which is due to the stability of the crystal lattice. At absorbed
 doses of Фγ ≥ 50 krad, changes in these parameters are observed, which lead to a change in the degree of structural
 disorder and, consequently, of the radiation structural modification of the layered crystal. Fourier-IR reflection
 spectra revealed that gamma-irradiation at doses of Фγ ≥ 50 krad leads to a deterioration of the surface state of
 gallium sulphide. Досліджена радіаційна модифікація структури шаруватого кристала GaS методом фур'є-раманспектроскопії в області поглиненої дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад). Встановлено, що при дозах
 опроміненні Фγ ≤ 50 крад напівширина і інтенсивності раман-ліній, що характеризують шарові коливання, не
 змінюються, що пов'язано зі стабільністю кристалічної решітки. При поглинених дозах Фγ ≥ 50 крад
 спостерігаються зміни цих параметрів, що викликано зміною ступеня структурного безладу і, отже,
 радіаційною структурною модифікацією шаруватого кристала. За фур'є-ІЧ-спектрами відображення
 виявлено, що гамма-опромінення при дозах Фγ ≥ 50 крад призводить до погіршення поверхневого стану
 сульфіду галію. Исследована радиационная модификация структуры слоистого кристалла GaS методом фурье-раманспектроскопии в области поглощенной дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад). Установлено, что при
 дозах облучении Фγ ≤ 50 крад полуширина и интенсивности раман-линий, характеризующие слоевые
 колебания, не изменяются, что связано со стабильностью кристаллической решетки. При поглощенных
 дозах Фγ ≥ 50 крад наблюдаются изменения этих параметров, что вызвано изменением степени структурного
 беспорядка и, следовательно, радиационной структурной модификацией слоистого кристалла. По фурье-ИКспектрам отражения выявлено, что гамма-облучение при дозах Фγ ≥ 50 крад приводит к ухудшению
 поверхностного состояния сульфида галлия.
first_indexed 2025-12-07T16:12:22Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-147670
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language English
last_indexed 2025-12-07T16:12:22Z
publishDate 2018
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
2019-02-15T17:35:44Z
2019-02-15T17:35:44Z
2018
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 78.30.Fs; 61.80.Ed; 61.82.Fk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147670
he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy
 methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at
 irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and IR adsorption bands the
 characterizing the layer oscillations does not change, which is due to the stability of the crystal lattice. At absorbed
 doses of Фγ ≥ 50 krad, changes in these parameters are observed, which lead to a change in the degree of structural
 disorder and, consequently, of the radiation structural modification of the layered crystal. Fourier-IR reflection
 spectra revealed that gamma-irradiation at doses of Фγ ≥ 50 krad leads to a deterioration of the surface state of
 gallium sulphide.
Досліджена радіаційна модифікація структури шаруватого кристала GaS методом фур'є-раманспектроскопії в області поглиненої дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад). Встановлено, що при дозах
 опроміненні Фγ ≤ 50 крад напівширина і інтенсивності раман-ліній, що характеризують шарові коливання, не
 змінюються, що пов'язано зі стабільністю кристалічної решітки. При поглинених дозах Фγ ≥ 50 крад
 спостерігаються зміни цих параметрів, що викликано зміною ступеня структурного безладу і, отже,
 радіаційною структурною модифікацією шаруватого кристала. За фур'є-ІЧ-спектрами відображення
 виявлено, що гамма-опромінення при дозах Фγ ≥ 50 крад призводить до погіршення поверхневого стану
 сульфіду галію.
Исследована радиационная модификация структуры слоистого кристалла GaS методом фурье-раманспектроскопии в области поглощенной дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад). Установлено, что при
 дозах облучении Фγ ≤ 50 крад полуширина и интенсивности раман-линий, характеризующие слоевые
 колебания, не изменяются, что связано со стабильностью кристаллической решетки. При поглощенных
 дозах Фγ ≥ 50 крад наблюдаются изменения этих параметров, что вызвано изменением степени структурного
 беспорядка и, следовательно, радиационной структурной модификацией слоистого кристалла. По фурье-ИКспектрам отражения выявлено, что гамма-облучение при дозах Фγ ≥ 50 крад приводит к ухудшению
 поверхностного состояния сульфида галлия.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
Радіаційна модифікація структури шаруватих кристалів сульфіду галію
Радиационная модификация структуры слоистых кристаллов сульфида галлия
Article
published earlier
spellingShingle Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
title Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_alt Радіаційна модифікація структури шаруватих кристалів сульфіду галію
Радиационная модификация структуры слоистых кристаллов сульфида галлия
title_full Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_fullStr Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_full_unstemmed Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_short Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_sort radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147670
work_keys_str_mv AT madatovrs radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT gadzhievann radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT asadovfg radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT asadovazi radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT madatovrs radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT gadzhievann radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT asadovfg radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT asadovazi radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT madatovrs radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ
AT gadzhievann radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ
AT asadovfg radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ
AT asadovazi radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ