Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium

he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and I...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2018
Main Authors: Madatov, R.S., Gadzhieva, N.N., Asadov, F.G., Asadova, Z.I.
Format: Article
Language:English
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147670
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-147670
record_format dspace
spelling Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
2019-02-15T17:35:44Z
2019-02-15T17:35:44Z
2018
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 78.30.Fs; 61.80.Ed; 61.82.Fk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147670
he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and IR adsorption bands the characterizing the layer oscillations does not change, which is due to the stability of the crystal lattice. At absorbed doses of Фγ ≥ 50 krad, changes in these parameters are observed, which lead to a change in the degree of structural disorder and, consequently, of the radiation structural modification of the layered crystal. Fourier-IR reflection spectra revealed that gamma-irradiation at doses of Фγ ≥ 50 krad leads to a deterioration of the surface state of gallium sulphide.
Досліджена радіаційна модифікація структури шаруватого кристала GaS методом фур'є-раманспектроскопії в області поглиненої дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад). Встановлено, що при дозах опроміненні Фγ ≤ 50 крад напівширина і інтенсивності раман-ліній, що характеризують шарові коливання, не змінюються, що пов'язано зі стабільністю кристалічної решітки. При поглинених дозах Фγ ≥ 50 крад спостерігаються зміни цих параметрів, що викликано зміною ступеня структурного безладу і, отже, радіаційною структурною модифікацією шаруватого кристала. За фур'є-ІЧ-спектрами відображення виявлено, що гамма-опромінення при дозах Фγ ≥ 50 крад призводить до погіршення поверхневого стану сульфіду галію.
Исследована радиационная модификация структуры слоистого кристалла GaS методом фурье-раманспектроскопии в области поглощенной дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад). Установлено, что при дозах облучении Фγ ≤ 50 крад полуширина и интенсивности раман-линий, характеризующие слоевые колебания, не изменяются, что связано со стабильностью кристаллической решетки. При поглощенных дозах Фγ ≥ 50 крад наблюдаются изменения этих параметров, что вызвано изменением степени структурного беспорядка и, следовательно, радиационной структурной модификацией слоистого кристалла. По фурье-ИКспектрам отражения выявлено, что гамма-облучение при дозах Фγ ≥ 50 крад приводит к ухудшению поверхностного состояния сульфида галлия.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
Радіаційна модифікація структури шаруватих кристалів сульфіду галію
Радиационная модификация структуры слоистых кристаллов сульфида галлия
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
spellingShingle Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
title_short Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_full Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_fullStr Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_full_unstemmed Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_sort radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
author Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
author_facet Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
publishDate 2018
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Радіаційна модифікація структури шаруватих кристалів сульфіду галію
Радиационная модификация структуры слоистых кристаллов сульфида галлия
description he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and IR adsorption bands the characterizing the layer oscillations does not change, which is due to the stability of the crystal lattice. At absorbed doses of Фγ ≥ 50 krad, changes in these parameters are observed, which lead to a change in the degree of structural disorder and, consequently, of the radiation structural modification of the layered crystal. Fourier-IR reflection spectra revealed that gamma-irradiation at doses of Фγ ≥ 50 krad leads to a deterioration of the surface state of gallium sulphide. Досліджена радіаційна модифікація структури шаруватого кристала GaS методом фур'є-раманспектроскопії в області поглиненої дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад). Встановлено, що при дозах опроміненні Фγ ≤ 50 крад напівширина і інтенсивності раман-ліній, що характеризують шарові коливання, не змінюються, що пов'язано зі стабільністю кристалічної решітки. При поглинених дозах Фγ ≥ 50 крад спостерігаються зміни цих параметрів, що викликано зміною ступеня структурного безладу і, отже, радіаційною структурною модифікацією шаруватого кристала. За фур'є-ІЧ-спектрами відображення виявлено, що гамма-опромінення при дозах Фγ ≥ 50 крад призводить до погіршення поверхневого стану сульфіду галію. Исследована радиационная модификация структуры слоистого кристалла GaS методом фурье-раманспектроскопии в области поглощенной дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад). Установлено, что при дозах облучении Фγ ≤ 50 крад полуширина и интенсивности раман-линий, характеризующие слоевые колебания, не изменяются, что связано со стабильностью кристаллической решетки. При поглощенных дозах Фγ ≥ 50 крад наблюдаются изменения этих параметров, что вызвано изменением степени структурного беспорядка и, следовательно, радиационной структурной модификацией слоистого кристалла. По фурье-ИКспектрам отражения выявлено, что гамма-облучение при дозах Фγ ≥ 50 крад приводит к ухудшению поверхностного состояния сульфида галлия.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147670
citation_txt Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT madatovrs radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT gadzhievann radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT asadovfg radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT asadovazi radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT madatovrs radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT gadzhievann radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT asadovfg radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT asadovazi radíacíinamodifíkacíâstrukturišaruvatihkristalívsulʹfídugalíû
AT madatovrs radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ
AT gadzhievann radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ
AT asadovfg radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ
AT asadovazi radiacionnaâmodifikaciâstrukturysloistyhkristallovsulʹfidagalliâ
first_indexed 2025-12-07T16:12:22Z
last_indexed 2025-12-07T16:12:22Z
_version_ 1850866602740809728