Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках
В рамках модифицированного метода эффективной массы вариационным методом получен энергетический спектр основного состояния электронно-дырочной пары, находящейся в объеме квантовой точки оксида меди, помещенной в матрицу кварцевого стекла, как функция радиуса квантовой точки. Показано, что коротково...
Saved in:
| Published in: | Поверхность |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148015 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках / С.И. Покутний, П.П. Горбик, Н.В. Борисенко, Л.И. Борисенко, К.А. Черный // Поверхность. — 2014. — Вип. 6 (21). — С. 25-31. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860163355794210816 |
|---|---|
| author | Покутний, С.И. Горбик, П.П. Борисенко, Н.В. Борисенко, Л.И. Черный, К.А. |
| author_facet | Покутний, С.И. Горбик, П.П. Борисенко, Н.В. Борисенко, Л.И. Черный, К.А. |
| citation_txt | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках / С.И. Покутний, П.П. Горбик, Н.В. Борисенко, Л.И. Борисенко, К.А. Черный // Поверхность. — 2014. — Вип. 6 (21). — С. 25-31. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Поверхность |
| description | В рамках модифицированного метода эффективной массы вариационным методом получен энергетический спектр основного состояния электронно-дырочной пары, находящейся в объеме квантовой точки оксида меди, помещенной в матрицу кварцевого стекла, как функция радиуса квантовой точки. Показано, что коротковолновый сдвиг пика спектра поглощения такой наноситемы обусловлен размерным квантованием энергетического спектра основного состояния электронно-дырочной пары, находящейся в объеме квантовой точки.
The modified method of the effective mass, energy spectrum is obtained by executed ground state exciton, the moving of quantum dot (QD), placed in a matrix of borosilicate glass as a function of radius QD. Shown that the short-wave absorption spectra peaks shifts and low-temperature luminescence such nanosystems arise from the dimensional quantization energy spectrum of the exciton ground state, moving to QD.
В рамках модифікаційного методу ефективної маси варіаційним методом отримано енергетичний спектр основного стану електронно-діркової пари, яка знаходиться в об’ємі квантової точки (КТ), в матриці боросилікатного скла, як функція радіуса КТ. Показано, що короткохвильові зсуви максимумів спектрів поглинання та низькотемпературної люмінесценції такої наносистеми зумовлені розмірним квантуванням енергетичного спектра основного стану електронно-діркової пари, яка знаходиться в об’ємі КТ.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:55:45Z |
| format | Article |
| fulltext |
Поверхность. 2014. Вып. 6(21). С. 25–31 25
PACS numbers: 73.21.La, 73.63.Kv, 71.18+y
СПЕКТР ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОЙ ПАРЫ В
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ
С.И. Покутний, П.П. Горбик, Н.В. Борисенко, Л.И. Борисенко, К.А. Черный
Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко Национальной академии наук Украины,
ул. Генерала Наумова, 17, Киев, 03164, Украина, Pokutnyi_Sergey@inbox.ru
В рамках модифицированного метода эффективной массы вариационным методом
получен энергетический спектр основного состояния электронно-дырочной пары, находящейся
в объеме квантовой точки оксида меди, помещенной в матрицу кварцевого стекла, как
функция радиуса квантовой точки. Показано, что коротковолновый сдвиг пика спектра
поглощения такой наноситемы обусловлен размерным квантованием энергетического спектра
основного состояния электронно-дырочной пары, находящейся в объеме квантовой точки.
Введение
Оптические и электрооптические свойства квазинульмерных наноструктур,
предстающих собой полупроводниковые квантовые точки (КТ) сферической формы с
радиусом 101a нм, выращенные в прозрачных диэлектрических (или
полупроводниковых) матрицах, в значительной мере определяются энергетическим
спектром пространственно-ограниченной электронно-дырочной пары (экситона) [1–8].
Энергетический спектр носителей заряда в КТ, начиная с размеров a порядка
боровского радиуса электрона ea или дырки ha и менее, будет полностью дискретным
[9–14]. Поэтому такие КТ называют «сверхатомами» [15–18]. В этих условиях влияние
сферической поверхности раздела (КТ – диэлектрическая матрица) может вызвать
размерное квантование энергетического спектра электрона и дырки в КТ, связанное как
с чисто пространственным ограничением области квантования, так и с
поляризационным взаимодействием носителей заряда с поверхностью КТ [1–7].
Поскольку энергетическая щель полупроводникового материала, который
содержит в своем объеме КТ, существенно меньше, чем в диэлектрических
(полупроводниковых) матрицах, то движение носителей заряда в сферической КТ
ограничено во всех трех направлениях объемом КТ (т.е. носители заряда двигаются в
трехмерной сферической потенциальной яме КТ). Последнее обстоятельство приводит
к тому, что квазичастицы (электрон, дырка и экситон) в КТ не обладают
квазиимпульсом. Поэтому можно говорить только о состояниях квазичастиц в КТ. В
дальнейшем под экситоном в КТ будем понимать такое экситонное состояние в КТ,
которое не имеет квазиимпульса [10–13].
В большинстве теоретических моделей, в которых рассчитывались
энергетические спектры квазичастиц в КТ, авторами использовалось приближение
эффективной массы, которому приписывалась применимость к КТ по аналогии с
массивными монокристаллами [9,10]. Вопрос о применимости приближения
эффективной массы к описанию полупроводниковых КТ до сих пор является
нерешенным [13].
В работе [13] предложен новый модифицированный метод эффективной массы,
с помощью которого описывался энергетический спектр экситона в
полупроводниковых КТ с радиусами 0
exaa ( 0
exa – боровский радиус экситона в
полупроводниковом материале, который содержится в объеме КТ). Показано, что в
рамках модели КТ, в которой КТ моделировалась бесконечно глубокой потенциальной
ямой, приближение эффективной массы можно применять к описанию экситона в КТ с
26
радиусами a , сравнимыми с боровским радиусом экситона 0
exa , считая, что
приведенная эффективная масса экситона )(a является функцией радиуса a КТ.
В экспериментальной работе [19] исследовались оптические свойства образцов
кварцевого стекла, содержащих КТ окиси меди (CuO). Средние радиусы a таких КТ
находились в диапазоне 0,120,2 a нм и были соизмеримы с боровским радиусом
экситона 13,10 exa нм в монокристалле CuO. При малых концентрациях КТ, когда
оптические свойства образцов в основном определялись оптическими свойствами
одиночных КТ в матрице кварцевого стекла, в образцах были обнаружены сдвиги
максимумов (пиков) спектров поглощения в коротковолновую область (по отношению
к ширине запрещенной зоны 5,1gE эВ монокристалла CuO).
В настоящей работе вариационным методом в рамках модифицированного
метода эффективной массы [13] получен энергетический спектр основного состояния
электронно-дырочной пары, находящейся в объеме КТ окиси меди, как функция
радиуса a КТ. Путем сравнения энергетического спектра основного состояния
электронно-дырочной пары в КТ со значением пика спектра поглощения образцов
получены средние радиусы КТ окиси меди, которые находились в диапазоне средних
радиусов КТ исследованных в условиях экспериментов [19]. Показано, что
коротковолновый сдвиг пика спектра поглощения образцов обусловлен размерным
квантованием энергетического спектра основного состояния электронно-дырочной
пары, находящейся в объеме КТ окиси меди.
Энергия основного состояния электронно-дырочной пары в квантовой точке
Рассмотрим модель квазинульмерной системы – нейтральную
полупроводниковую сферическую КТ радиуса a , которая содержит в своем объеме
полупроводниковый материал с диэлектрической проницаемостью 2 в среде с
диэлектрической проницаемостью 1 . В объеме такой КТ движется электрон e и дырка
h с эффективными массами em и hm ( er и hr – расстояние электрона и дырки от центра
КТ) (рис. 1).
Рис. 1. Схематическое изображение экситона в сферической полупроводниковой квантовой
точке. Радиус-векторы er и hr определяют расстояние электрона e и дырки h от
центра КТ радиусаa . Заряды изображений erae e )/( и hrah h )/( расположены на
расстояниях )/( 2
ee rar и )/( 2
hh rar от центра КТ 0 и представляют собой
точечные заряды изображения электрона и дырки соответственно.
Предполагалось также, что зоны электронов и дырок имели параболическую
форму. Характерными размерами задачи являются величины: 0
,,, exhe aaaa , где
2 2 2
02 2 2
2 2 2
0
, ,e h ex
e h
a a a
m e m e e
(1)
27
боровские радиусы электрона, дырки и экситона соответственно в полупроводнике с
диэлектрической проницаемостью 2 ( e – заряд электрона, )/(0 hehe mmmm –
приведенная эффективная масса экситона).
Энергию поляризационного взаимодействия ),( , arrU he электрона и дырки со
сферической поверхностью раздела КТ – диэлектрическая матрица при относительной
диэлектрической проницаемости 1)/( 12 можно представить в виде
алгебраической суммы энергий взаимодействия дырки и электрона со своими
),( arV hhh , ),( arV eee и «чужими» ),,(),,( arrVarrV heehhehe изображениями
соответственно [9,10,13] (рис. 1):
)2(),,(),,(),(),(),,( arrVarrVarVarVarrU heehheheeeehhhhe
где
)5(
cos2/2
),,(),,(
)4(,
2
),(
)3(,
2
),(
2/122
2
2
1
2
22
2
2
2
1
2
22
2
2
2
arrarr
ae
arrVarrV
ra
e
a
e
arV
ra
a
a
e
arV
hehe
heehhehe
e
eee
h
hhh
В изучаемой модели квазинульмерной структуры в рамках вышеизложенных
приближений, а также в приближении эффективной массы с использованием системы
триангулярных координат hehhee rrrrrrr ,, c началом в центре КТ
гамильтониан электронно-дырочной пары, движущейся в объеме КТ, принимает вид
[13]:
2 2 22 2 2 2
2
2 2 22 2 2 2
2 2
0
2
( , , )
2 2
2 2
2
( ) ( , , ) ( , ) , (6)
e h
e h
e e e e e e h
h e
h h h h h
o
eh e h e h g
r r r
H r r a
m r r r r r r r m
r r r
r r r r r r r r r r
V r U r r a V r r E
где первые три члена являются операторами кинетической энергии электрона, дырки и
экситона, o
gE – ширина запрещенной зоны в неограниченном полупроводнике с
диэлектрической проницаемостью 2 . В гамильтониане ),,( arrH he (6) энергия
поляризационного взаимодействия ),,( arrU he определяется с помощью формул (2) –
(5), а энергия кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой )(rVeh
описывается формулой
2
2
( ) . (7)eh
e
V r
r
В гамильтониане (6) электронно-дырочной пары потенциал
)8(
,,
,,0
),(
arr
arr
rrV
he
he
he
28
описывает движение квазичастиц в объеме КТ с помощью модели бесконечно глубокой
потенциальной ямы.
Вариационную радиальную волновую функцию основного состояния
электронно-дырочной пары (1 s -состояния электрона и 1 s -состояния дырки) в КТ
радиуса a запишем в таком виде [14]:
)9(.
)/()()(
)/sin()/sin()(
exp),,(
2
2
22
2
22
0
0
0
a
rrar
a
r
a
ra
a
ra
r
ar
r
ar
a
ra
arrr
hhehe
h
h
e
e
ex
he
Здесь коэффициент A определяется из условия нормировки волновой функции (9)
he rr
r
he
a
h
a
e rdrrrrdrdr ,1),,(0
00
а эффективная приведенная масса экситона )(a является вариационным параметром.
Для определения вариационным методом энергии основного состояния
электронно-дырочной пары )(0,0,1;0,0,1 aE в КТ радиуса a запишем среднее значение
гамильтониана (7) на волновых функциях (10) в следующем виде:
1,0,0;1,0,0 0 0
0 0
0 0
, ( ) ( , , ) ( , , ) ( , , )
( , , ) ( , , ) ( , , ) (10)
e h
e h e h e h
r ra a
e h e h e h e h e h
r
E a a r r r H r r a r r r
dr dr dr r r r r r r H r r a r r r
Расчет зависимости энергетического спектра )(0,0,1;0,0,1 aE основного состояния
электронно-дырочной пары 0,1;0,1( hhheee mlnmln (где eee mln ,, и hhh mln ,,
– главное, орбитальное и магнитное квантовые числа электрона и дырки
соответственно) от радиуса КТ a , получим путем минимизации функционала
)(,0,0,1;0,0,1 aaE (10)
0)),((
)(
)(,0,0,1;0,0,1
aaF
a
aaE
Результаты вариационного расчета энергетического спектра основного
состояния электронно-дырочной пары )(0,0,1;0,0,1 aE (10) в КТ, радиус а которой лежит в
диапазоне 0,110,2 a нм, получены с использованием условий экспериментов [19]
(см. рис. 2).
Рис. 2. Энергетический спектр основного состояния электронно-дырочной пары )(0,0,1;0,0,1 aE
(10) как функция радиуса a квантовой точки окиси меди.
29
Спектр )(0,0,1;0,0,1 aE (10) применим только для основного состояния электронно-
дырочной пары 0,1;0,1( hhheee mlnmln , для которого выполняется
неравенство
),()( 0
0,0,1;0,0,1 aVEaE g
где )(aV глубина потенциальной ямы для электрона в КТ. Для широкого класса
полупроводниковых 62BA КТ в области размеров ,0
exaa величина
)5,23,2()( aV эВ [1].
Из результатов вариационного расчета энергетического спектра основного
состояния электронно-дырочной пары )(0,0,1;0,0,1 aE (10) следует, что в наносистеме
связанное состояние электронно-дырочной пары (которое является аналогом донорно-
акцепторной пары) возникает, начиная с радиуса а КТ, превышающего значение ac (1)
=10,84 нм (см. рис. 2).
В экспериментальной работе [19] исследовались образцы кварцевых стекол,
легированных CuO с концентрациями от x = 0,003% до 1%, полученные золь-гель
методом. Средние радиусы a КТ окиси меди, которые возникали в образцах,
находились в диапазоне 110,2 a нм. При малых концентрациях КТ (x = 0,003% и
x = 0,03%) расстояния между КТ были гораздо большими, чем боровские радиусы
электрона и дырки в монокристалле окиси меди. Поэтому взаимодействием носителей
зарядов, локализованных вблизи поверхностей КТ, можно пренебречь. Последнее
обстоятельство приводит к тому, что оптические свойства таких наносистем в
основном определяются энергетическими спектрами электрона и дырки
локализованных вблизи сферической поверхности одиночных КТ в матрице кварцевого
стекла. В [20] был обнаружен сдвиг максимума спектра поглощения на величину
8001 E мэВ по отношению к ширине запрещенной зоны монокристалла окиси меди
( 50,10 gE эВ) в коротковолновую область при комнатной температуре KT 300 в
образцах c x = 0,03%.
Сравнивая энергию основного состояния электронно-дырочной пары
)(0,0,1;0,0,1 aE (10), находящейся в объеме КТ, со значением пика поглощения 8001 E
мэВ, получим средний радиус 2,21 a нм КТ окиси меди (см. рис. 2). При этом
значение радиуса КТ 1a может быть несколько завышенным, поскольку
вариационный расчет спектра электронно-дырочной пары дает завышенные значения
энергии [10]. Найденное значение среднего радиуса 1a КТ окиси меди находится в
диапазоне средних радиусов ( 0,110,2 a нм) КТ, исследованных в условиях
экспериментов [19].
Таким образом, коротковолновый сдвиг пика спектра поглощения образцов
вызван размерным квантованием энергетического спектра основного состояния
электронно-дырочной пары, находящейся в объеме КТ окиси меди.
Выводы
Путем сравнения зависимости энергетического спектра основного состояния
электронно-дырочной пары (10) от радиуса a КТ, полученной вариационным методом
в рамках модифицированного метода эффективной массы [13], с экспериментальными
значениями пиков спектров поглощения [19], найдены средние радиусы КТ окиси
меди. Показано, что коротковолновые сдвиги пиков спектров поглощения образцов
обусловлены размерным квантованием энергетического спектра основного состояния
электронно-дырочной пары, находящейся в объеме КТ окиси меди. По-видимому,
30
применение такого нового оптического метода позволит также определять характерные
размеры, а также оптические параметры квазиодномерных и квазидвумерных
наносистем.
Литература
1. Grabovskis V., Dzenis Y., Ekimov A. Nonlinear- optical of semiconductor-doped
glasses // Solid State Phys. –1989. – V.31, N. 1. – P. 272-274.
2. Bondar N. V., Brodyn M.S. Optical properties of semiconductor nanostructures //
Physics E. – 2010. – V.4, N. 10. – P. 1549-1555.
3. Dzyuba V. P., Krasnok A.E., Kulchin J. N. Nonlinear- optical properties of the
dielectric nanoparticles inserted into a dielectric matrix // Techn. Physics Letters. –
2010. – V.36, N. 21. – P. 1-9.
4. Kulchin J. N., Dzyuba V. P. Optical properties of the dielectric nanoparticles inserted
into a dielectric matrix // Pacific Science Rev. – 2010. – V.12, N. 1. – P. 102-105.
5. Malyukin Y.V. Activation nanocrystals dielectric // Radiation Measurem. – 2010. – V.
4, N. 3. – P. 589-594.
6. Суворова Т.И., Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С. Усиление
люминесценции молекул красителей в присутствии серебряных наночастиц //
Оптический журнал. – 2012. – Т. 79, № 1. – С. 79-82.
7. Borysenko M.V., Bogatyrev V.M., Poddenezhny et al. Application of chromium-
containing silica for synthesising functional glasslike materials by the sol-gel method //
J. Sol-Gel Sci. Technol. – 2004. – V. 32, N. 3. – P. 327-331.
8. Борисенко Н.В., Сулим И.Я., Борисенко Л.И. Модифицирование
высокодисперсного кремнезема ацетилацетонаном циркония // Теорет. эксперим.
химия. – 2008.- Т. 44, № 3. – С. 191 – 195.
9. Pokutnyi S.I. Optical nanolaser on the heavy hole transition in semiconductor
nanocrystals // Physics Letters A. – 2005. – V.342, N. 5. – P. 347-352.
10. Pokutnyi S.I. Exciton in quasi-zero-dimensional nanostructures // Physics Letters A. –
1995. – V. 203, N. 5,6. – P. 388-394.
11. Pokutnyi S.I. Binding energy of the exciton of a spatially separated electron and hole
in quasi-zero-dimensional nanosystems // Techn. Physics Letters. – 2013. – V. 39, N. 3.
– P. 233-235.
12. Pokutnyi S.I. On an exciton with a spatially separated electron and hole in quasi-zero-
dimensional nanostructures // Semiconductors. – 2013. – V.47, N 6. – P. 791-798.
13. Pokutnyi S.I. Exciton states in semiconductor quantum dots in framework of the
modified effective mass method // Semiconductors. – 2007. – V.41, N 11. – P. 1323-
1400.
14. Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P. Absorption of light in electron states in quasi-zero-
dimensional nanostructures // Optics. – 2013. – V. 2, N. 4. – P. 47-50.
15. Андрюшин Е.А., Быков А.А. Сверхатомы в полупроводниковых структурах //
Успехи физ. наук. – 1998 – Т. 154, № 1. – С. 123 – 131.
16. Watanabe H., Inoshita T. Optical properties semiconductors heterostructures //
Optoelectron. Device Technol. – 1996. – V. 1, N 1. – P. 33-39.
17. Покутний С.И., Горбик П.П. Электронные свойства наноразмерных квазиатомных
структур // Успехи физ. мет. – 2013. – Т. 14, № 4. – С.1-25.
18. Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P. Superatoms in quasi-zero-dimensional nanostructures // J.
Applied Chem. – 2013. – V. 1, N. 1. – P. 44-47.
19. Борисенко Н.В., Кулик К.С., Дяченко А.Г., Чернявская Т.В., Борисенко Л.И.
Термические превращения ацетилацетоната меди на поверхности
31
високодисперсного кремнезема // Химия, физика и технология поверхности. –
2013. - Т. 4, № 3. – С. 320 –326.
СПЕКТР ЕЛЕКТРОННО-ДІРКОВОЇ ПАРИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ
КВАНТОВИХ ТОЧКАХ
С.І. Покутній, П.П. Горбик, М.В. Борисенко, Л.І. Борисенко, К.А. Чорний
Інститут хімії поверхні ім.О.О. Чуйка Національної академії наук України вул.
Генерала Наумова, 17, Київ, 03164, Україна, pokutnyi_sergey@inbox.ru
В рамках модифікаційного методу ефективної маси варіаційним методом
отримано енергетичний спектр основного стану електронно-діркової пари, яка
знаходиться в об’ємі квантової точки (КТ), в матриці боросилікатного скла, як
функція радіуса КТ. Показано, що короткохвильові зсуви максимумів спектрів
поглинання та низькотемпературної люмінесценції такої наносистеми зумовлені
розмірним квантуванням енергетичного спектра основного стану електронно-
діркової пари, яка знаходиться в об’ємі КТ.
SPECTRUM ELECTRON - HOLE PAIR IN SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, N.V. Borysenko, L.I. Borysenko, К.А. Chornyi
Chuiko Institute of Surface Chemistry of National Academy of Sciences of Ukraine
17 General Naumov Str., Kyiv, 03164, Ukraine, pokutnyi_sergey@inbox.ru
The modified method of the effective mass, energy spectrum is obtained by executed
ground state exciton, the moving of quantum dot (QD), placed in a matrix of borosilicate
glass as a function of radius QD. Shown that the short-wave absorption spectra peaks shifts
and low-temperature luminescence such nanosystems arise from the dimensional quantization
energy spectrum of the exciton ground state, moving to QD.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-148015 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2617-5975 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:55:45Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Покутний, С.И. Горбик, П.П. Борисенко, Н.В. Борисенко, Л.И. Черный, К.А. 2019-02-16T16:59:28Z 2019-02-16T16:59:28Z 2014 Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках / С.И. Покутний, П.П. Горбик, Н.В. Борисенко, Л.И. Борисенко, К.А. Черный // Поверхность. — 2014. — Вип. 6 (21). — С. 25-31. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 2617-5975 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148015 73.21.La, 73.63.Kv, 71.18+y В рамках модифицированного метода эффективной массы вариационным методом получен энергетический спектр основного состояния электронно-дырочной пары, находящейся в объеме квантовой точки оксида меди, помещенной в матрицу кварцевого стекла, как функция радиуса квантовой точки. Показано, что коротковолновый сдвиг пика спектра поглощения такой наноситемы обусловлен размерным квантованием энергетического спектра основного состояния электронно-дырочной пары, находящейся в объеме квантовой точки. The modified method of the effective mass, energy spectrum is obtained by executed ground state exciton, the moving of quantum dot (QD), placed in a matrix of borosilicate glass as a function of radius QD. Shown that the short-wave absorption spectra peaks shifts and low-temperature luminescence such nanosystems arise from the dimensional quantization energy spectrum of the exciton ground state, moving to QD. В рамках модифікаційного методу ефективної маси варіаційним методом отримано енергетичний спектр основного стану електронно-діркової пари, яка знаходиться в об’ємі квантової точки (КТ), в матриці боросилікатного скла, як функція радіуса КТ. Показано, що короткохвильові зсуви максимумів спектрів поглинання та низькотемпературної люмінесценції такої наносистеми зумовлені розмірним квантуванням енергетичного спектра основного стану електронно-діркової пари, яка знаходиться в об’ємі КТ. ru Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Поверхность Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках Spectrum electron - hole pair in semiconductor quantum dots Спектр електронно-діркової пари в напівпровідникових квантових точках Article published earlier |
| spellingShingle | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках Покутний, С.И. Горбик, П.П. Борисенко, Н.В. Борисенко, Л.И. Черный, К.А. Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні |
| title | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках |
| title_alt | Spectrum electron - hole pair in semiconductor quantum dots Спектр електронно-діркової пари в напівпровідникових квантових точках |
| title_full | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках |
| title_fullStr | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках |
| title_full_unstemmed | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках |
| title_short | Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках |
| title_sort | спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках |
| topic | Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні |
| topic_facet | Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148015 |
| work_keys_str_mv | AT pokutniisi spektrélektronnodyročnoiparyvpoluprovodnikovyhkvantovyhtočkah AT gorbikpp spektrélektronnodyročnoiparyvpoluprovodnikovyhkvantovyhtočkah AT borisenkonv spektrélektronnodyročnoiparyvpoluprovodnikovyhkvantovyhtočkah AT borisenkoli spektrélektronnodyročnoiparyvpoluprovodnikovyhkvantovyhtočkah AT černyika spektrélektronnodyročnoiparyvpoluprovodnikovyhkvantovyhtočkah AT pokutniisi spectrumelectronholepairinsemiconductorquantumdots AT gorbikpp spectrumelectronholepairinsemiconductorquantumdots AT borisenkonv spectrumelectronholepairinsemiconductorquantumdots AT borisenkoli spectrumelectronholepairinsemiconductorquantumdots AT černyika spectrumelectronholepairinsemiconductorquantumdots AT pokutniisi spektrelektronnodírkovoíparivnapívprovídnikovihkvantovihtočkah AT gorbikpp spektrelektronnodírkovoíparivnapívprovídnikovihkvantovihtočkah AT borisenkonv spektrelektronnodírkovoíparivnapívprovídnikovihkvantovihtočkah AT borisenkoli spektrelektronnodírkovoíparivnapívprovídnikovihkvantovihtočkah AT černyika spektrelektronnodírkovoíparivnapívprovídnikovihkvantovihtočkah |