Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)

Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При мен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Поверхность
Дата:2015
Автори: Теребинская, М.И., Филоненко, О.В., Ткачук, О.И., Лобанов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2015
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148476
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862691427416276992
author Теребинская, М.И.
Филоненко, О.В.
Ткачук, О.И.
Лобанов, В.В.
author_facet Теребинская, М.И.
Филоненко, О.В.
Ткачук, О.И.
Лобанов, В.В.
citation_txt Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Поверхность
description Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При меньших значениях этого расстояния происходит триплет-синглетный переход, что обеспечивает связывание молекулы О₂ поверхностью кремния. С использованием расчетных данных выполнена оценка вероятности триплет-синглетного перехода в адсорбционном комплексе. Calculations of optimal spatial structure (TFG, B3LYP, 6-31G **) adsorption complex molecules of oxygen on the cluster medeliruyuschem face of the Si (111), showed that at distances greater than 0.35 nm, the axis perpendicular to the surface of the molecule and a molecule of O₂ is in the triplet state. At lower values of this distance occurs singlet-triplet transition, which provides binding molecules of O₂ silicon surface. Using the calculated data performed otsenkaveroyatnosti triplet-singlet transitions in the adsorption complex. Розрахунки оптимального просторової будови (ТФГ, B3LYP, 6-31G **) адсорбційного комплексу молекули кисню на кластері, який моделює грань Si (111), показали, що на відстанях, які перевищують 0,35 нм, вісь молекули перпендикулярна поверхні і молекула О₂ знаходиться в триплетному стані. При менших значеннях цієї відстані відбувається триплет-синглетний перехід, що забезпечує зв'язування молекули О₂ поверхнею кремнію. З використанням розрахункових даних виконана оцінка ймовірності триплет-синглетного переходу в адсорбційному комплексі.
first_indexed 2025-12-07T16:16:10Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-148476
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2617-5975
language Russian
last_indexed 2025-12-07T16:16:10Z
publishDate 2015
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
record_format dspace
spelling Теребинская, М.И.
Филоненко, О.В.
Ткачук, О.И.
Лобанов, В.В.
2019-02-18T13:51:16Z
2019-02-18T13:51:16Z
2015
Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148476
544.77.023.5:544.18
Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При меньших значениях этого расстояния происходит триплет-синглетный переход, что обеспечивает связывание молекулы О₂ поверхностью кремния. С использованием расчетных данных выполнена оценка вероятности триплет-синглетного перехода в адсорбционном комплексе.
Calculations of optimal spatial structure (TFG, B3LYP, 6-31G **) adsorption complex molecules of oxygen on the cluster medeliruyuschem face of the Si (111), showed that at distances greater than 0.35 nm, the axis perpendicular to the surface of the molecule and a molecule of O₂ is in the triplet state. At lower values of this distance occurs singlet-triplet transition, which provides binding molecules of O₂ silicon surface. Using the calculated data performed otsenkaveroyatnosti triplet-singlet transitions in the adsorption complex.
Розрахунки оптимального просторової будови (ТФГ, B3LYP, 6-31G **) адсорбційного комплексу молекули кисню на кластері, який моделює грань Si (111), показали, що на відстанях, які перевищують 0,35 нм, вісь молекули перпендикулярна поверхні і молекула О₂ знаходиться в триплетному стані. При менших значеннях цієї відстані відбувається триплет-синглетний перехід, що забезпечує зв'язування молекули О₂ поверхнею кремнію. З використанням розрахункових даних виконана оцінка ймовірності триплет-синглетного переходу в адсорбційному комплексі.
ru
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
Triplet-singlet transitions during the adsorption of O₂ molecules on the face Si (111)
Триплет-синглетний перехід при адсорбції молекули О₂ на грані Si (111)
Article
published earlier
spellingShingle Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
Теребинская, М.И.
Филоненко, О.В.
Ткачук, О.И.
Лобанов, В.В.
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
title Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_alt Triplet-singlet transitions during the adsorption of O₂ molecules on the face Si (111)
Триплет-синглетний перехід при адсорбції молекули О₂ на грані Si (111)
title_full Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_fullStr Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_full_unstemmed Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_short Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_sort триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы о₂ на грани si(111)
topic Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
topic_facet Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148476
work_keys_str_mv AT terebinskaâmi tripletsingletnyiperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
AT filonenkoov tripletsingletnyiperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
AT tkačukoi tripletsingletnyiperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
AT lobanovvv tripletsingletnyiperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
AT terebinskaâmi tripletsinglettransitionsduringtheadsorptionofo2moleculesonthefacesi111
AT filonenkoov tripletsinglettransitionsduringtheadsorptionofo2moleculesonthefacesi111
AT tkačukoi tripletsinglettransitionsduringtheadsorptionofo2moleculesonthefacesi111
AT lobanovvv tripletsinglettransitionsduringtheadsorptionofo2moleculesonthefacesi111
AT terebinskaâmi tripletsingletniiperehídpriadsorbcíímolekulio2nagranísi111
AT filonenkoov tripletsingletniiperehídpriadsorbcíímolekulio2nagranísi111
AT tkačukoi tripletsingletniiperehídpriadsorbcíímolekulio2nagranísi111
AT lobanovvv tripletsingletniiperehídpriadsorbcíímolekulio2nagranísi111