Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)

• Veröffentlicht in: Поверхность
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Теребинская, М.И., Филоненко, О.В., Ткачук, О.И., Лобанов, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2015
• Schlagworte: Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148476
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При мен...