Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
Виходячи з хвильової функції, одержаної квантово-хімічними розрахунками властивостей вуглецевої нанотрубки типу (8,0) з дефектами вакансійного типу побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу (МЕСП) в площинах, що проходять через діаметр нанотрубки і перпендикулярно до норм...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Поверхность |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148484 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження / А.М. Дацюк, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 71-76. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-148484 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дацюк, А.М. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. 2019-02-18T13:57:02Z 2019-02-18T13:57:02Z 2015 Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження / А.М. Дацюк, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 71-76. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 2617-5975 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148484 544.16:547.022.1 Виходячи з хвильової функції, одержаної квантово-хімічними розрахунками властивостей вуглецевої нанотрубки типу (8,0) з дефектами вакансійного типу побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу (МЕСП) в площинах, що проходять через діаметр нанотрубки і перпендикулярно до нормалі проведеної через точковий дефект. Показано, що характер розподілу потенціалу є майже незмінний в усіх випадках розміщення вакансій: ззовні і всередині стінок вуглецевих нанотрубок наявні області від’ємних значень потенціалу, в той час як ділянки поблизу входу в нанотрубку характеризуються його позитивними значеннями. Розміщення дефектів поблизу порту вуглецевої нанотрубки (в першому гексагональному поясі) спричиняє значний (до 50%) ріст від’ємних значень МЕСП (від -20…-24 кДж/моль до -32…-34 кДж/моль) в середині ВНТ поблизу її порту. Такий вплив дефекту типу вакансії створює передумови для синтезу ВНТ з наперед заданими властивостями. Maps of the distribution of molecular electrostatic potential (MESP) in planes passing through the nanotube diameter and perpendicular to the normal drawn through the point defect were constructed based on the wave function, obtaining due to quantum-chemical calculations of properties carbon nanotube type (8.0) with defects of the vacancy type. It is shown that the distribution is nearly constant in all cases of placement vacancies: the outside and inside of walls of the carbon nanotubes are negative values, while the area near the entrance to the nanotube characterized by its positive values. Accommodation near port’s defects of carbon nanotubes (in the first hexagonal zone) causes considerable (50%) growth MESP negative values (-20 ... -24 kJ / mol to -32 ... -34 kJ / mol) in the middle of carbon nanotube nearby port. Such vacancy defects create conditions for the synthesis of carbon nanotubes with predetermined properties. Исходя из волновой функции, полученной квантово-химическими расчетами свойств углеродной нанотрубки типа (8,0) с дефектами вакансионного типа построены карты распределения молекулярного электростатического потенциала (МЭСП) в плоскостях, проходящих через диаметр нанотрубки и перпендикулярно к нормали проведенной через точечный дефект. Показано, что характер распределения потенциала почти неизменный во всех случаях размещения вакансий: снаружи и внутри стенок углеродных нанотрубок имеются области отрицательных значений потенциала, в то время как участки у входа в нанотрубку характеризуются его положительными значениями. Размещение дефектов вблизи порта углеродной нанотрубки (в первом гексагональной поясе) влечет значительный (до 50%) рост отрицательных значений МЭСП (от -20 ... -24 кДж/моль до -32 ... -34 кДж/моль) в середине УНТ вблизи ее порта. Такое влияние дефекта типа вакансии создает предпосылки для синтеза УНТ с заданными свойствами. uk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Поверхность Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження Maps of the distribution of molecular electrostatic potential in defective carbon nanotube (8.0): quantum-chemical investigation Карты распределения молекулярного электростатического потенциала в дефектной углеродной нанотрубке типа (8,0): квантовохимическое исследование Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження |
| spellingShingle |
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження Дацюк, А.М. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности |
| title_short |
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження |
| title_full |
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження |
| title_fullStr |
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження |
| title_full_unstemmed |
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження |
| title_sort |
карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження |
| author |
Дацюк, А.М. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. |
| author_facet |
Дацюк, А.М. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. |
| topic |
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности |
| topic_facet |
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности |
| publishDate |
2015 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Поверхность |
| publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Maps of the distribution of molecular electrostatic potential in defective carbon nanotube (8.0): quantum-chemical investigation Карты распределения молекулярного электростатического потенциала в дефектной углеродной нанотрубке типа (8,0): квантовохимическое исследование |
| description |
Виходячи з хвильової функції, одержаної квантово-хімічними розрахунками властивостей вуглецевої нанотрубки типу (8,0) з дефектами вакансійного типу побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу (МЕСП) в площинах, що проходять через діаметр нанотрубки і перпендикулярно до нормалі проведеної через точковий дефект. Показано, що характер розподілу потенціалу є майже незмінний в усіх випадках розміщення вакансій: ззовні і всередині стінок вуглецевих нанотрубок наявні області від’ємних значень потенціалу, в той час як ділянки поблизу входу в нанотрубку характеризуються його позитивними значеннями. Розміщення дефектів поблизу порту вуглецевої нанотрубки (в першому гексагональному поясі) спричиняє значний (до 50%) ріст від’ємних значень МЕСП (від -20…-24 кДж/моль до -32…-34 кДж/моль) в середині ВНТ поблизу її порту. Такий вплив дефекту типу вакансії створює передумови для синтезу ВНТ з наперед заданими властивостями.
Maps of the distribution of molecular electrostatic potential (MESP) in planes passing through the nanotube diameter and perpendicular to the normal drawn through the point defect were constructed based on the wave function, obtaining due to quantum-chemical calculations of properties carbon nanotube type (8.0) with defects of the vacancy type. It is shown that the distribution is nearly constant in all cases of placement vacancies: the outside and inside of walls of the carbon nanotubes are negative values, while the area near the entrance to the nanotube characterized by its positive values. Accommodation near port’s defects of carbon nanotubes (in the first hexagonal zone) causes considerable (50%) growth MESP negative values (-20 ... -24 kJ / mol to -32 ... -34 kJ / mol) in the middle of carbon nanotube nearby port. Such vacancy defects create conditions for the synthesis of carbon nanotubes with predetermined properties.
Исходя из волновой функции, полученной квантово-химическими расчетами свойств углеродной нанотрубки типа (8,0) с дефектами вакансионного типа построены карты распределения молекулярного электростатического потенциала (МЭСП) в плоскостях, проходящих через диаметр нанотрубки и перпендикулярно к нормали проведенной через точечный дефект. Показано, что характер распределения потенциала почти неизменный во всех случаях размещения вакансий: снаружи и внутри стенок углеродных нанотрубок имеются области отрицательных значений потенциала, в то время как участки у входа в нанотрубку характеризуются его положительными значениями. Размещение дефектов вблизи порта углеродной нанотрубки (в первом гексагональной поясе) влечет значительный (до 50%) рост отрицательных значений МЭСП (от -20 ... -24 кДж/моль до -32 ... -34 кДж/моль) в середине УНТ вблизи ее порта. Такое влияние дефекта типа вакансии создает предпосылки для синтеза УНТ с заданными свойствами.
|
| issn |
2617-5975 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148484 |
| citation_txt |
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження / А.М. Дацюк, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 71-76. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT dacûkam kartirozpodílumolekulârnogoelektrostatičnogopotencíaluvdefektníivuglecevíinanotrubcítipu80kvantovohímíčnedoslídžennâ AT terebínsʹkamí kartirozpodílumolekulârnogoelektrostatičnogopotencíaluvdefektníivuglecevíinanotrubcítipu80kvantovohímíčnedoslídžennâ AT lobanovvv kartirozpodílumolekulârnogoelektrostatičnogopotencíaluvdefektníivuglecevíinanotrubcítipu80kvantovohímíčnedoslídžennâ AT dacûkam mapsofthedistributionofmolecularelectrostaticpotentialindefectivecarbonnanotube80quantumchemicalinvestigation AT terebínsʹkamí mapsofthedistributionofmolecularelectrostaticpotentialindefectivecarbonnanotube80quantumchemicalinvestigation AT lobanovvv mapsofthedistributionofmolecularelectrostaticpotentialindefectivecarbonnanotube80quantumchemicalinvestigation AT dacûkam kartyraspredeleniâmolekulârnogoélektrostatičeskogopotencialavdefektnoiuglerodnoinanotrubketipa80kvantovohimičeskoeissledovanie AT terebínsʹkamí kartyraspredeleniâmolekulârnogoélektrostatičeskogopotencialavdefektnoiuglerodnoinanotrubketipa80kvantovohimičeskoeissledovanie AT lobanovvv kartyraspredeleniâmolekulârnogoélektrostatičeskogopotencialavdefektnoiuglerodnoinanotrubketipa80kvantovohimičeskoeissledovanie |
| first_indexed |
2025-12-07T15:30:16Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:30:16Z |
| _version_ |
1850863954242306048 |