Implantation of deuterium and helium ions into composite structure with tantalum coating

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Bobkov, V.V., Tishchenko, L.P., Kovtunenko, Yu.I., Tsapenko, O.B., Skrypnik, A.O., Logachev, Yu.E., Gamayunova, L.A.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
• Schlagworte: ИТЭР и приложения для термоядерного реактора
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148847
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Implantation of deuterium and helium ions into composite structure with tantalum coating / V.V. Bobkov, L.P. Tishchenko, Yu.I. Kovtunenko, O.B. Tsapenko, A.O. Skrypnik, Yu.E. Logachev, L.A. Gamayunova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Processes of retention and thermal release of implanted deuterium and helium from tantalum coatings of multilayer composite structure by thermodesorption spectrometry were investigated. The dependences of amount of accumulated deuterium and helium, and the shape of thermal desorption spectra as functions of the D⁺ and He⁺ ions fluencies and of the temperature of irradiation were shown. Possible mechanisms of these processes are proposed. Методом термодесорбційної спектрометрії досліджено процеси накопичення і виділення дейтерію та гелію у вакуум із танталових покриттів композиційної структури. Кількість накопиченого дейтерію та гелію і вигляд спектрів термічної десорбції показано в залежності від дози опромінення іонами D⁺ або He⁺ та температури зразка при опроміненні. Запропоновано можливі механізми цих процесів. Методом термодесорбционной спектрометрии исследованы процессы накопления и выделения дейтерия и гелия в вакуум из танталовых покрытий композиционной структуры. Количество накопленного дейтерия и гелия и вид спектров термической десорбции показаны в зависимости от дозы облучения ионами D⁺ или He⁺ и температуры образца при облучении. Предложены возможные механизмы этих процессов.