2-D electron system in the RF-discharge plasma. Part I. General observations

The hypothesis is advanced for similarity between the space-charge layers formed by the plasma in the nearantenna region of ICRF discharges and the two-dimensional electron systems created specially for each specific
 realization for the studies of metals, semimetals and semiconductors. Вису...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2018
Hauptverfasser: Berezhnyj, V.L., Berezhnaya, I.V.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148871
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:2-D electron system in the RF-discharge plasma. Part I. General observations / V.L. Berezhnyj, I.V. Berezhnaya // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 6. — С. 24-26. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:The hypothesis is advanced for similarity between the space-charge layers formed by the plasma in the nearantenna region of ICRF discharges and the two-dimensional electron systems created specially for each specific
 realization for the studies of metals, semimetals and semiconductors. Висувається гіпотеза про аналогічність шарів об’ємних зарядів, що створюються плазмою у приантенній
 області ICRF-розрядів та двомірних електронних систем, які виготовляються спеціально в кожній
 конкретній реалізації для дослідження металів, напівметалів та напівпровідників. Выдвигается гипотеза об аналогичности слоев объемных зарядов, образуемых плазмой в приантенной
 области ICRF-разрядов и двумерных электронных систем, создаваемых специально в каждой конкретной
 реализации для исследования металлов, полуметаллов и полупроводников
ISSN:1562-6016