Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

• Veröffentlicht in: Поверхность
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Гаврилюк, О.О., Клименко, В.Є., Семчук, О.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2012
• Schlagworte: Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами. Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method. Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.