Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами. Investigation temperature depend...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Поверхность
Date:2012
Main Authors: Гаврилюк, О.О., Клименко, В.Є., Семчук, О.Ю.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2012
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862728840955035648
author Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
author_facet Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
citation_txt Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Поверхность
description Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами. Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method. Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.
first_indexed 2025-12-07T19:11:13Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-148893
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2617-5975
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T19:11:13Z
publishDate 2012
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
record_format dspace
spelling Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
2019-02-19T08:44:29Z
2019-02-19T08:44:29Z
2012
Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
537:539
Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами.
Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method.
Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.
Автори вдячні Н.С. Кравчук за пліднео бговорення та Я.М. Гнелиці за допомогу у проведенні експериментальних досліджень.
uk
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
Температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводник
Article
published earlier
spellingShingle Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
title Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_alt Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
Температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводник
title_full Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_fullStr Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_full_unstemmed Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_short Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_sort температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
topic Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
topic_facet Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
work_keys_str_mv AT gavrilûkoo temperaturnazaležnístʹparametrívpoverhnevihstanívstrukturimetaldíelektriknapívprovídnik
AT klimenkovê temperaturnazaležnístʹparametrívpoverhnevihstanívstrukturimetaldíelektriknapívprovídnik
AT semčukoû temperaturnazaležnístʹparametrívpoverhnevihstanívstrukturimetaldíelektriknapívprovídnik
AT gavrilûkoo temperaturedependenceofsurfacestateparametersofmetalinsulatorsemiconductorstructures
AT klimenkovê temperaturedependenceofsurfacestateparametersofmetalinsulatorsemiconductorstructures
AT semčukoû temperaturedependenceofsurfacestateparametersofmetalinsulatorsemiconductorstructures
AT gavrilûkoo temperaturnaâzavisimostʹparametrovpoverhnostnyhsostoâniistrukturymetalldiélektrikpoluprovodnik
AT klimenkovê temperaturnaâzavisimostʹparametrovpoverhnostnyhsostoâniistrukturymetalldiélektrikpoluprovodnik
AT semčukoû temperaturnaâzavisimostʹparametrovpoverhnostnyhsostoâniistrukturymetalldiélektrikpoluprovodnik