Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами. Investigation temperature depend...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Поверхность
Datum:2012
Hauptverfasser: Гаврилюк, О.О., Клименко, В.Є., Семчук, О.Ю.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-148893
record_format dspace
spelling Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
2019-02-19T08:44:29Z
2019-02-19T08:44:29Z
2012
Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
537:539
Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами.
Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method.
Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.
Автори вдячні Н.С. Кравчук за пліднео бговорення та Я.М. Гнелиці за допомогу у проведенні експериментальних досліджень.
uk
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
Температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводник
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
spellingShingle Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
title_short Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_full Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_fullStr Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_full_unstemmed Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
title_sort температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
author Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
author_facet Гаврилюк, О.О.
Клименко, В.Є.
Семчук, О.Ю.
topic Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
topic_facet Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
publishDate 2012
language Ukrainian
container_title Поверхность
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
format Article
title_alt Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
Температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводник
description Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами. Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method. Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.
issn 2617-5975
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
citation_txt Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT gavrilûkoo temperaturnazaležnístʹparametrívpoverhnevihstanívstrukturimetaldíelektriknapívprovídnik
AT klimenkovê temperaturnazaležnístʹparametrívpoverhnevihstanívstrukturimetaldíelektriknapívprovídnik
AT semčukoû temperaturnazaležnístʹparametrívpoverhnevihstanívstrukturimetaldíelektriknapívprovídnik
AT gavrilûkoo temperaturedependenceofsurfacestateparametersofmetalinsulatorsemiconductorstructures
AT klimenkovê temperaturedependenceofsurfacestateparametersofmetalinsulatorsemiconductorstructures
AT semčukoû temperaturedependenceofsurfacestateparametersofmetalinsulatorsemiconductorstructures
AT gavrilûkoo temperaturnaâzavisimostʹparametrovpoverhnostnyhsostoâniistrukturymetalldiélektrikpoluprovodnik
AT klimenkovê temperaturnaâzavisimostʹparametrovpoverhnostnyhsostoâniistrukturymetalldiélektrikpoluprovodnik
AT semčukoû temperaturnaâzavisimostʹparametrovpoverhnostnyhsostoâniistrukturymetalldiélektrikpoluprovodnik
first_indexed 2025-12-07T19:11:13Z
last_indexed 2025-12-07T19:11:13Z
_version_ 1850877855853969408