Электрофизические свойства полимерных нанокомпозитов на основе гетероструктур Ag₂S/CdS - Котенок, Е.В.; Прокопенко, С.Л.; Махно, С.Н.; Горбик, П.П. (Поверхность, 2012)
Исследованы электрофизические свойства новых композиционных материалов на основе нанокристаллического сульфида кадмия, сульфида серебра, полихлортрифторэтилена (ПХТФЭ), поливинилиденфторида (ПВДФ) и высокодисперсного кремнезема. Установлено, что зависимости действительной ε' и мнимой ε'' составляющих комплексной диэлектрической проницаемости от объемного содержания полупроводниковой фазы для сульфида кадмия, полученного гидротермальным синтезом на поверхности SiO₂, а также гетероструктуры (Ag₂S/CdS/SiO₂), полученной методом частичного замещения ионов Cd на Ag, в сверхвысокочастотном диапазоне имеют максимумы при концентрации 0,50. Определены энергии активации электропроводности для систем ПВДФ–CdS/SiO₂ и ПХТФЭ–Ag₂S/CdS/SiO₂. The electrophysical properties of new composite materials on the basis of nanocrystalline cadmium sulfide, silver sulfide, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidenefluoride (PVDF) and highly dispersible silica have been studied. The relationship between values valid ε' and imaginary ε" a component of complex dielectric permittivity and concentration of the semiconductor phase for cadmium sulfide, obtained by hydrothermal synthesis on the surface of SiO₂ and the heterostructure (Ag₂S/CdS/SiO₂), which is obtained by partial substitution of Cd on Ag, within microwave range have maxima at a concentration of 0.50. The activation energy of conductivity for the systems PVDF-CdS/SiO₂ and PCTFE-Ag₂S/CdS/SiO₂ is defined. Досліджені електрофізичні властивості нових композиційних матеріалів на основі нанокристалічного сульфіду кадмію, сульфіду срібла, поліхлортрифторетилену (ПХТФЕ), полівініліденфториду (ПВДФ) і високодисперсного кремнезему. Встановлено, що залежності дійсної ε' та уявної ε'' складових комплексної діелектричної проникності від об'ємного вмісту напівпровідникової фази для сульфіду кадмію, отриманого гідротермальним синтезом на поверхні SiO₂, а також гетероструктури (Ag₂S/CdS/SiO₂), отриманої методом часткового заміщення іонів Cd на Ag, в надвисокочастотному діапазоні мають максимуми при концентрації 0,50. Визначені енергії активації електропровідності для систем ПВДФ-CdS/SiO₂ і ПХТФЕ-Ag₂S/CdS/SiO₂.