Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К....
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/14982 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ / Ю.Т. Петрусенко, А.В. Бондаренко, А.М. Козыренко, С.М. Шкирида // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 42-48. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862660011778375680 |
|---|---|
| author | Петрусенко, Ю.Т. Бондаренко, А.В. Козыренко, А.М. Шкирида, С.М. |
| author_facet | Петрусенко, Ю.Т. Бондаренко, А.В. Козыренко, А.М. Шкирида, С.М. |
| citation_txt | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ / Ю.Т. Петрусенко, А.В. Бондаренко, А.М. Козыренко, С.М. Шкирида // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 42-48. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К. Показано, что при малых дозах облучения φ величина ρ линейно увеличивается, а величина Тс линейно уменьшается с увеличением φ. При больших дозах облучения наблюдается отклонение от линейной зависимости. Определена энергия активации отжига радиационных дефектов на двух стадиях отжига, которые реализуются в интервале температур 190…210 и 240…250 К. Обнаружена неидентичная зависимость сверхпроводящих переходов, измеренных стандартным 4-контактным методом и методом Монтгомери, которая объясняется формированием вблизи границ двойников тонкого слоя с повышенной критической температурой.
Представлені результати вимірювань впливу низькотемпературного опромінення електронами з енергією 0,5…2,5 МеВ на електроопір ρ та критичну температуру Тс монокристалів YBa2Cu3O7-х, та досліджені процеси повернення цих характеристик при ізотермічному відпалі в інтервалі температур 150…300 К. Показано, що при малих дозах опромінення φ величина ρ лінійно зростає, а величина Тс лінійно зменшується зі збільшенням дози φ. При великих дозах опромінення спостерігається відхилення від лінійної залежності. Визначена енергія активації відпалу радіаційних дефектів на двох стадіях відпалу, що реалізуються в інтервалі температур 190…210 та 240…250 К. Виявлена неідентична залежність надпровідних переходів, виміряних стандартним 4-контактним методом та методом Монтгомері, яка інтерпретується формуванням поблизу меж двійників тонкого слою з підвищеною критичною температурою.
The effect of the low-temperature irradiation with 0,5…2,5 MeV electrons on the electrical resistance and critical temperature of the YBa2Cu3O7-х single crystals, and recovery of these characteristics after isothermal anneal in the temperature region of 150…300 K were investigated. It was shown that the value of ρ linear increases whereas the value of Тс linear decreases with increased dose φ. At high irradiation doses deviation off the linear dependence is observed. It was determined that the value of activation energy for two stages of the defects anneal, which are realized for the temperature intervals 190…210 and 240…250 К. It was observed non-identical superconducting transitions measured by the standard four-probe and Montgomery’s methods, that is explained by formation nearby the twin boundaries of thin layers having increased critical temperature.
|
| first_indexed | 2025-12-02T10:58:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-14982 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T10:58:52Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Петрусенко, Ю.Т. Бондаренко, А.В. Козыренко, А.М. Шкирида, С.М. 2010-12-30T12:37:41Z 2010-12-30T12:37:41Z 2010 Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ / Ю.Т. Петрусенко, А.В. Бондаренко, А.М. Козыренко, С.М. Шкирида // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 42-48. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/14982 538.945 Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К. Показано, что при малых дозах облучения φ величина ρ линейно увеличивается, а величина Тс линейно уменьшается с увеличением φ. При больших дозах облучения наблюдается отклонение от линейной зависимости. Определена энергия активации отжига радиационных дефектов на двух стадиях отжига, которые реализуются в интервале температур 190…210 и 240…250 К. Обнаружена неидентичная зависимость сверхпроводящих переходов, измеренных стандартным 4-контактным методом и методом Монтгомери, которая объясняется формированием вблизи границ двойников тонкого слоя с повышенной критической температурой. Представлені результати вимірювань впливу низькотемпературного опромінення електронами з енергією 0,5…2,5 МеВ на електроопір ρ та критичну температуру Тс монокристалів YBa2Cu3O7-х, та досліджені процеси повернення цих характеристик при ізотермічному відпалі в інтервалі температур 150…300 К. Показано, що при малих дозах опромінення φ величина ρ лінійно зростає, а величина Тс лінійно зменшується зі збільшенням дози φ. При великих дозах опромінення спостерігається відхилення від лінійної залежності. Визначена енергія активації відпалу радіаційних дефектів на двох стадіях відпалу, що реалізуються в інтервалі температур 190…210 та 240…250 К. Виявлена неідентична залежність надпровідних переходів, виміряних стандартним 4-контактним методом та методом Монтгомері, яка інтерпретується формуванням поблизу меж двійників тонкого слою з підвищеною критичною температурою. The effect of the low-temperature irradiation with 0,5…2,5 MeV electrons on the electrical resistance and critical temperature of the YBa2Cu3O7-х single crystals, and recovery of these characteristics after isothermal anneal in the temperature region of 150…300 K were investigated. It was shown that the value of ρ linear increases whereas the value of Тс linear decreases with increased dose φ. At high irradiation doses deviation off the linear dependence is observed. It was determined that the value of activation energy for two stages of the defects anneal, which are realized for the temperature intervals 190…210 and 240…250 К. It was observed non-identical superconducting transitions measured by the standard four-probe and Montgomery’s methods, that is explained by formation nearby the twin boundaries of thin layers having increased critical temperature. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ Анізотропний характер дефектів та процеси повернення у здвійникованих кристалах YBa2Cu3O7-x після опромінення електронами з енергією 0,5…2,5 МеВ Anisotropic character of the defects and recovery processes in twinned YBa2Cu3O7-x crystals irradiated with 0,5-2,5 MeV electrons Article published earlier |
| spellingShingle | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ Петрусенко, Ю.Т. Бондаренко, А.В. Козыренко, А.М. Шкирида, С.М. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ |
| title_alt | Анізотропний характер дефектів та процеси повернення у здвійникованих кристалах YBa2Cu3O7-x після опромінення електронами з енергією 0,5…2,5 МеВ Anisotropic character of the defects and recovery processes in twinned YBa2Cu3O7-x crystals irradiated with 0,5-2,5 MeV electrons |
| title_full | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ |
| title_fullStr | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ |
| title_full_unstemmed | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ |
| title_short | Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ |
| title_sort | анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах yba2cu3o7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 мэв |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/14982 |
| work_keys_str_mv | AT petrusenkoût anizotropnyiharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvoinikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiei0525mév AT bondarenkoav anizotropnyiharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvoinikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiei0525mév AT kozyrenkoam anizotropnyiharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvoinikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiei0525mév AT škiridasm anizotropnyiharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvoinikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiei0525mév AT petrusenkoût anízotropniiharakterdefektívtaprocesipovernennâuzdvíinikovanihkristalahyba2cu3o7xpíslâopromínennâelektronamizenergíêû0525mev AT bondarenkoav anízotropniiharakterdefektívtaprocesipovernennâuzdvíinikovanihkristalahyba2cu3o7xpíslâopromínennâelektronamizenergíêû0525mev AT kozyrenkoam anízotropniiharakterdefektívtaprocesipovernennâuzdvíinikovanihkristalahyba2cu3o7xpíslâopromínennâelektronamizenergíêû0525mev AT škiridasm anízotropniiharakterdefektívtaprocesipovernennâuzdvíinikovanihkristalahyba2cu3o7xpíslâopromínennâelektronamizenergíêû0525mev AT petrusenkoût anisotropiccharacterofthedefectsandrecoveryprocessesintwinnedyba2cu3o7xcrystalsirradiatedwith0525mevelectrons AT bondarenkoav anisotropiccharacterofthedefectsandrecoveryprocessesintwinnedyba2cu3o7xcrystalsirradiatedwith0525mevelectrons AT kozyrenkoam anisotropiccharacterofthedefectsandrecoveryprocessesintwinnedyba2cu3o7xcrystalsirradiatedwith0525mevelectrons AT škiridasm anisotropiccharacterofthedefectsandrecoveryprocessesintwinnedyba2cu3o7xcrystalsirradiatedwith0525mevelectrons |