Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ - Петрусенко, Ю.Т.; Бондаренко, А.В.; Козыренко, А.М.; Шкирида, С.М. (Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2010)
Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К. Показано, что при малых дозах облучения φ величина ρ линейно увеличивается, а величина Тс линейно уменьшается с увеличением φ. При больших дозах облучения наблюдается отклонение от линейной зависимости. Определена энергия активации отжига радиационных дефектов на двух стадиях отжига, которые реализуются в интервале температур 190…210 и 240…250 К. Обнаружена неидентичная зависимость сверхпроводящих переходов, измеренных стандартным 4-контактным методом и методом Монтгомери, которая объясняется формированием вблизи границ двойников тонкого слоя с повышенной критической температурой. Представлені результати вимірювань впливу низькотемпературного опромінення електронами з енергією 0,5…2,5 МеВ на електроопір ρ та критичну температуру Тс монокристалів YBa2Cu3O7-х, та досліджені процеси повернення цих характеристик при ізотермічному відпалі в інтервалі температур 150…300 К. Показано, що при малих дозах опромінення φ величина ρ лінійно зростає, а величина Тс лінійно зменшується зі збільшенням дози φ. При великих дозах опромінення спостерігається відхилення від лінійної залежності. Визначена енергія активації відпалу радіаційних дефектів на двох стадіях відпалу, що реалізуються в інтервалі температур 190…210 та 240…250 К. Виявлена неідентична залежність надпровідних переходів, виміряних стандартним 4-контактним методом та методом Монтгомері, яка інтерпретується формуванням поблизу меж двійників тонкого слою з підвищеною критичною температурою. The effect of the low-temperature irradiation with 0,5…2,5 MeV electrons on the electrical resistance and critical temperature of the YBa2Cu3O7-х single crystals, and recovery of these characteristics after isothermal anneal in the temperature region of 150…300 K were investigated. It was shown that the value of ρ linear increases whereas the value of Тс linear decreases with increased dose φ. At high irradiation doses deviation off the linear dependence is observed. It was determined that the value of activation energy for two stages of the defects anneal, which are realized for the temperature intervals 190…210 and 240…250 К. It was observed non-identical superconducting transitions measured by the standard four-probe and Montgomery’s methods, that is explained by formation nearby the twin boundaries of thin layers having increased critical temperature.