Твердотельные компоненты и устройства электронной техники терагерцевого диапазона в Украине
Показаны особенности конструктивных решений в процессе создания полупроводниковых компонентов и устройств, таких как генераторы, усилители, умножители частоты, измерители мощности, линии передачи и устройства для модуляции электромагнитных волн с использованием р–i–n-структур. Рассмотрены основные н...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| ISSN: | 1028-821X |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150216 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Твердотельные компоненты и устройства электронной техники терагерцевого диапазона в Украине / Н.Ф. Карушкин // Радіофізика та електроніка. — 2018. — Т. 23, № 3. — С. 40-64. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Показаны особенности конструктивных решений в процессе создания полупроводниковых компонентов и устройств, таких как генераторы, усилители, умножители частоты, измерители мощности, линии передачи и устройства для модуляции электромагнитных волн с использованием р–i–n-структур. Рассмотрены основные направления практического применения аппаратуры и оборудования терагерцевого диапазона.
Показано особливості конструктивних рішень у процесі створення напівпровідникових компонентів і пристроїв, таких як генератори, підсилювачі, помножувачі частоти, вимірювачі потужності, лінії передачі і пристрої для модуляції електромагнітних хвиль з використанням р–i–n-структур. Розглянуто основні напрямки практичного застосування апаратури та обладнання терагерцового діапазону.
The features of design solutions in the process of creating semiconductor components and devices, such as oscillators, amplifiers, frequency multipliers, power meters, transmission lines, and devices for modulating electromagnetic waves using p–i–n-structures, are shown. The main directions of the practical application of apparatus and equipment of the terahertz range are considered.
|
|---|---|
| ISSN: | 1028-821X |