Твердотельные компоненты и устройства электронной техники терагерцевого диапазона в Украине

Показаны особенности конструктивных решений в процессе создания полупроводниковых компонентов и устройств, таких как генераторы, усилители, умножители частоты, измерители мощности, линии передачи и устройства для модуляции электромагнитных волн с использованием р–i–n-структур. Рассмотрены основные н...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радіофізика та електроніка
Datum:2018
ISSN:1028-821X
1. Verfasser: Карушкин, Н.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2018
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150216
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Твердотельные компоненты и устройства электронной техники терагерцевого диапазона в Украине / Н.Ф. Карушкин // Радіофізика та електроніка. — 2018. — Т. 23, № 3. — С. 40-64. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Показаны особенности конструктивных решений в процессе создания полупроводниковых компонентов и устройств, таких как генераторы, усилители, умножители частоты, измерители мощности, линии передачи и устройства для модуляции электромагнитных волн с использованием р–i–n-структур. Рассмотрены основные направления практического применения аппаратуры и оборудования терагерцевого диапазона. Показано особливості конструктивних рішень у процесі створення напівпровідникових компонентів і пристроїв, таких як генератори, підсилювачі, помножувачі частоти, вимірювачі потужності, лінії передачі і пристрої для модуляції електромагнітних хвиль з використанням р–i–n-структур. Розглянуто основні напрямки практичного застосування апаратури та обладнання терагерцового діапазону. The features of design solutions in the process of creating semiconductor components and devices, such as oscillators, amplifiers, frequency multipliers, power meters, transmission lines, and devices for modulating electromagnetic waves using p–i–n-structures, are shown. The main directions of the practical application of apparatus and equipment of the terahertz range are considered.
ISSN:1028-821X