Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах

Проведен анализ достигнутого уровня параметров и основных путей создания умножителей частоты, выполненных на основе полупроводниковых диодных структур, эффективных в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Рассмотрены диодные генераторы гармоник; умножители частоты, принцип действия к...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2018
Main Author: Карушкин, Н.Ф.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150265
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах / Н.Ф. Карушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 3. — С. 22-37. — Бібліогр.: 41 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862592557554335744
author Карушкин, Н.Ф.
author_facet Карушкин, Н.Ф.
citation_txt Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах / Н.Ф. Карушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 3. — С. 22-37. — Бібліогр.: 41 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Проведен анализ достигнутого уровня параметров и основных путей создания умножителей частоты, выполненных на основе полупроводниковых диодных структур, эффективных в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Рассмотрены диодные генераторы гармоник; умножители частоты, принцип действия которых основан на нелинейности зависимости их реактивных параметров от напряжения; умножители частоты высокой кратности на лавинно-пролетных диодах, действующих в режиме радиоимпульсного возбуждения колебаний в области высоких частот; умножители частоты на диодных гетероструктурах и квантовых сверхрешетках в терагерцевом диапазоне. Важливу роль в освоюванні міліметрового і субміліметрового діапазонів хвиль відіграють помножувачі частоти. У даній роботі проведено аналіз основних напрямків сучасного розвитку ефективних помножувачів частоти, виповнених на основі напівпровідникових діодних структур, ефективних у міліметровому та субміліметровому діапазонах довжини хвиль. Розглянуто діодні генератори гармонік; помножувачі на основі нелінійних залежностей їх реактивних параметрів від напруги; помножувачів високої кратності на основі лавинно-пролітних діодів, що діють в режимі радіоімпульсного збудження коливань в області високих частот; помножувачі на основі складених гетероструктур і квантових надрешіток в терагерцевому діапазоні. Important role in the development of millimeter and sub-millimeter wave ranges belongs to the frequency multipliers development. This paper analyzes the main trends of modern development of efficient frequency multipliers on semiconductor diode structures, which are based on different physical principles, namely diode harmonic generators; frequency multipliers based on nonlinear dependencies of their reactive parameters on the voltage; frequency multipliers of high multiplicity on IMPATT diodes operating in mode of pulse exciting oscillations at high frequencies; multipliers on complex heterostructures and quantum super lattices in the terahertz range.
first_indexed 2025-11-27T08:41:03Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150265
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-27T08:41:03Z
publishDate 2018
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Карушкин, Н.Ф.
2019-04-03T17:38:18Z
2019-04-03T17:38:18Z
2018
Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах / Н.Ф. Карушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 3. — С. 22-37. — Бібліогр.: 41 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2018.3.22
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150265
621.314.26:621.382.64
Проведен анализ достигнутого уровня параметров и основных путей создания умножителей частоты, выполненных на основе полупроводниковых диодных структур, эффективных в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Рассмотрены диодные генераторы гармоник; умножители частоты, принцип действия которых основан на нелинейности зависимости их реактивных параметров от напряжения; умножители частоты высокой кратности на лавинно-пролетных диодах, действующих в режиме радиоимпульсного возбуждения колебаний в области высоких частот; умножители частоты на диодных гетероструктурах и квантовых сверхрешетках в терагерцевом диапазоне.
Важливу роль в освоюванні міліметрового і субміліметрового діапазонів хвиль відіграють помножувачі частоти. У даній роботі проведено аналіз основних напрямків сучасного розвитку ефективних помножувачів частоти, виповнених на основі напівпровідникових діодних структур, ефективних у міліметровому та субміліметровому діапазонах довжини хвиль. Розглянуто діодні генератори гармонік; помножувачі на основі нелінійних залежностей їх реактивних параметрів від напруги; помножувачів високої кратності на основі лавинно-пролітних діодів, що діють в режимі радіоімпульсного збудження коливань в області високих частот; помножувачі на основі складених гетероструктур і квантових надрешіток в терагерцевому діапазоні.
Important role in the development of millimeter and sub-millimeter wave ranges belongs to the frequency multipliers development. This paper analyzes the main trends of modern development of efficient frequency multipliers on semiconductor diode structures, which are based on different physical principles, namely diode harmonic generators; frequency multipliers based on nonlinear dependencies of their reactive parameters on the voltage; frequency multipliers of high multiplicity on IMPATT diodes operating in mode of pulse exciting oscillations at high frequencies; multipliers on complex heterostructures and quantum super lattices in the terahertz range.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
СВЧ-техника
Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
Помножувачі частоти на напівпровідникових діодних структурах
Millimeter-wave frequency multipliers based on semiconductor diode structures
Article
published earlier
spellingShingle Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
Карушкин, Н.Ф.
СВЧ-техника
title Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
title_alt Помножувачі частоти на напівпровідникових діодних структурах
Millimeter-wave frequency multipliers based on semiconductor diode structures
title_full Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
title_fullStr Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
title_full_unstemmed Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
title_short Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
title_sort умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах
topic СВЧ-техника
topic_facet СВЧ-техника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150265
work_keys_str_mv AT karuškinnf umnožiteličastotymillimetrovogodiapazonanapoluprovodnikovyhdiodnyhstrukturah
AT karuškinnf pomnožuvačíčastotinanapívprovídnikovihdíodnihstrukturah
AT karuškinnf millimeterwavefrequencymultipliersbasedonsemiconductordiodestructures