Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862685854729764864 |
|---|---|
| author | Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М. |
| author_facet | Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М. |
| citation_txt | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи.
Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи.
The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:02:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150274 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:02:32Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М. 2019-04-03T18:23:09Z 2019-04-03T18:23:09Z 2018 Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.4.21 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274 621.315.592.2:546.681'19 Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure Article published earlier |
| spellingShingle | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М. Сенсоэлектроника |
| title | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры |
| title_alt | Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure |
| title_full | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры |
| title_fullStr | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры |
| title_full_unstemmed | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры |
| title_short | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры |
| title_sort | электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной gaas-структуры |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274 |
| work_keys_str_mv | AT abdulhaevoa élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT edgorovadm élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT karimovav élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT âkubovaa élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT kulievšm élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT abdulhaevoa elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT edgorovadm elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT karimovav elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT âkubovaa elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT kulievšm elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT abdulhaevoa electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT edgorovadm electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT karimovav electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT âkubovaa electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT kulievšm electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure |