Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2018
Автори:	Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Якубов, А.А., Кулиев, Ш.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150274
record_format	dspace
spelling	Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М. 2019-04-03T18:23:09Z 2019-04-03T18:23:09Z 2018 Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.4.21 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274 621.315.592.2:546.681'19 Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
spellingShingle	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М. Сенсоэлектроника
title_short	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_full	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_fullStr	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_full_unstemmed	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_sort	электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной gaas-структуры
author	Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М.
author_facet	Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М.
topic	Сенсоэлектроника
topic_facet	Сенсоэлектроника
publishDate	2018
language	Russian
container_title	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
description	Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems.
issn	2225-5818
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274
citation_txt	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT abdulhaevoa élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT edgorovadm élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT karimovav élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT âkubovaa élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT kulievšm élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernoifotodiodnoigaasstruktury AT abdulhaevoa elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT edgorovadm elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT karimovav elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT âkubovaa elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT kulievšm elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT abdulhaevoa electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT edgorovadm electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT karimovav electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT âkubovaa electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT kulievšm electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure
first_indexed	2025-12-07T16:02:32Z
last_indexed	2025-12-07T16:02:32Z
_version_	1850865984906199040

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Репозитарії

Схожі ресурси