Зображення обкладинки

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2018
Автори:	Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Якубов, А.А., Кулиев, Ш.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2017)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2010)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Сравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
за авторством: Швец, А.Г., та інші
Опубліковано: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Автотрассовый газоанализатор
за авторством: Девятко, Г.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Расчет коэффициента преобразования кондуктометрического датчика биосенсора
за авторством: Михаль, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2012)

Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика
за авторством: Мухоед, Н.А.
Опубліковано: (2003)

Физический принцип преобразования флуктуаций в датчиках
за авторством: Головко, А.Г.
Опубліковано: (2003)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Иванова, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Экспериментальные исследования датчика давления с пневмомеханическим резонатором
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Мостовые магниточувствительные сенсоры
за авторством: Викулина, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2004)

Прецизионный датчик давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования ЛА
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2001)

Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
за авторством: Ревенюк, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)