Buchumschlag

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Якубов, А.А., Кулиев, Ш.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150274
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2010)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Сравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
von: Швец, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Автотрассовый газоанализатор
von: Девятко, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Расчет коэффициента преобразования кондуктометрического датчика биосенсора
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2012)

Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика
von: Мухоед, Н.А.
Veröffentlicht: (2003)

Физический принцип преобразования флуктуаций в датчиках
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2003)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2016)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Экспериментальные исследования датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Мостовые магниточувствительные сенсоры
von: Викулина, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Прецизионный датчик давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования ЛА
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Ревенюк, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)