Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Кутова, О.Ю., Душейко, М.Г., Лобода, Б.О., Обухова, Т.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150275
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню / О.Ю. Кутова, М.Г. Душейко, Б.О. Лобода, Т.Ю. Обухова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 28-32. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Досліджено механізми зміни провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» найпростіших резистивних сенсорів під впливом перекису водню. Показано, що зміна провідності сенсора під час розкладу перекису водню в присутності наночастинок срібла відбувається за рахунок двох конкуруючих процесів — екстракції електронів з об’єму кремнію у пористий кремній та розігріву структури в результаті реакції розкладу перекису водню. Исследовано влияние концентрации перекиси водорода на проводимость системы «пористый кремний с наночастицами серебра — кремний». Пористый слой был образован двухстадийным химическим травлением в присутствии металлов с наночастицами Ag. С целью изучения процессов, происходящих в пористом слое при детектировании перекиси водорода, был использован простой резистивный сенсор, в котором наночастицы серебра выполняли роль катализатора. The authors investigate the influence of hydrogen peroxide concentration on the conductivity of the porous silicon with silver nanoparticles / crystalline silicon system. A simple resistive sensor with Ag nanoparticles was used as a catalyst in order to study processes occuring in porous silicon during hydrogen peroxide detection. Porous silicon was formed using a two-stage metal-assisted chemical etching with Ag nanoparticles.