Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2018
• Main Authors: Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
• Subjects: СВЧ-техника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности. Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6. This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator.